Ионные источники и ионные пушки (H01J27/02)
H01J27/02 Ионные источники; ионные пушки (устройства для манипулирования частицами, например фокусирование, G21K1; генерирование ионов, поступающих в незамкнутое газовое пространство, H01T23; генерирование плазмы H05H1/24)(61)
Изобретение относится к области плазменной техники, а именно к ионным системам, и может быть использовано в области ракетно-космической техники при разработке и сборке ионно-оптических систем (ИОС) ионных двигателей, ионных пушек и ионных ускорителей.
Изобретение относится к области ионно-лучевой вакуумной обработке материалов и может быть использовано в плазменных источниках заряженных частиц и, в частности, в машиностроении для упрочнения режущего инструмента, повышения эксплуатационных свойств деталей машин и механизмов.
Изобретение относится к космической технике и касается высокочастотных ионных двигателей. Электрод ионного двигателя, содержит равномерно распределенные по поверхности круглой или прямоугольной формы отверстия размером 1,2-4,6 мм и перемычки между ними шириной 0,4-2,4 мм и выполнен из (УУКМ) на основе каркаса слоистой структуры из высокомодульных углеродных волокон и коксо-пироуглеродной матрицы; при этом углеродные волокна (УУКМ) входят в состав однонаправленной ленты толщиной 0,07-0,11 мм и расположены в УУКМ детали под углом 60 или 90 градусов друг к другу для отверстий круглой и квадратной формы соответственно.Технический результат изобретения - повышение ресурса работы ускоряющего электрода и эмиссионного электрода ИОС, а также повышение их прочности и размерной точности, высокой чистоты поверхности и упрощение технологии изготовления.
Изобретение относится к области создания ионных источников, предназначенных для работы инжекторов быстрых атомов водорода в стационарном режиме (атомные пучки большой мощности - до 2 мегаватт), которые могут использоваться для нагрева плазмы в магнитных ловушках.
Изобретение относится к источнику отрицательно заряженных ионов. Заявленный источник ионов содержит плазменную камеру, микроволновой источник, устройство преобразования в отрицательно заряженные ионы, магнитный фильтр и приспособление для формирования пучка.
Изобретение относится к области плазменной техники. Технический результат - повышение стабильности плазменного потока и устойчивости протекания тока в межэлектродном промежутке, что обеспечивает существенное уменьшение времени коммутации и увеличение амплитуды разрядного тока.
Изобретение относится к области плазменных двигателей. Устройство содержит, по меньшей мере: один главный кольцевой канал (21) ионизации и ускорения, при этом кольцевой канал (21) имеет открытый конец, анод (26), находящийся внутри канала (21), катод (30), находящийся снаружи канала на его выходе, магнитную цепь (4) для создания магнитного поля в части кольцевого канала (21).
Изобретение относится к области приборостроения. Технический результат - увеличение светосилы ионного источника тлеющего разряда за счет уменьшения диффузионных потерь ионов в разрядной камере.
Изобретение относится к физике взаимодействия ионов с поверхностью вещества. .
Изобретение относится к технике получения электронных и ионных пучков и может быть использовано в электронных и ионных источниках, генерирующих пучки с большим поперечным сечением. .
Изобретение относится к плазменной технике, а именно к источникам получения пучка ионов, и может быть использовано в ионно-лучевых технологиях для модификации поверхностей изделий и для нанесения на них тонких пленок SiC, AIN, твердых растворов на их основе и т.д.
Изобретение относится к инжекционной технике, применяемой для создания мощных ионных пучков. .
Изобретение относится к технике генерации пучков отрицательных ионов и может быть использовано в ускорителях заряженных частиц, системах нагрева плазмы и других устройствах. .
Изобретение относится к физике взаимодействия ускоренных частиц с поверхностью вещества и может быть использовано для создания источника нанокластеров металлов, физические свойства которых обусловливают их широкое применение в науке и технике.
Изобретение относится к технике формирования ионных пучков с широкой апертурой пучка ионов, а именно к источникам ионов на основе основного и вспомогательного разрядов. .
