Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия

Авторы патента:

C30B9/06 - с использованием в качестве растворителя компонента кристаллической композиции

C30B29/10 - неорганические соединения или композиции

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия, включающий нагрев смеси исходных компонентов в вакуумированной ампуле и последующую кристаллизацию расплава, отличающийся тем, что, с целью возможности получения кристаллов CsIn₃ увеличенных размеров, исходные компоненты берут при соотношении In и Cs в смеси в мольных долях 0,83 - 0,88 : 0,12 - 0,17, нагрев ведут в ампуле, оснащенной воронкой, размещенной под поверхностью расплава основанием вниз, а кристаллизацию проводят со скоростью 7 - 17^oC/ч вытягиванием ампулы вверх.

Способ получения тетраиндида рубидия // 813979

Способ получения монокристаллов на основе меди, // 252289

Способ выращивания монокристаллов карбида кремния // 136328

Способ химического травления монокристаллов пентабората калия // 1075600

Способ получения соединения cs3sb // 1069457

Способ получения тетраиндида рубидия // 813979

Патент 421875 // 421875

Патент 392971 // 392971

Способ получения монокристаллов на основе меди, // 252289

Способ выращивания монокристаллов // 136057

Способ выращивания кристаллов в домашних условиях // 2130978

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Кристаллизатор для выращивания кристаллов из пересыщенного раствора // 2165486

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п

Способ получения монокристаллов оптического кальцита // 2194806

Изобретение относится к способам получения оптического кальцита (исландского шпата)

Способ приготовления раствор-расплава для выращивания монокристаллов -bab2o4 // 2195520

Изобретение относится к области получения монокристаллов, в частности к способу получения раствор-расплавов для выращивания монокристаллов -ВаВ2О4 (ВВО) во флюсе

Способ и устройство для выращивания кристаллов // 2198968

Изобретение относится к выращиванию искусственных кристаллов (ZnO, SiO2, СаСО3, Al2О3)

Кремнегерманиевый кристалл // 2206643

Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 2209260

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов, предназначенных для создании приборов и устройств обработки и передачи информации

Подложка для выращивания эпитаксиальных пленок и слоев нитрида галлия // 2209861

Изобретение относится к электронной технике, конкретно к технологии материалов для создания устройств отображения и обработки информации

Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов sic-aln // 2260636

Изобретение относится к области технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов

Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия // 2267565

Изобретение относится к получению монокристаллических материалов и пленок и может использоваться в технологии полупроводниковых материалов для изготовления солнечных элементов, интегральных схем, твердотельных СВЧ-приборов