Фотоинжекционный элемент электрофотографического носителя изображения и способ его получения

 

Изобретение относится к способам получения фотоинжекционного элемента. На равномерно движущуюся подложку с электропроводящим слоем напыляют слой чистого селена, а затем слой селена с примесью теллура переменной концентрации. Для формирования слоя чистого селена часть зоны напыления экранируют от молекулярного потока теллура. Толщина слоя с переменной концентрацией теллура составляет 0,1-1,0 мкм. Концентрация теллура в этом слое растет по толщине от 1,0 до 30 ат.%. Селен и теллур транспортируют в зоны напыления раздельно или в смеси справа . 2 з.п. ф-лы.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (51)4 С 03 G 5/08

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ H306PETEHH)„" ::::-:::::::::::::::: - м,|1

Н ABTOPCKOMV CBNPETEllbCTBV

Е э

1 э-.л (21) 4177918/31-12 (22) 07.01.87 (46) 15.05.89. Бюл. 6 18 (71) Институт химии нефти СО АН СССР (72) Э.Ф. Ряннель

° (53) 772.93(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

N- 995058, кл, G 03 G 5/08 1983. ! (54) ФОТОИНЖЕКЦИОННЬ Й ЭЛЕМЕНТ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОГО НОСИТЕЛЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ (57) Изобретение относится к способам получения фотоинжекционного эле1

Изобретение относится к электрофотографии, в частности к технологии получения светочувствительных слоев, и может быть использовано в технологии полупроводниковых приборов, Цель изобретения — повышение чувствительности фотоинжекционного элемента.

Фотоинжекционный элемент электрофотографического носителя получают путем вакуумного напыления на движущуюся подложку с электропроводящим слоем селена и теллура с изменением концентрации теллура по толщине, причем часть зоны напыленйя экранируют от молекулярного потока теллура для формирования слоя чистого селена толщиной 0,05-0, 10 мкм, поверх которого наносят слой селена с увеличивающейся по толщине от 1 до 30 мас.% концентрацией примеси теллура.

Посредством экранирования часть зоны напыления затеняют от молекулярÄÄSUÄÄ 1479912 А1 мента. На равномерно движущуюся подложку с электропроводящим слоем напьляют слой чистого селена, а затем слой селена с примесью теллура переменной концентрации. Для формирования слоя чистого селена часть зоны напыления экранируют от молекулярного потока теллура. Толщина слоя с переменной концентрацией теллура составляет О, 1-1,0 мкм. Концентрация теллура в этом слое растет по толщине от 1,0 до 30 ат.%. Селен и теллур транспортируют в зоны напыления раздельно или в смеси сплава. 2 з.п.ф-лы.

2 ного потока теллура. При перемещении подложки от края эоны до экрана на ней конденсируется слой селена без примеси теллура. В момент прохождения подложкой экрана концентрация теллура скачком возрастает до начальной величины 1-4 ат,% и далее непрерывно увеличивается до 30 ат.%. по мере перемещения подложки через зону конденсации с увеличением толщины слоя.

Физическая сущность способа эаклю !

/. чается в создании на границе между слоем чистого селена и слоем селена с примесью теллура скачка потенциала (энергетического барьера) для дырок генерируемых с примесью теллура препятствукицего рекомбинации дырок на поверхностных состояниях контакта металл-полупроводник . Тем самым увеличивается эффективный квантовый вы1 ход фотогенерации носителей заряда

1479912 и светочувствительность фотоинжекционного элемента.

Способ осуществляется следующим образом..

Пример 1. На подложку с электропроводящим слоем наносят слой чистого селена толщиной О, 1 мкм и .поверх него слой Se с примесью теллура с увеличивающейся по толщине от

4 до 30 ат. концентрацией теллура толщиной 0,2 мкм в процессе равномерного перемещения подложки через зону напыления. Поверх полученного фотоинжекционного элемента наносят фотопроводниковый слой, содержащий 60 мас.

N N-дифенилгидразона N-диэтиламинобензальдегида и 40 мас. поликарбоната толщиной 10 мкм.