Изобретение относится к оптике заряженных частиц и может быть использовано в энерго- и масс-анализе. .
Изобретение относится к области аналитической химии, к анализу чистых веществ, и может быть использовано в масс-спектрометрии тлеющего разряда при элементном анализе твердых веществ, газов и жидкостей с высокой чувствительностью.
Изобретение относится к ионно-плазменной технике, в частности к источникам ионов с замкнутым дрейфом электронов, которые могут быть использованы при конструировании источников, формирующих ленточные пучки ионов инертных и химически активных газов.
Изобретение относится к технике получения низкотемпературной плазмы в больших вакуумных объемах. .
Изобретение относится к клапанам и предназначено преимущественно для быстрого и точного регулирования газовой среды накопительных камер инжекторов холодной плазмы, в реакторах для синтеза легких ядер, при давлении газа на входе клапана не более 10 мм ртутного столба.
Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для формирования высокоэнергетичных пучков многозарядных ионов различных элементов в установках для ионной имплантации, а также в качестве инжекторов ускорителей тяжелых ионов.
Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к устройствам, предназначенным для получения интенсивных пучков ионов, которые могут использоваться в ионно-лучевых технологиях. .
Изобретение относится к устройствам электронно-ионной технологии, в частности к газоразрядным устройствам для ионной очистки и травления материалов, и может найти применение при изготовлении элементной базы микроэлектроники из многокомпонентных материалов.
Изобретение относится к ионным источникам для циклотронов (внутренним, закрытого типа) и может использоваться в циклотронной технике. .
Изобретение относится к ионным источникам с закрытым дрейфом электронов, которые могут быть использованы в качестве двигателей, в частности, для космических кораблей, либо в качестве ионных источников для промышленных операций, например нанесение покрытий напыления в вакууме.
Изобретение относится к ионным источникам и может быть использовано в масс-спектрометрии для элементного анализа жидкостей и газов, в ионной технологии и т.д. .
Изобретение относится к технике получения импульсных мощных ионных пучков. .
Изобретение относится к области электронной техники и может найти применение при изготовлении интегральных схем с большой информационной емкостью методом литографии, а также в других процессах прецизионной обработки поверхности материалов ионным лучом, например нанесение на субстрат рисунков с изменением в нем поверхностных свойств материалов, в частности изменение типа проводимости в полупроводниковых материалах путем внедрения легирующих ионов, изменение других физических свойств материала за счет внедрения одноименных и инородных ионов, создание на поверхности новых слоев в результате осаждения атомов вещества из окружающих паров облака под влиянием падающих ионов, удаление вещества с поверхности субстрата в результате его распыления.
Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для получения потоков частиц, используемых, например, для вакуумного нанесения тонких пленок. .
Изобретение относится к области ускорительной техники и может быть использовано для получения мощных, высокооднородных пучков ленточной геометрии. .
Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях. .
Изобретение относится к газоразрядной плазменной технике и технологии, в частности к устройствам генерации низкотемпературной газоразрядной плазмы в больших объемах. .
Изобретение относится к ионным источникам и может быть использовано в масс-спектрометрии для элементного анализа жидкостей и газов, в ионной технологии и т.п. .
Изобретение относится к области техники ионных источников и может быть использовано при проектировании ионных источников различного назначения, например, источников отрицательных ионов водорода. .
Изобретение относится к области электротехники, в частности к электронным и газоразрядным устройствам, и может быть использовано при создании устройств, моделирующих условия ионосферы Земли, в научных исследованиях характеристик элементарных процессов при столкновениях отрицательных ионов с нейтральными и заряженными частицами, а также при генерации атомных пучков.
Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для получения ионов. .
Изобретение относится к способам управления током плазменных эмиттеров большой площади и может быть использовано в электронных и ионных источниках, генерирующих пучки с большим поперечным сечением. .
Изобретение относится к ионно-пучковой технологии и может быть использовано при электромагнитной сепарации изотопов, в технике ионных ускорителей и в процессах физико-химической обработки конструкционных материалов и материалов микроэлектроники, в научных исследованиях.