Способ контроля чипов на пластине
Использование: Изобретение относится к электронно-лучевому контролю изделий микроэлектроники, Целью изобретения яв-. 2 ляется повышение производительности процесса контроля чипов на пластине за счет исключения операции кривизны координат растра к координатам топологии исследуемого чипа. Сущность изобретения: во время контроля чипа пластину жестко фиксируют относительно электронно-оптцческой системы, а переход от одного участка поверхности чипа к следующему осуществлякэт путем перемещения анализатора энергии электронов относительно неподвижной пластины в направлении движения электронного пучка, перемещающегося от узла к узлу. Искомые величины определяются по спектральным характеристикам вторично-эмиссионного сигнала.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК,, 1Ц,, 1798834 А1
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ЧИПОВ НА ПЛАСТИНЕ (57) Использование: Изобретение относится к электронно-лучевому контролю изделий микроэлектроники, ЦельЮ изобретения явИзобретение относится к области алек- лах первого участка. Подают через зондотронно-лучевоготехнологическогоконтроля. вую головку йа чип питающие и рабочие. иэделий микроэлектроники. напряжения и начинают последовательное Целью изобретения является повыше- зондирование узлов, постепенно переме- д ние производительностй способа, щая пучок s сторону следующего контролиПримером конкретного выполнения руемого участка, Причем при облучении способа является процедура контроля рас- каждого узла измеряют величину сдвига пределения потенциалов в электрйческих спектра вторичных электронов и определя- О© цепях чипов для ИС К133, ют по этой величине потенциал узла. Одно- ©© Кремниевую пластину устанавливают в .временно с этим, по мере перемещения Од. объектодержатель и совмещают центр пер- пучка, осуществляют перемещение знали- .фЬ лого контролируемого участка первого чипа автора внергиа алектро нов. И твк до тех пор, с центром приемного окна анааиваторв. пока есе учвсткй поверхности чипа не будут далее опускают на пластину асндоаую го- просканированы и протестирсваны. Затем .ловку до образования омических контак-.. осуществляют переход к следующему чипу тов между зондами головки и контактными и повторяют- всю последовательность опеплощадками чипа. После этого сканируют раций. поверхность чипа электронным пучком:; ре- - Ф о р м ул а и з о б р е т е н и я гистрируют видеосигнал топологиси участка Способ контроля, чипов на пластине, чипа и по видеосигналу определяют коцорди- твлключающгий размещение пластины относинаты тестируемых узлов, лежащих в праде- тельно анализатора энергий электронов, 1 (21) 4780040/24-21. {22) 09.01,90 (46) 28,02.93, Бюл, N. 8 (71) Московский институт электронного машиностроения (72) B.Â.Ðûáàëêî (56) Авторское свидетельство СССР Nã 1507119, кл. Н 01 J 37/26, 1986. Патент CWA М 4532423, кл, 250 — 310, 6 01 и 23/00, 1985. ляется повышение производительности процесса контроля чипов на пластине за счет исключения операции кривизны координат растра к координатам топологии исследуемого чипа. Сущность изобретения: во время контроля чипа пластину жестко фиксируют относительно электронно-orngueской системы, а переход от одного участка поверхности чипа к следующему осуществляют путем перемещения анализатора энергии электронов относителЬно неподвижной пластины в направлении движения электронного пучка, перемещающегося от узла к узлу. Искомые величины определяются по спектральным характеристикам вто- рично-эмиссионного сигнала. 1798834 подачу на контактные площадки чипа питающих и рабочих напряжений, формирование с помощью электронно-оптической системы электронным пучком растра на поверхности чипа, расположенной в пределах приемной апертуры анализатора энергии электронов, последовательное облучение электронным пучком контролируемых узлов электрической цепи чипа, лежащих в пределах участка поверхности, ограниченно о приемной апертурой" анализатора, регист-. рацию спектральных характеристик вторично-эмиссионного сигнала, определение по эарегистрированным данным йскомйх ве 4 личин и переход к следующему участку поверхности чипа путем относительного перемещения пластины и анализатора энергий электронов, отл ич а ю щи и с я тем, что, 5 с целью повышения производительности способа, во время контроля чипа пластину жестко фиксируют относительно электрон.но-оптической системы, а-переход от одного участка поверхности чипа к следующему 1О осуществляют путем перемещения аналиэатора энергии электронов относительно неподвйжной пластины в направлении электронного пучка, перемещающегося от узла к узлу. Составитель 8л "ыбалао Редактор С.Егорова Техред M.Ìîðãeíòàë . Корректор П.Гереши Заказ 775 Тираж: -:: ..: Подписное 8НИИПИ Государственного комитета по иэобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж 35. Раушская наб., 415 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101
