Способ наблюдения цмд-структур

 

Изобретение относится к области исследования материалов с помощью радиационных методов и может быть использовано для получения изображения доменносодержащих материалов. Цель - повьшение достоверности получаемого изображения. В качестве поля смещения используют поле формирующей линзы, а фокусировку потока заряженных частиц осуществляют путем изменения амплитуды возбуждения поля конденсорной лин- Зы. Это позволяет устранить артефакты , связанные с размытием зондирующего потока, полем смещения, несоосно расположенным с фокусирующими полями линз. S (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН .

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ч.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 4084142/31-25 (22) 16.04. 86 (46) 15.05.88. Бюл. Р 18 (7)) Московский институт электронного, машиностроения (72) В.В.Рыбалко (53) 543.53:621.385.833 (088.8) (56) Кадыкова Г.Н. и др. Исследование влияния отжига на дефекты структуры в ионно-имплантированных. гранатовых пленках. — Электронная обработка материалов, 1985, Р 1, с. 29-31.

Тихонов A.Н. и др. Исследование эффективности ионной имплантации феррит-.гранатовых пленок. — Микроэлектроника, Т. 14, 1985, 11 3, с. 252-261.

„„SU„„1396025 А 1 (51) 4 G 01 N 23/225,Н 01 J 37/26 (54) СПОСОБ НАБЛЮДЕНИЯ ЦИД-СТРУКТУР (57) Изобретение относится к области исследования материалов с помощью радиационных методов и может бьггь использовано для получения иэображения доменносодержащих материалов. Цель повышение достоверности получаемого изображения. В качестве поля смещения используют поле формирующей линзы, а фокусировку потока заряженных частиц осуществляют путем изменения амплитуды возбуждения поля конденсорной лин зы. Это позволяет устранить артефакты, связанные с размытием зондирующего потока полем смещения, несоосно расположенным с фокусирующими полями линз.

1396025

Изобретение относится к исследова.— нию материалов с помощью радиационных методов и может бь|ть использовано для получения изображения доменносодержа- 5 щих материалов.

Цель изобретения — повышение достоверности получаемого иэображения.

Для наблюдения ЦМД-структур необходимо для их генерации создание маг-10

Нитного поля смецения, причем амплитуда этого поля должна быть регулируема для того, чтобы реализовывалась

Возможность измерения характеристик

11ИД-поле эллиптической неустойчивое- 15 ти, поле коллапса и др. Использование

Поля формируюцей линзы позволяет исКлючить вредное с точки зрения формирования изображения влияние дополнительного магнитного поля смещения. 20

Наличие такого дополнительного поля

Приводит к тому, что суммарное поле и линзы имеют смещенную ось симметрии, следовательно начинают проявляться аберрационные характеристики, 25 такие как кома, дисторсия, астигматизм, которые приводят к искажению формы сфокусированного пучка, а также траектории его перемещения по полю растра. Все это в совокупности 3р снижает достоверность наблюдения. Эти паразитные явления исчезают в том, случае, если объект помещать в поле формирующей линзы. Тогда осевая симметрия поля не нарушается и дополнительных искажений траектории движения заряженных частиц не будет. Регулировка амплитуды поля смещения в этом случае может осуществляться двумя путямн. Во-первых, удалении объектодер-40 жателя от,главной плоскости формирующей линзы амплитуда поля линзы уменьшается, и, следовательно, при перемещении объекта в этом направлении амплитуда поля смещения будет 45 снижаться. Для повышения амплитуды; поля смещения объектодержателя вместе с объектом необходимо перемещать в обратном направлении. При этом существенным является перемещение объек:— та в направлении, параллельном оси симметрии формирующей линзы. В противном случае будет возникать погрешность регулировки амплитуды поля смещения из-за наличия как осевого, так и радиального градиентов поля линзы„

Таким образом, перемещение объектодержателя на параллельно указанной оси приведет во-первых к погрешности регулировки поля смещения, и, следовательно, к. неадекватному изменению параметров ЦИД-структуры и изображения, а во-вторых — к перемещению иэображения на проекционном экране, и, следовательно, к его изменению.

Оба эти обстоятельства снижают достоверность наблюдения. Второй вариант регулировки амплитуды поля смещения заключается в изменении тока возбуждения формирующей линзы, амплитуда поля которой изменяется пропорционально току возбуждения.

Для того, чтобы условия фокусировки потока заряженных частиц не изменялись при регулировке поля смещения операция совмещения плоскости фокусировки с плоскостью объектодержателя осуществляется путем изменения амплитуды возбуждения поля конденсорной линзы. В этом случае реализуется независимая регулировка фокусного расстояния и амплитуды поля смещения, что также повышает достоверность наблюдения Ц1Д-структуры, так как выполнение одной из этих операций не вносит искажений в параметры другой.

