Устройство для контроля транзисторов

 

Изобрртение относится к контрольно-измерительной технике и направлено на определение исправности типа проводимости и цоколевки биполярных транзисторов. Цель изобретения - повышение достоверности контроля - достигается за счет исключения ложкой информации при подключении к контрольным клеммам неисправного транзистора. Устройство содержит клеммы 1 - 3 для подключения выводов испытуемого транзистора, клемму 4 для подключения источника опорного напряжения, три компаратора 5 - 7,три делителя 8-10 напряжения, резистор 11 и элемент 12 неравнозначности. На выходе устройства формируется сигнал , близкий к нулю, только в тех случаях, когда испытуемый транзистор исправен, контрольное напряжение на клемме 4 соответствует типу проводимости транзистора (положительное - п - р - п -транзистор, отрицательноер - п - р - транзистор), его база подключена к клемме 1, коллектор - к клемме 2, а эмиттер - к клемме 3. 2 ил. S (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (191 1111

Яс?аз м

Р1)5 G 01 R 31/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

IlO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4488406/2 1 (22) 29. 09 ° 88 (46) 28.02. 91. Бюл. Р 8 (75) В.И.Турченков (53) 62 1. 382. 2 (088. 8) (56) Авторское свидетельство СССР

Р 1500095, кл. G 01 R 31/26, 1986. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ТРАНЗИСТОРСВ (57) Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и направлено на определение исправности типа проводимости и цоколевки биполярных транзисторов. Цель изобретения — повышение достоверности контроля — достигается за счет исключения ложной информации при подключении к контрольным клеммам неисправного

2 транзистора. Устройство содержит клеммы 1 — 3 для подключения выводов испытуемого транзистора, клемму 4 для подключения источника опорного напряжения, три компаратора 5 - l,òðè делителя 8 — 10 напряжения, резистор

11 и элемент 12 неравнозначности. На выходе устройства формируется сигнал, близкий к нулю, только в тех случаях, когда испытуемый транзистор исправен, контрольное напряжение на клемме 4 соответствует типу проводимости транзистора (положительное— п — р — n -транзистор, отрицательноер — n — р — транзистор), его база подключена к клемме 1, коллектор — к клемме 2, а эмиттер — к клемме 3.

2 ил.

1631473

Изобретение относится к контрольно измерительной технике и направлено на определение исправности типа проводимости и цоколевки биполярных

5 транзисторов.

Цель изобретения — повышение достоверности.контроля.

На фиг.1 представлена структурная схема устройства; на фиг.2 — вариант 10 выполнения элемента неравнозначнос-.

45 ти.

Устройство содержит клеммы — 1

3 для подключения выводов испытуемого транзистора, клемму 4 для подключения источника опорного напряжения, три компаратора 5 — 7, три делителя

8 — 10 напряжения, резистор 11 и элемент 12 неравнозначности.

Первая клемма 1 для подключения выводов испытуемого транзистора соединена с клеммой 4 для подключения источника опорного напряжения, вторая клемма 2 — с инвертирующим входом первого компаратора 5, третья клемма 3 — с инвертирующим входом второго компаратора 6, неинвертирую-, щим входом третьего компаратора 7 и через резистор 11 — с общей шиной устройства. Первая клемма 1 для подключейия выводов испытуемого транзистора через первый делитель 8 напряжения соединена с неинвертирующим входом первого компаратора 5, а через второй делитель 9 напряжения — с инвертирующим входом третьего компа35 ратора 7. Вторая клемма 2 для подключения выводов испытуемого транзистора через третий делитель 10 напряжения соединена с неинвертирующим входом второго компаратора 6. Выходы первого 5, второго 6 и третьего 7 компараторов подключены соответственно к первому, второму и третьему входам элемента 12 неравнозначности, четвертый вход которого соединен с первой клеммой 1 для подключения выводов испытуемого транзистора. !

Элемент 12 неравнозначности, имеющий входы 13 — 16; содержит компаратор 17, транзистор 18, девять резисторов 19 — 27, два диода 28 и 29, клемму 30 для подключения источника напряжения.

Устройство работает следующим

55 образом.

К клемме 4 подключается источник опорного напряжения. Номиналы резисторов в делителях 8 †. 10 напряжения подобраны так, что на неинвертирующий вход первого компаратора 5 поступает напряжение, отличающееся от напряжения на клемме 1 на величину, большую падения напряжения между коллекторсм и эмиттером насыщеннного испытуемого транзистора, но меньшую падения напряжения на р — n — перекоде транзистора. Если напряжение на выходе источника опорного напряжения

+3 В, то на неинвертирующий вход компаратора 5 поступает напряжение, например, +2,85 В. На инвертирующий вход третьего компаратора 7 подается напряжение с выхода второго делителя

9 напряжения, отличающееся от напряжения на клемме 1 на величину, большую падения напряжения на эмиттерном переходе транзистора, например 1,5 В.

На неинвертирующий вход второго компаратора 6 подается напряжение с выхода третьего делителя 10 напряжения, отличающееся от напряжения на клемме 2 приблизительно на 10-30 мкВ.

Сопротивление резистора 11 равно сумме сопротивлений резисторов делителя 10 напряжения.

