Переключатель цилиндрических магнитных доменов

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦВД). Целью изобретения является снижение энергопотребления и повышение надежности переключателя ЦМД. Он содержит два канала продвижения ЦВД и токовую шину с вырезами , причем края вырезов совпадают с границей неимплантированных смежных вьшуклых фигур каналов продвижения ЩЩ. Отсутствие пересечения краев с токовой шины с границами неимплантированных фигур каналов продвижения С/ расширяет область устойчивой работы каналов и повышает надежность рабос . ты переключателя. Большая ширина токовой шины уменьшает ее сопротивление и снижает энергопотребление. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (бц 4: С 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ,I i3

К ABTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ г

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPblTHA (21) 3863758/24-24 (22) 04.03.85 (46) 07. 12.86 Бюл. 9 45 (72) И.В.Андреев и Ю.К.Миляев (53) 681 ° 327.6(088.8) (56) Lin Y.S, et al. Self-alignet contiguons-disk chip using I рш bubble

and charged-wall functions. - IEEE

Trans. Magn., 1979, ч. MAG-15, И 6, р. 1642.

Nelson Т. J. e tal . Design of bubble device elements employing ion.1 о

implanted propagation patterns.

Ве11 Syst. Tech. J. 1980, v. 59. .У 2, р. 229.

„„S0„„275539 A 1 (54) ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является снижение энергопотребления и повышение надежности переключателя ЦМД. Он содержит два канала продвижения ЦЩ и токовую шину с вырезами, причем края вырезов совпадают с границей неимплантированных смежных выпуклых фигур каналов продвижения

ЦМД. Отсутствие пересечения краев токовой шины с границами неимплантированных фигур каналов продвижения расширяет область устойчивой работы каналов и повышает надежность работы переключателя. Большая ширина токовой шины уменьшает ее сопротивление и снижает энергопотребление. 1ил.

1275539

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении доменных логических и запоминающих устройств.

Цель изобретения вЂ” снижение энергопотребления и повышение надежности переключателя цилиндрических магйитных доменов (ЦМЦ)На чертеже представлена конструкция переключателя ЦМД.

Переключатель ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМЦ 2, на поверхности которой сформирована токовая шина 3, первый 4 и второй 5 каналы продвижения ЦМД, представляющие собой последовательно расположенные смежные неимплантированные области 6.

Токовая шина 3 соединена с импульс-, ным источником 7 тока, содержит вырезы 8, края которых совпадают с границей последовательно расположенных смежных неимплантированных областей 6 первого канала 4 продвижения ,ЦМД, и вырезы 9, края которых совпа" дают с границей последовательно расположенных смежных неимплантированных областей 6 второго канала 5 продвижения ЦМД. Пленка 1 находится в параллельно ее плоскости вращающемся магнитном поле источника 10. МиниI мальная ширина токовой шины 3 равна восьми диаметрам Цф(,и ограничена возрастанием вероятности сбоя эа счет растяжения ЦМД вдоль края токовой шины 3 между соседними каналами 5 продвижения ЦМД. Максимальная ширина токовой шины 3 ограничивается лишь длиндй каналов 5 продвижения ЦЬЩ.

Переключатель ЦМД работает следующим образом.

Импульс тока источника 7 подается в токовую шину 3, когда фаза магнитного поля источника 10 составляет

180 . В этот момент времени ЦМД 2 .находится в положении А у границы неимплантированных областей 6 первого канала 4 продвижения ЦМД. Наибольшая плотность тока в шине 3 локали2 зуется между вырезами 8 и 9. Под воздействием магнитного поля токовой шины 3 1ЩЦ 2 переносится в положение В к границе неимплантированных облас5 тей 6 второго канала 5 продвижения

ЦМД и удерживается там. Импульс тока источника 7 заканчивается при фа- зе магнитного поля источника 10, равной 360 . К этому моменту в месте

10 расположения ЦМЦ формируется под воздеиствием магнитного поля источника 10 потенциальная энергетическая яма. После снятия тока в шине 3 домен 2 продолжает перемещение вдоль границы неимплантированных областей 6 второго канала 5. Амплитуда импульсов тока источника 7 зависит от физических и конструктивных параметров устройства и для ЦМД диамет20 ром 1 мкм составляет 40 вЂ” 60 мА. формула изобретения

Переключатель цилиндрических

2 магнитных доменов, содержащий магнитоодноосную пленку, на поверхности которой расположены первый и второй каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов из последовательно

З1 расположенных смежных неимплантиро-» ванных областей и токовая шина, соединенная с импульсным источником тока и выполненная с вырезами в местах расположения смежных неимпланти35 рованных областей первого и второго каналов продвижения цилиндрических магнитных доменов, причем края вырезов магнитосвязаны со смежными неимплантированными областями кана4О лов продвижения цилиндрических магнитных доменов, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью снижения энергопотребления и повышения надежности переключателя цилиндрических

4 магнитных доменов, в нем края вырезов токовой шины совмещены с границами смежных неимплантированных областей, причем ширина токовой ши" ны составляет более восьми диаметров

5О цилиндрических магнитных доменов.

1275539

Составитель Г.Аникеев

Редактор И.Дербак Техред Л.Олейник Корректор И.Муска

Заказ 6569/46 Тираж 543 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 с

Производственно-полиграфическое предприятие, r . Óæãoðoä, ул. Проектная, 4

Переключатель цилиндрических магнитных доменов

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации,Целью изобретения является повышение отказоустойчивости накопителя для запо

Устройство встроенного функционального контроля для доменной памяти // 1275537

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть 1спользовано при построении запоми1ающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Устройство управления буферным накопителем для доменной памяти // 1275536

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть 63У пользовано при построении запоминаюпщх устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Сумматор // 1275428

Изобретение относится к области вычислительной техники, может быть использовано при построении интегральных операционных устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах // 1273999

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЩЩ)

Канал для продвижения полосовых магнитных доменов // 1273998

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (№Щ)

Запоминающая матрица // 1273997

Изобретение относится к вычи лительной технике и может быть ис пользовано при построении запоминающих устройств с произвольной выборкой

Устройство для контроля блоков памяти // 1270799

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для контроля ЗУ на интегральной и дискретной основе (полупроводниковых ЗУ, ферритовых ЗУ, ЩЦ ЗУ и др.)

Способ записи информации на многоосный магнитный носитель с полосовыми магнитными доменами // 1269207

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для построения устройства хранения и обработки информации на магнитных носителях с полосовыми магнитными доменами

Устройство управления для доменной памяти // 1265856

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к устройствам управления для памяти, и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) для обхода дефектных и .избыточных информационных регистров при параллельной работе нескольких накопителей с ЦМД при записи и считьшании данных

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)