Травитель для монокристаллов нитрита натрия

 

Изобретение касается исследования дефектной структуры материалов и может быть использовано при производстве приборов, работающих на сегнетоэлектриках. Цель изобретения - выявление дислокаций в кристаллах. Травитель для монокристаллов нитрита натрия содержит этиловый спирт с добавкой 0,05-0,10 мас.% хлорида кальция. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s С 30 В 33/00,29/10

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4636326/31-26 (22) 13.01.89 (46) 07.12.90. Бюл. ЬЬ 45 (71) Физико-техн ичес кий институт им.А.Ф.Иоффе (72) В.А.Иванцов и В.И.Николаев (53) 621.315.592(088.8) (56) Sawada А., АЬе R. - Japanese Journal of

АррПе4 Physics, 1969. v.8; М 2, р. 202 — 206.

Изобретение относится к области исследования дефектной структуры материалов и может быть использовано при производстве приборов, работающих на сегнетоэлектриках.

Цель изобретения — выявление дислокаций в кристаллах.

Пример, Для приготовления состава используют следующие реактивы: этиловый спирт "Осч 20-5", кальций хлористый (плавленный) "Ч".

В стакан из фторопласта с помощью .мерного цилиндра отмеряют 250 мл (99,93 мас.$) этилового спирта, после чего добавляют взвешенный на технических весах первого класса порошок хлорида кальция в количестве 140 мг (0,07 мас. $). Затем состав перемешивают с помощью магнитной мешалки OP 913/3 в течение 15 мин и разливают в стеклянные бюксы емкостью

50 мл.

Исследуемые образцы представляют собой ромбические в сечении прямые призмы, выколотые по плоскостям спайно. сти,101), или прямоугольные призмы с, Я1, 1612000 А1 (54) ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

НИТРИТА НАТРИЯ (57) Изобретение касается исследования дефектной структуры материалов и может быть использовано при производстве приборов, работающих на сегнетоэлектриках.

Цель изобретения — выявление дислокаций в кристаллах. Травитель для монокристаллов нитрита натрия содержит этиловый спирт с добавкой 0,05-0,10 мас. хлорида кальция. 1 табл. квадратными основаниями, ориентированными вдоль 100}и f0013 плоскостей. Их высота не превосходит 25 мм, а размеры сторон оснований равны в среднем 8 мм.

Образцы зажимаются пинцетом с фторопластовыми наконечниками и погружаются в приготовленный трав тель на 10 — 30 с. 3атем они вынимаются, споласкиваются в чистом этиловом спирте в продолжении 1 — 2 с и высушиваются в потоке теплого воздуха от тепловентилятора. Поверхности обработанных образцов исследуют в оптическом микроскопе МБИ-15У4,2 и электронном просвечивающе .i микроскопе УЭМ-100, Исследования показали, что дислокационные ямки травления выявляются после обработки травителем лищь на поверхностях ()01}.

При проведении нескольких поочередных травлений основания призматических образцов шлифуются на мелкой наждачной бумаге и полируются на слегка влажной фильтровальной бумаге.

Глубина ямок травления, оцененная по теневому контрасту в электронном микро" скопе, составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.

1612000

Время обработки, с

Кристаллографическая ориентация поверхности кристалла

Результаты обработки

Состав т авителя, мас.

Этиловый спирт

Хлорид кальция

0,02

99,98

Слабое селективное травление

)101j

0,07

99,93

99,85

11 013

0,15

0,01 010

Выявление доменной структуры, отсутствие дислокационных ямок

99,99

j 0103

f010) 20

То же

0,05

99,95

Выпадение микрокристалликов

0,13

99,87

$100(, j001j

Полировка поверхности

0,015

99,985

99,90

jioo), {оы оо,{ooi) То же

0,10

0,12

99,88

Влажность воздуха влияет на получение качественных результатов травления. Четкого травления достигают, когда влажность не превосходит 35 — 40 . В том случае, когда атмосферная влажность выше, вправление необходимо проводить в герметичном боксе, снабженном резиновыми рукавами-перчатками,с установленными в нем чашками с силикагелем марки ACM.

При иСпользовании других количественных соотношений компонентов, входящих в предлагаемый травитель, его получение проводится в соответствии с укаэанным примером. Во всех приготовляющихся растворах осуществляется обработка изготовленных образцов с последующим исследованием их поверхности.

Составы травителя для обработки нитрита натрия и результаты исследований приведены в таблице.

Таким образом, из данных таблицы следует, что предлагаемый травитель в отличие от известного позволяет выявлять выходы. дислокаций на поверхностях 10Я кристал5 ла. Глубина дислокационных ямок травления составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.

Достоинством предлагаемого травителя является воэможность определения дислокационной структуры кристаллов нитрита

10 натрия после обработки в нем. С его помощью впервые установлено существование дислокационных стенок, расположенных вдоль границ между доменами.

Формула изобретения

15 Травитель для монокристаллов нитрита натрия, содержащий этиловый спирт с добавкой, отличающийся тем, что, с целью выявления дислокаций в кристаллах, в качестве добавки травитель содержит хло20 рид кальция в количестве 0,05 — 0,10 мас. .

Эффективное травление выходов дислокаций

Эпитаксиальное наростание кристаллитов

Образование осадка на поверхности образцов.

Травитель для монокристаллов нитрита натрия Травитель для монокристаллов нитрита натрия 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к термообрабс |Тке сцинтилляционных кристаллов , которые могут быть использованы лл гаммарегистрации и спектрометрии квантов

Изобретение относится к обработке щелочно-галоидных кристаллов для придания им особых механических свойств и позволяет повысить их предел текучести

Изобретение относится к получению изделий из монокристаллов корунда и позволяет повысить изделий за счет локального упрочнения зон, содержащих напряжения

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, в частности к твердофазному сращиванию оптических кристаллов, может быть использовано в оптике и обеспечивает повышение величины двулучепреломления

Изобретение относится к способу обработки щелочно-галоидных кристаллов и позволяет упростить технологию процесса

Изобретение относится к получению сцинтилляционных монокристаллов и может быть использовано для регистрации ионизирующих излучений, Целью изобретения является увеличение и стабилизация конверсионной эффективности сцинтилляционных кристаллов и улучшение энергетического разрешения детекторов по их основе, а также обеспечение безотходной технологии

Изобретение относится к исследованию доменной структуры ниобата лития путем химического травления, может быть использовано при изучении реальной структуры монокристаллов

Изобретение относится к обработке кристаллов танталата лития методом травления, в частности к исследованию реальной и доменной структуры кристаллов методам оптической и электронной микроскопии

Изобретение относится к технологии оптических монокристаллов и позволяет повысить качество кристаллов иодата лития (-LiO3)

Изобретение относится к области нелинейной техники и может быть использовано для изготовления параметрических преобразователей частоты оптического излучения (ППчОИ), обеспечивает повышение выхода преобразователя

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей
Наверх