Когда испытуемый транзистор не подключен к клеммам 1 — 3 и на клемму 4 не подано напряжение от источника опорного напряжения, на четвертый вход 16 элемента 12 неравнозначности поступает напряжение с выхода источника напряжения, подключенного к клемме 30 через резистор 19. Через дели-тель 9 это напряжение прикладывается к инвертирующему входу третьего компаратора, в связи с чем íà его выходе формируется напряжение противоположной полярности.

Элемент 12 неравнозначности формирует на своем выходе напряжение положительной полярности, когда на его входах имеются напряжения разной полярности, и напряжение., близкое к нулю, когда на его входах напряжение одной и той же полярности. В рассмотренном случае на выходе элемента неравнозначности формируется высокое напряжение, что свидетельствует о неподключении испытуемого транзистора.

При подключении к клеммам 1 — 3 в произвольном порядке выводов исправного испытуемого транзистора, а к клемме 4 — контрольного напряжения от источника опорного напряжения, например, положительной полярности

16 на выходе элемента 12 неравнозначности имеется близкое к нулю напряжение только тогда, когда транзистор

n — р — n-типа подключен базой к клемме 1, коллекторам — к клемме 2, а эмиттером — к клемме 3, поскольку при токах базы порядка 0,15 — 0,4 мА падение напряжения на эмиттерном переходе больше падения напряжения на коллекторном переходе при смещении обоих переходов в прямом направлении.

При другом типе проводимости транзистора либо других возможных комбинациях подключения его выводов к клеммам 1 — 3 на выходе элемента 12 неравнозначности имеется высокое напряжение.

Если испытуемый транзистор р — n— р — типа, то для получения на выходе элемента 12 неравнозначности близко го к нулю напряжения необходимо транзистор подключить базой к клемме 1, коллектором — к клемме 2, а эмиттером — клемме 3, на клемме 4 поменять полярность напряжения на отрицательную. Только при таком варианте подключения на всех входах элемента 12 неравнозначности имеется напряжение одной полярности (отрицательное).

При подключении к клеммам 1 — 3 неисправного транзистора (обрывы выводов, либо короткие замыкания между выводами) на выходе элемента 12 неравнозначности появляется высокое напряжение.

Различные комбинации подключения выводов транзистора к клеммам 1 — 3 можно обеспечить путем использования галетного переключателя на три направления и шесть положений (не показан).

31473

Устройство для контроля транзисторов, содержащее клеммы для подключения выводов испытуемого транзистора, первая из которых соединена с клеммой для подключения источника опорного напряжения, вторая клемма для подключения выводов испытуемого транзистора соединена с инвертирующим входом первого компаратора, тре25

Таким образом, на выходе устройства формируется сигнал, близкий к нулю, только в тех случаях, когда испытуемый транзистор исправен, контрольное напряжение на клемме 4 соответствует типу проводимости транзистора (положительное — n — р — птранзистор, отрицательное — р — ив р-транзистор), его база подключена к клемме 1, коллектор — к клемме 2, а эмиттер — к клемме 3.

В отличие от известного предлагаемое устройство не выдает ложной информации при подключении к контрольным клеммам 1 — 3 неисправного транзистора.

Формула изобретения тья клемма для подключения выводов испытуемого транзистора соединена с инвертирующим входом второго компаратора и через первый резистор с общей шиной устройства, выходы первого и второго компараторов и дключены соответственно к первому и второму входам элемента неравнозначности, выход которого соединен с выходной шиной устройства, о т л и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью повышения достоверности контроля, оно снабжено третьим компаратором и тремя делителями напряжения, элемент неравнознач-. ности выполнен с четырьмя входами, при этом первая клемма для подключе ния выводов испытуемого транзистора через первый делитель напряжения соединена с неинвертирующим входом первого компаратора, а через второй делитель напряжения †.с инвертирующим входом третьего компаратора, неинвертирующий вход которого подключен к третьей клемме для подключения выводов испытуемого транзистора, вторая клемма для подключения выводов которого через третий делитель напряжения соединена с неинвертирующим входом второго компаратора, выход третьего компаратора подключен к третьему входу элемента неравнозначности, четвертый вход которого соединен с клеммой для подключения источника опорного напряжения.

1631473

ЮХ

Фиг.2

Составитель С.Фоменко

Редактор М.Петрова Техред М.дпдык

Корректор А.Осауленко

Заказ 543 Тираж 418 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

1 13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Устройство для контроля транзисторов Устройство для контроля транзисторов Устройство для контроля транзисторов Устройство для контроля транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к устройствам контроля полупроводниковых приборов - диодов и биполярных транзисторов

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при неразрушающем контроле качества и надежности электронных компонентов

Изобретение относится к метрологии многоэлементных фотоприемников (МФП) и может быть использовано для измерения коэффициента фотоэлектрической связи между чувствительными элементами МФП

Изобретение относится к способам измерения электрических параметров электрически репрограммируемых запоминающих устройств на основе структуры проводник - нитрид кремния - оксид кремния - полупроводник и может быть использовано для контроля напряжения программирования на этапах разработки и серийного производства

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения режима теплового пробоя полупроводниковых приборов

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх