Реверсивный магнитный регистр сдвига

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах хранения и обработки информации на плоских магнитных доменахо Целью изобретения является повышение надежности регистра сдвига. Регистр сдвига содержит высококоэрцитивную магнитную пленку 1 с низкокоэрцитивным каналом 2 продвижения плоских магнитных доменов 3 в виде последовательно расположенных участков 4-6 удержания плоских магнитных доменов 3, токовые шины 7-10 управления и токовую шину 11 с перфорациями 12, расположенными над участками 13 и 14 продвижения плоских магнитных доменов 3 в направлении оси 15 трудного намагничивания магнитной пленки 1, соединяющими между собой участки 4-6 удержания плоских магнитных доменов о Использование токовой шины с перфорациями позволяет выбирать значение величины порогового поля продвижения доменов в направлении оси трудного намаз гшчивания, близкое к оптимальному значению, определяемому пороговым полем продвижения доменов в направлении оси легкого намагничивания магнитной пленки Это расширяет область устойчивой работы и повышает надежность регистра сдвига 1 ило с SS (Л

. СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИМ,SU„„1619342 А 2 (51) 5 С 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К A BT0PCHOIVIV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕККЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (6i) 1283855 (21) 4655734/24 (22) 27.02.89 (46) 07.01.91„ Бил. № 1 (72) С.Л. Добрынин и А.Г. Езупов (53) 681.327.66(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1283855, кл. С 11 С 19/00, G 11 С 11/14, 1985. (54) РЕВЕРСИВНЬЙ ИАГНИТНЬЫ РЕГИСТР

СДВИГА (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в устройствах хранения и обработки информации на плоских магнитных доменах. Целью изобретения является повышение надежности регистра сдвига. Регистр сдвига содержит высококоэрцитивную магнитную ппенку 1 с низкокоэрцитивным каналом 2 продвижения плоских магнитных доменов 3

2 в виде последовательно расположенных участков 4-6 . удержания плоских магнитных доменов 3, токовые шины 7-10 управления и токовую шину 11 с перфорациями 12, расположенными над участками 13 и 14 продвижения плоских магнитных доменов 3 в направлении оси 15 трудного намагничт!Вания магнитной пленки 1, соединяющими между собой участки 4-6 удержания плоских магнитных доменов. Использование токовой шины-с перфорациями позволяет выбирать значение величины порогового поля продвижения доменов в направлении оси трудного намагничивания, близкое к оптимальному значению оп- с ределяемому пороговым полем продвижения доменов в направлении оси легкого намагничивания магнитной пленки,.

Это расширяет область устойчивой работы и повышает надежность регистра сдвига. 1 ил.

3 1619342

Изобретение относится к вычислительной технике, может быть использовано в устройствах хранения и обработки информации на плоских маг5 нитных дсменах.и является усовершенствованием изобретения по авт.св.

9 1283855.

Цепью изобретения является повышение надежности регистра сдвига за счет расширения его области устойчивой .работы. . На чертеже изображена принципиальная схема регистра, Реверсивный магнитный регистр сдви-15 га содержит высококоэрцитивную магнитную пленку 1 с низкокоэрцитивным каналом :2 продвижения плоских магнитных доменов (ПИД) 3 в виде последовательно расположенных участков 20

4-6 удержания ПИД 3, токовые шиды

7-10 управления и токовую шину 11 с перфорациями 12, расположенными над участками 13 и 14 продвижения ПМД 3 в направлении оси 15 трудного намаг- 25 ничивания магнитной пленки 1, соеди» няющнми между собой участки 4-6 удержания плоских магнитных доменов.

Реверсивный магнитный регистр сдвига работает следующим образом.

Под действием импульсных магнитных полей, создаваемых током, протекающим по шинам 7-1 1, ПИД 3 последовательно продвигаются по низк коэрцитивному каналу 2. При этом токовые шины 8 и 35

10 управления служат для продвижения

ПИД 3 по участкам 13 и 14 в направлении оси 15 во время действия создаваемых током в перфорированной шине 11 импульсов магнитного поля направлен 40 ного в сторону намагничивания ПМД 3, и задают направление распространения доменов по низкокоэрцнтивному каналу

2, а токовые шины 7 и 9 управления служат для Удержания ПМД 3 на участ- 45 ках 4-6 во время действия создаваемых током в перфорированной шине 11 импульсов магнитного поля, направленного противоположно намагниченности ПИД 3.

Перфорйровапная токовая шина ii служит для создания в плоскости магнитной пленки 1 продвигающего и стирающего магнитного поня. Ток управления в шине 11 обтекая перфорации 12, 55 создает неоднородное магнитное поле.

При этом под перфорациями 12 образуются локальные минимумы планарного магнитного поля, что предотвращает . несанкционированное прохождение ПМД 3 по участкам 13 и 14 в отсутствие управляющего тока s шинах 8 и 10 при превышении магнитным полем на участ- ках 4-6 порогового поля продвижения

ПНД 3 по участкам 13 и 14.

Предположим, что ПИД 3 находится на участке 4. В первом такте продвижения под действием импульса магнитного поля, направленного в сторону намагниченности ПИД 3, создаваемого током в шине 11, ПИД 3 продвигается в участок

4, а при подаче импульса тока соответствующей полярности в шину 8 продвигается по .Участку 13, после чего переходит на участок 5, не продвигаясь по участку 14. Последующее одновременное действие создаваемого шиной 11 магнитного поля, направленного противоположно намагниченности ПИД 3, и импульса магнитного поля встречного направления, создаваемого импульсом тока в шине 9, приводит к тому, что

ПИ@ 3 удерживается на участке 5.

В следующем такте продвижения под действием импульсов магнитного поля, создаваемого током в шине 11, при подаче импульсов тока соответствующей полярности в шины 10 и 7 ПИД 3 продвигается в участок 5, переходит на участок 14 и удерживается на участке 6.

Таким образом, осуществляется продвижение информации в регистре на один разряд. Реверсированне информации осуществляется сменой очередности подачи импульсов тока в шины 8 и 10. (Использование токовой шины с перфорациями позволяет. выбирать значение величины порогового поля продвижения

ПИД в направлении оси трудного намагничивания, близкое к оптимальному значению, определяемому пороговым полем продвижения. ПИД в направлении оси легкого намагничивания магнитной пленки. Следствием этого является расширение области устойчивой работы и повышение надежности регистра сдвига.

Формула изобретения

Реверсивный магнитный регистр сдвига по авт.св. Р 1283855, о т л ич а ю шийся тем, что, с. целью повышения надежности регистра, он содержит токовую впяу, которая .расположена над низкокоэрцитивным каналом

5 1619342 6 продвижения плоских магнитных доме- участками продвижения плоских магнитнов электроизолированно от токовых ных доменов в направлении оси трудшии управления и имеет перфорации над ного намагничивания магнитной пленки пленки.

Составитель Г. Аникеев

Редактор В. Бугренкова Техред Л.Сердюкова Корректор H. Король Заказ 52 Хираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат. "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101

Модуль доменной памяти // 1617457

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных дисках различной информационной емкости

Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах // 1615805

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов // 1608750

Изобретение относится к вычислительной и измерительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Накопитель для запоминающего устройства на цилиндрических магнитных доменах // 1608749

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Запоминающий модуль // 1608748

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Способ измерения эффективных магнитных полей анизотропии в магнитной пленке // 1608747

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Способ калибровки источника магнитного поля // 1603436

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при калибровке источников магнитного поля, применяемых при измерении динамических параметров доменосодержащих магнитных пленок

Магнитный носитель информации // 1602238

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании запоминающих устройств с высокой информационной емкостью

Способ определения динамических характеристик вертикальных блоховских линий // 1596391

Изобретение относится к магнитной микроэлектронике и может быть использовано при создании накопителей запоминающих устройств, в к-рых в качестве носителя информации применяют вертикальные блоховские линии /ВБЛ/

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)