Способ определения спектральной характеристики чувствительности твердотельной фоточувствительной схемы
Способ определения спектральной характеристики чувствительности твердотельной фоточувствительной схемы, включающий измерение отклика схемы на облучение ее фоточувствительной области излучением с различными длинами волн, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения спектральной характеристики чувствительности схемы как в процессе изготовления, так и после него, в качестве отклика используют спектр отражения фоточувствительной области исследуемой схемы или тестовой полупроводниковой пластины, созданной в едином технологическом процессе с исследуемой схемой при формировании ее фоточувствительной области, дополнительно измеряют спектр отражения фоточувствительной области и спектральную характеристику чувствительности контрольной схемы, причем облучают контрольную и исследуемую схемы одним и тем же излучением, а спектральную характеристику чувствительности исследуемой схемы вычисляют по формуле 
где S
- спектральная характеристика чувствительности исследуемой схемы; 
- коэффициент отражения фоточувствительной области исследуемой схемы; Sк - спектральная характеристика чувствительности контрольной схемы; к - коэффициент отражения фоточувствительной области контрольной схемы.
Похожие патенты:
Изобретение относится к измерительной технике
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля электрической однородности поверхности полупроводников и диэлектриков
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повьппение достоверности контроля качества проработки линий субмикронной ширины
Изобретение относится к микроскопическим методам измерений и может быть использовано в полупроводниковой микроэлектронике для контроля тонкопленочных структур
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для неразрушающего контроля полупроводниковых материалов
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем
Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