Пример 2. Изготавливают фотоинжекционный элемент по примеру 1, но концентрацию теллура в слое селена изменяют от 1 до 30 ат, .

Пример 3. Изготавливают фотоинжекционный элемент по примеру 1,25 но концентрацию теллура в слое селена изменяют от 1 до 20 ат. .

Пример 4. Изготавливают фотоинжекционный элемент по примеру 1, но слой чистого селена и селена с примесью теллура напыпяют раздельно в два этапа. Сначала напыляют слой селена.

Затем образец вынимают из вакуума, вновь устанавливают в напылительное устройство и напыляют слой селена с примесью теллура.

Пример 5 (прототип) .

Пример ы 6-10. Изготавливают фотоинжекционный элемент по примеРУ .1, но толщину слоя селена с пе- 40 ременной концентрацией теллура варьируют от 0,06 мкм (пример 6) до

0,1 мкм (пример 7), 0,3 мкм (пример 8), 0,5 мкм (пример 9), 1,0 мкм (пример 10) .

Светочувствительность полученных по примерам 10-10 фотоинжекционных элемвнтов оценивают по критерию полуспада поверхностного потенциала при экспонировании монохроматическим

50 светом: — (F 0$ где К вЂ” освещенность, Вт/м ;

tîë время полуспада, с.

Результаты испытаний приведены в таблице.

Наиболее целесообразна толщина слоя селена 0,01»0,1 мкм. Этот диапазон толщин обеспечивает отсутствие туннелирования носителей заряда сквозь слой и тем самым достижение положительного эффекта, приемлем и с точки зрения обеспечения механической прочности и расхода веществ. формула и з о б р е т е н и я

1. Фотоинжекционный элемент электрофотографического носителя изображения, содержащий подложку, электропроводя» щий слой и слой селена с примесью теллура с переменной концентрацией теллура, отличающийся тем, что, с целью повьппения светочувствительности, он дополнительно имеет слой селена, расположенный между электропроводящим слоем и слоем селена с примесью теллура переменной концентрации, при этом толщина слоя с переменной концентрацией теллура составляет О, 1-1,0 мкм, а концентрация теллура в ней растет по толщине от 1,0 до 30 ат. ..

2. Способ получения фотоинжекционного элемента электрофотографического носителя изображения, включающий вакуумное напыление селена и теллура из пространственных разнесенных зон испарения на равномерно движущуюся подложку с электропроводящим слоем в направлении от зоны испарения селена к зоне испарения теллура, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повьппения светочувствительности элемента путем формирования слоя из чистого селена, часть зоны напыления экранируют от молекулярйого потока теллура, а на участки подложки движущихся вне зоны экранирования напыляют слой селена с примесью теллура.

3. Способ по п. 2, о т л и ч аю шийся тем, что селен и теллур транспортируют в зоны испарения раздельно или в смеси сплава.

1479912 ельность, м /Дж, на нм

При- Содержание мер от 7. на кон такте н

00 650 700 800

Se с ФП

500 450 300 200 100 30

500 400 250 180 80 25

500 420 200 120 60 20

250 200 130 80 50 16

30 0,2

30 0,2

20 0,2

30 0,2

400

2 1

3 1

4 4

5 (прототип) 0

6 4

7 4

8 4

9 4

10** 4

400

200 180

300 250

500 450

500 450

500 450

500 450

20 0,2

30 0,06

30 0,1

30 0,3

30 0,5

30 1,0

120 70 40 15

50 10 3

250 100 60 20

300 200 100 30

250 200 100 30

250 200 100 30

**

При толщине 1,0 мкм и более слой становится технически непрочным - не допускает многократных изгибов из-за появления трещин

Составитель В. Аксенов

Редактор А. Ревин Техред М,Ходанич Корректор Л. Патай

Заказ 2541/45 Тираж 412 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета.по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР i!3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно †издательск комбинат "Патент", r.Óæãîðîä, ул. Гагарина,!01