Способ определения типа дислокаций в монокристаллах
Изобретение относится к способам определения типа дислокаций в монокристаллах и может быть использовано для исследования кристаллов со структурой сфалерита. Цель изобретения - повьшение информативности . Для достижения поставленной цели исследуемый образец облучают сканирующим пучком электронов. Индуцированный ток визуализируют на экране осциллографа в зависимости от текущей координаты пучка на поверхности образца. Так как винтовые ai - и ., а /3-дислокации обладают различной электрической активностью в кристаллах со структурой , то это : позволяет по величине диаметра изображения , полученного на осциллографе , установить тип дислокации. 1 ил. (Л
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (19) (11) (S1).4 G 01 N 23/225
ggt; — Р< ".." 1 g
13 „
ЫЖЛ:.Р
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3898209/24-2 5 (22) 17.05.85 (46) 30;09.86. Бюл. В 36 (71) Киевский ордена Ленина, ордена р Октябрьской Революции государственный университет им. Т.Г. Шевченко (72) А.С.. Драненко и Н.Н. Новиков (53) 621. 386(088. 8) (56) Осипьян Ю.А. и др. Эксперимен- . . тальное исследование подвижности дислокаций в IaSb ФТТ, т. 11, Р 4, с. 944, 1969.
Петрусевич P.Ë.и др.Выявление (и(эI дислокаций в монокристаллах GaAs. . Кристаллография, 1964, т. 9, 1(5, с. 722-726.
Амелинкс С. Методы прямого наблюдения дислокаций; M. Мир, 1968, с .. 108-116. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТИПА ДИСЛОКАЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛАХ (57) Изобретение относится к способам определения типа дислокаций в монокристаллах и может быть использовано для исследования кристаллов со структурой сфалерита. Цель изобретения — повышение информативности. Для достижения поставленной цели исследуемый образец облучают сканирующим пучком электронов. Индуцированный ток визуализируют на экране осциллографа в зависимости от текущей координаты пучка на поверхности образца. Так как винтовые Ы вЂ” и
Р-дислокации обладают различной электрической активностью в кристаллах со структурой сфалерита, то это: позволяет по величине диаметра изображения, полученного на осциллографе, установить тип дислокации. 1 ил.
1260785
Изобретение относится. к физическим методам исследования материалов, I в частности к способам изучения реальной структуры кристаллов.
Цель изобретения — повышение информативности способа при исследовании дефектов в кристаллах со структурой сфалерита.
На чертеже представлена схематически блок-схема устройства, позволяющего реализовать предложенный способ.
Способ основан на различной электрической активности винтовых, М вЂ” и
Р-дислокаций в кристаллах со структурой сфалерита, а именно на различии диаметров области пространственного заряда вокруг ядра дислокации, Оно может. быть реализовано на растровом электронном микроскопе и содержит источник электронов 1, блок развертки 2, усилитель 3, регистрирующее устройство 4, вакуумную колонну 5, держатель образца 6 °
Определение типа дислокаций в кристаллах со структурой сфалерита проводят с помощью метода тока, индуцированного электронным зондом. Спбсоб заключается в следующем. Сканирующим электронным лучом 1 облучают монокристалл 6, в котором при этом генерируются электронно-дырочные пары, создающие ток. Полученный сигнал подается на операционный усилитель 3, после чего регистрируется, например, на осциллоскопе. На усилитель 3 подается ток неравновесных носителей заряда, разделенных полем барьерной структуры, существующей вокруг ядра дислокаций.
В качестве примера может служить определение типа дислокаций в образцах GaAs < Сг кристаллы которых имеют структуру сфалерита с-преднамеренно введенными винтовыми oC-, Р-дислокациями. Методика введения винтовых 4,- Р -дислокаций включала нанесение царапины на грань крисформула изобретения
Способ определения типа дислокаций в монокристаллах, включающий облучение объекта пучком электронов и получение изображения структуры объекта, отличающийся тем, что, с целью повышения информативности способа при исследовании дефектов в кристаллах со структурой сфалерита, сканируют лучом поверхность монокристалла, визуализируют индуцированный ток в зависимости от текущей координаты пучка поверхности объекта, получая изображение структуры, и устанавливают тип дислокаций по величине диаметра их изображения °
45 талла подходящей ориентации и удаление зоны сильных нарушений структуры посредством травления. Измерения осуществляют на растровом электрол5 ном микроскопе-микроанализаторе
"Camebax" при ускоряющем напряжении
20 кВ, и токе пучка около 10 А. На осциллограммах, полученных при сканировании электронным пучком поверх10 ности монокристалла, наблюдают светящиеся точки, соответствующие вннтовым М - и Р -дислокациям. Диаметр светящихся точек, соответствующих местам выхода дислокаций на поверхt5 ность монокристалла, равен для
Ы-дислокаций — (3,8+0,5), для =дислокаций (2,2+0,5), для винтовых дислокаций-(1,4+0,5) мкм. Полученные значения усреднены не менее, 20 чем по 100 точкам.
Использование предлагаемого спо" соба определения типа. дислокаций в кристаллах со структурой сфалерита обеспечивает выявление и разли25 чие винтовых Ы -, P -дислокаций, возможность исследования их эволюции, а также проведение контроля структурного совершенства материала в процессе производства полупроводЗб никовых приборов.
1260785
Составитель Е.Сидохин
Техред М.Ходанич
Редактор И.Сегляник
Корректор Л.Пилипенко
Заказ 5220/41
Тираж 778 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113935, Москва, Ж-ÇS, Раушская наб., д. 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул.Проектная
