Шихта для получения феррит-гранатовой магнитной монокристаллической пленки

Авторы патента:

C30B29/28 - с формулой A₃Me₅O₁₂, где A - редкоземельный металл, а Me - Fe, Ga, Sc, Cr, Co или Al, например гранаты

C30B19/02 - с использованием расплавленных растворителей, например флюсов

Шихта для получения феррит-гранатовой магнитной монокристаллической пленки с одноосной магнитной анизотропией, содержащая оксид иттрия, карбонат кальция, оксид германия, оксид железа (III), оксид бора и оксид свинца, отличающаяся тем, что, с целью увеличения подвижности цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) и расширения температурной области совпадения коэффициента температурной зависимости напряженности поля коллапса ЦМД с коэффициентом температурной зависимости намагниченности насыщения феррита, в состав дополнительно вводят оксиды европия, туллия и галлия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%:

Оксид европия0,06-0,9 Оксид туллия0,18-0,19 Оксид галлия 0,29-0,32Оксид иттрия 0,32-0,36Карбонат кальция 0,38-0,42Оксид германия 1,48-1,64Оксид железа (III) 5,87-6,48Оксид бора 1,86-2,06Оксид свинцаОстальное

Способ выращивания монокристаллов кальций-ниобий-галлиевого граната // 1414015

Изобретение относится к электронной технике и позволяет повысить качество монокристаллов

Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // 1354791

Изобретение относится к способу получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната и позволяет увеличить выход монокристаллов диаметром до 80 мм за счет уменьшения длины конусной части до 5-15 мм

Способ выращивания монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // 1347513

Изобретение относится к способам выращивания монокристаллов гадо лииий-гашшевого граната и позволяет увеличить выход годных монокристаллов диаметром 105-110 мм с апот-; ностью дефектов кристаллической структуры i7 см

Монокристаллический лазерный стержень и способ его получения // 1345684

Изобретение относится к квантовой электронике

Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // 1319641

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом // 1294032

Способ получения монокристаллов гадолиний-галлиевого граната // 1220394

Способ получения монокристаллов сложных окислов и устройство для его осуществления // 1165095

Неорганический растворитель // 609230

Способ получения структур на основе кремния // 1088417

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для производства полупроводниковых приборов и интегральных схем различного назначения

I гсь^союзная // 388780

Способ получения эпитаксиальных слоев карбида кремния (варианты), структура карбида кремния (варианты) // 2142027

Способ термостабилизации рабочей частоты устройств на поверхностных магнитостатических волнах // 2051209

Эпитаксиальная феррит-гранатовая структура // 2061112

Изобретение относится к монокристаллическим материалам, в частности к эпитаксиальным феррит-гранатовым структурам (ЭФГС) на основе железо-иттриевого граната (ЖИГ), и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных планарных сверхвысокочастотных (СВЧ) приборов на поверхностных магнитостатических волнах (ПМСВ)

Способ получения мультикристаллов кремния // 2026895

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение в промышленности при изготовлении ряда дискретных полупроводниковых приборов (например, тензодатчиков, полевых транзисторов, переключателей, датчиков малых перемещений и других приборов)

Способ получения магнитооптических структур // 2038432

Способ получения кремниевой структуры // 1578238

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения кремниевых структур, применяемых для изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ получения феррогранатовых структур // 1604871

Изобретение относится к технологии получения гранатовых слоев и может быть использовано в производстве магнитных приборов микроэлектроники

Способ выращивания пленок теллурида цинка // 1624067

Изобретение относится к технологии материалов твердотельной электроники и может быть использовано при изготовлении оптоэлектронных устройств

Способ получения кремниевой структуры // 1686041