Источник постоянного магнитного поля для многокристалльного накопителя информации

Авторы патента:

ИСТОЧНИК ПОСТОЯННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ МНОГОКРИСТАЛЛЬНОГО НАКОПИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ, содержащий корпус из магнитомягкого материала, на внутренних противоположных -поверхностях которого установлены пары намагниченных в одном направленю плас тин магнитотвердого материала с полюсными наконечниками, о т л и ч а rant и и с я тем, что, с целью повышения его технологичности, пластины магнитотвердого материала на каждой поверхности намагничены в направлег НИИ, противоположном направлению намагниченности смежной пары пластин.

СОО3 СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСГИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК зсю С 11 С 11 14 (21) 3638033/24-24 ,(22) 26.08.83 (46) 07-11.84. Бюл. В 41. (72) Б.А. Базаров и В.С.Щербакова (53) 681.327(088.8) (56) 1. Патент США У 4164790, кл. G Ц С 19/08, опублик. 1978.

2. Заявка Франции В 2479533,,кл. G 11 С 11/14, опублик. 1978 (прототип).,.SUÄÄ 1123058 А (54)(57) ИСТОЧНИК ПОСТОЯННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ ДЛЯ МНОГОКРИСТАЛЛЬНОГО НАКОПИТЕЛЯ ИНФОРИАЦИИ, содержащий корпус из магнитомягкого материала, на внутренних противоположных поверхностях которого установлены пары намагниченных в одном направлензна пластин магнитотвердого материала с полюсными наконечниками, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повыюения его технологичности, пластины магнитотвердого материала на каждой поверхности намагничены в направле". нии, противоположном направлению намагниченности смежной пары пластин.

Ф 1123058 2

Изобретение относится к вычисли- ного поля для многокрнсталльного нательной технике и может быть исполь- ..копнтеля.информации, содержащем корзовано в устройствах хранения диск- пус иэ магнитомягкого материала, на ретной информации на цилиндрическйХ внутренних противоположных поверхносмагнитных доменах (ЦМД). тях которого установлены пары намагИэвестен многокристалльный модуль ниченных в одном направлении пластин накопителя на ЦМД, содержащий корпус магнитотвердого материала с полюсныиэ магнитомягкого материала, в кото- ми наконечниками, пластины магнитором размещены магнитная система сме" твердого материала на каждой поверхщения в s e пары пластин из магнито- 10 ности намагничены в направлении, твердого материала с полюсными вако- противоположном направлению намагнинечниками, две взаимно ортогональные ченности смежной пары пластин. катушки для создания вращающегося На чертеже нокаэан предлагаемый магнитного поля, внутри которых на источник магнитного поля. коммутационной плате установлены до- 1> Он содержит корпус 1, пластины 2 менсодержащие кристаллы 1.113. магнитотвердого материала с полюсныНедостатком этого модуля является ми наконечниками 3, которые могут большая потребляемая мощность. быть как плоскими, так и клинообразНайболее близким по технической ными. сущности к изобретению является уст- Устройство работает следующим об20 ройство, содержащее корпус из магии- разом. томягкого материала, к верхней и ниж- В. устройстве создается ряд контуней стенкам которого прикреплены ров замыкания магнитного потока, пластины из магнитотвердого матерна-. число которых равно числу секций мнола с полюснымн наконечниками, между. 5 гаполюсной магнитной системы. Веледкоторыми установлены взаимно ортого- ствие тога, что магнитный поток че-. нальные катушки создания вращающего- рез стенки корпуса, служащие замыкася магнитного поля, причем имеется телями, разделяется на несколько понесколько внутренних и одна общая токов, обеспечивается возможность внешняя катушки, а кристаллы размеще- уменьшения толщины стенок корпуса ны во внутренних катушках попарно модуля в количество раз, равное чнстак, что их рабочие поверхности об- лу секций многополюсной системы. Так ращены друг к другу L2 ). как внутреннее размагничнвающее поле

Недостатком известного устройства отдельных секций меньше по сравнеявляется низкая технологичность,, нию с магнитной системой обычного обусловленная большой материалоея- 5 типа, необходимая индукция в рабочем костью устройства. зазоре может быть создана меньшими

Целью изобретения является повы- по толщине магнитами. шение технологичности источника по- В сравнении с известным изобретестоянного магнитного поля многокрис- ние позволяет повысить технологичталльного накопителя информации.

40 ность источника постоянного магнитПоставленная цель достигается тем, ного поля за счет уменьшения толщины что в источнике постоянного магнит- корпуса и постоянных магнитов.

Составитель В.Костин

Редактор Н.Пушненкова Техред Т.Фанта Корректор М.Леонтюк

Заказ 8147/41 Тираж 574 Подпис ное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ПНП "Патент", г.Ужгород, ул. Проектная, 4

Источник постоянного магнитного поля для многокристалльного накопителя информации

Накопитель информации // 1119079

Блок формирования тока продвижения для доменной памяти // 1119078

Устройство для измерения напряженности поля анизотропии феррит-гранатовых пленок // 1117711

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов // 1117710

Способ изготовления носителя информации с полосовыми и магнитными доменами // 1116460

Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов // 1112408

Способ формирования разделительного слоя со сглаженным рельефом поверхности на основе органического полимера в доменосодержащих кристаллах // 1112407

Блок формирования тактирующих сигналов для доменного запоминающего устройства // 1109803

Устройство для измерения напряженности поля коллапса цилиндрических и полосовых магнитных доменов // 1109802

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)