Способ подготовки образцов для локального анализа следов элементов

 

Способ подготовки образцов для локального анализа следов элементов, находящихся в перенасыщенных твердых растворах с ограниченной растворимостью, включающий выделение преципитатов, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра примесей, содержащихся в преципитатах в концентрации, превышающей пороговую чувствительность M используемой методики локального анализа, образцы отжигают после выделения преципитатов при температуре интенсивного распада твердого раствора (0,4 - 0,7) Tпл в течение времени от tмин до 10tмин, где ; D(T) и Vа - коэффициент диффузии и объем атома заданной примеси; Tпл - температура плавления чистого растворителя; N(T) - пересыщение твердого раствора при температуре отжига T.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области локального рентгеноспектральногр анализа образцов в электронном микроскопе с микроанализатором

Изобретение относится к способам определения типа дислокаций в монокристаллах и может быть использовано для исследования кристаллов со структурой сфалерита

Изобретение относится к анализу элементного состава с помощью электронно-зондового микроанализа

Изобретение относится к област измерительной техники, в частности к способам получения изображения микроструктуры Поверхности диэлектриков с нанесенным проводящим покр тием и может быть использовано, нап ример, при .производстве и совершенствовании растровых электронных микроскопов

Изобретение относится к области исследований и анализа материалов путем определения их физических свойств, а именно для исследования параметров каналов нанометрических размеров в трековых мембранах, и может быть использовано при изготовлении объектов из трековых мембран для анализа с помощью просвечивающей электронной микроскопии

Изобретение относится к области инструментального химического анализа, в частности к области аналитической химии

Изобретение относится к физическим методам анализа состава и структуры вещества, а именно к применению метода вторично-ионной масс-спектрометрии для анализа структурно-энергетического состояния поверхностного слоя вещества, и может быть использовано в структурообразовании и повышении износостойкости новых материалов при изготовлении деталей ответственного назначения

Изобретение относится к области формирования в цифровом виде трехмерного изображения реального физического объекта, а именно к формированию топографического изображения объекта, исследуемого методами сканирующей микроскопии

Изобретение относится к области электронного приборостроения, а более конкретно - к конструкции детекторов электронов, и может найти преимущественное использование в электронных микроскопах

Изобретение относится к медицине, биологии и ветеринарии,точнее к морфологии, предназначенной для исследования в световом микроскопе замороженных срезов органов и тканей человека и животных

Изобретение относится к испытаниям материалов и конструкций на прочность , а именно к анализу процессов разрушения объектрв, содержащих трещины

Изобретение относится к области исследования материалов с помощью радиационных методов и может быть использовано для получения изображения доменносодержащих материалов
Наверх