Пример. ЦМД-структуру помещают в объектодержатель растрового электронного микроскопа и располагают вблизи нижнего плоского наконечника формирующей линзы. При соотношении диаметров верхнего В = 30 мм, нижнего 0 = 20 мм полосных наконечников, ширине магнитного зазора S == 4 мм, амплитуда осевого распределения индукции поля уменьшается, при удалении образца от главной плоскости линзы, при удалении образца от главной плоскости линзы, пропорционально ехр(Х/А), где Х вЂ” расстояние между главной плоскостью линзы и плоскостью объекта; А — константа, определяемая материалом магнитопровода линзы и степенью его насыщения. При максимальном значении осевого поля В „,== 0,2 Тл формируемого линзой с магнитопроводом из сплава 79 НИ, для создания поля смещения В „ = 0,01 Тл, плоскость объекта размещают на расстоянии 22 мм от главной плоскости линзы. Далее, регулируя ток последней конденсорной линзы, совмещают плоскость изображения объективной линзы с плоскостью объекта, формируют на поверхности последнего растр, регистрируют иншормационное излучение, преобразуют его в

1396025

Составитель К. Кононов

Техред .М.Дидык.:

Корректор Г.Рещетник

Редактор,Ю.Середа

Тираж 847

Подписное

Заказ 2438/44

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 видеосигнал и подают на модулятор кинескопа. Для уменьшения амплитуды IIo ля до значения О, 008 Тл, рабочий отрезок формирующей линзы увеличивают до 42 мм. При этом для совмещения плоскости иэображения формирующей электронный зонд системы с плоскостью объекта увеличивают амплитуду возбуждения конденсорной линзы, 10

Таким образом, предлагаемый. способ позволяет устранить артефакты, связанные с размытием зондирующего потока полем смещения, несоосно расположенным с фокусируюцими полями линз.

Совмещение функций фокусировки зонда и генерации ЦМД-структур в поле формирующей линзы позволяет повысить разрешение формируемого изображения, и, следовательно, повысить достоверность получаемых изображений ЦМДструктур. Формула изобретения

Способ наблюдения ЦМД-структур, заключающийся в установке исследуемой структуры в объектодержатель, создании у поверхности структуры. магнитного поля смещения, регулировании потока заряженных частиц с помощью конденсорной и формирующей линзы, сканировании этим потоком исследуемой структуры, регистрации информационного сигнала и *ормировании на его основе изображения исследуемой структуры, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности получаемого изображения, в качестве поля смещения используют поле формирукцбй линзы, регулирование амплитуды поля смещения осуществляют путем перемещения объектодержателя в направлении, параллельном оси симметрии формирующей линзы илн путем изменения амплитуды возбуждения формирующей линзы и производят совмещение плоскости изображения формирующей линзы с плоскостью объектодержателя путем изменения амплитуды возбуждения конденсорной линзы.

Способ наблюдения цмд-структур Способ наблюдения цмд-структур Способ наблюдения цмд-структур 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электронной микроскопии и может быть использовано для исследования магнитных полей на магнитных лентах.Цель - расширение функциональных возможностей способа электронно-микроскопического анализа намагниченности магнитной ленты за счет визуализации изображения магнитной сигналограммы, записанной на магнитной ленте

Изобретение относится к области микрозондовой техники и является усовершенствованием известного способа юстировки электромагнитной зондофор

Изобретение относится к области электронно-микроскопического приборостроения и может быть использовано для прецизионного перемещения образца

Изобретение относится к растровой электронной микроскопии

Изобретение относится к области исследования физических и химических свойств веществ, в частности к технике препарирования объектов, и может быть использовано в просвечивающей электронной микроскопии при исследовании гигроскопических образцов

Изобретение относится к электронно-оптическому приборостроению

Изобретение относится к электрозондовым устройствам для наблюдения и регистрации изображения, в частности к электронным микроскопам просвечиваемого типа

Изобретение относится к электронной микроскопии и может быть исрользовано йрй разработке стробо4-4i---4f скопических электронных микроскопов для исследования быстропротекающих процессов в твердом теле

Изобретение относится к области микроскопии и может быть использовано для анализа проводящих микрообъектов

Изобретение относится к испытаниям материалов и конструкций на прочность , а именно к анализу процессов разрушения объектрв, содержащих трещины

Изобретение относится к медицине, биологии и ветеринарии,точнее к морфологии, предназначенной для исследования в световом микроскопе замороженных срезов органов и тканей человека и животных

Изобретение относится к области локального рентгеноспектральногр анализа образцов в электронном микроскопе с микроанализатором

Изобретение относится к способам определения типа дислокаций в монокристаллах и может быть использовано для исследования кристаллов со структурой сфалерита

Изобретение относится к анализу элементного состава с помощью электронно-зондового микроанализа

Изобретение относится к област измерительной техники, в частности к способам получения изображения микроструктуры Поверхности диэлектриков с нанесенным проводящим покр тием и может быть использовано, нап ример, при .производстве и совершенствовании растровых электронных микроскопов

Изобретение относится к области исследований и анализа материалов путем определения их физических свойств, а именно для исследования параметров каналов нанометрических размеров в трековых мембранах, и может быть использовано при изготовлении объектов из трековых мембран для анализа с помощью просвечивающей электронной микроскопии
Наверх