Способ разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине
Сущность изобретения: измеряют зондовым методом электрические параметры стабилитронов. При этом совмещают нижний зонд с одной из контактных площадок нижней планарной стороны. Сканируют верхним зондом поочередно все контактные-площадки верхней планарной стороны. Переворачивают пластину. Повторяют операции контроля. Отличают бракованные структуры. Разделяют пластину на кристаллы . Удаляют бракованные кристаллы. 1 ил.
союз советских
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (!9) (31) (si)s Н 01 L 21/66
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4931286/25 (22) 24.04.91 (46) 07.06.93. Бюл. И 21 (71) Новосибирский завод полупроводнико-. вых приборов (72) Б.В.Козлов, П.Ф.Кузьминых и Р.Г,Уразов (56) 1, Заявка Японии f+ 59-29150, кл. Й 01 1 21/66, 1984.
2. Парфенов О,Д. Технология микросхем. М.: Высшая школа; 1986, с.251-252. (54) СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ПО ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПАРАМЕТРАМ CTPYKTVP СТАБИЛИТРОНОВ HA ПЛАСТИНЕ
Изобретение относится к электронной технике, в частности, может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов, кристаллы которых получены из полулроводниковых пластин преимущественно с двумя планарными сторонами, имеющих малое удельное сопротивление.
Целью изобретения является повышеwe производительности, а также снижение . себестоимости за счет разбраковки кристаллов в пластине по признакам "годен— брак" до их запуска на сборку.
Цель достигается тем, что по способу раэбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине, включающему измерение электрических параметров зондовым методом, отметку бракованных структур, разделение пластин на кристаллы, нижний зонд совмещают с одной иэ контактных площадок нижней планарной стороны, сканируют верхним зон(57) Сущность изобретения: измеряют зондовым методом электрические параметры стабилитронов. При этом совмещают нижний зонд.с одной из контактных площадок нижней планарной стороны. Сканируют верхним зондом поочередно все контактные.площадки верхней планарной стороны.
Переворачивают пластину. Повторяют операции контроля. Отличают бракованные структуры. Разделяют пластину на кристаллы. Удаляют бракованные кристаллы. 1 ил.
Одом поочередно все контактные площадки верхней планарной стороны, измеряют электрические параметры структур стабилитронов по напряжению стабилизации, динамическому сопротивлению, обратному напряжению, переворачивают пластину и повторяют в тех же условиях операцию сканирования, отмечают магнитными чернила- 00 ми бракованные структуры, пластину 3 разделяют и удаляю бракованные кристаллы стабилитронов. ф
На чертеже показано устройство для ре- р ализации способа.
ka предметный столик 1 зондовой установки установлено приспособление 2, в котором закреплен неподвижный зонд 3, подключаемый к измерителю параметров (И) через разъем 4. Приспособление содержит также подвижный зонд 5. Полупроводниковая пластина 6 помещается на приспособление 2. Позиции 7, 8 — контактные площадки с верхней и нижней сторон пластины. Пунктиром показан путь тока при
1820425 занятии подви>кным зондом 5 любого положения от неподвижного зонда.
Осуществление способа показано йа примере разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов в пластине. Приспособление 2 устанавливается на предметный столик 1 зондовой установки, пластину помещают на приспособление следующим образом. С помощью микроскоо8 совмещают над неподвижным зондом 3 ,i;" Вертикали на ОднОЙ Оси пОдбижный зонд
:;;:-. Г1омещают в зазор между зондами пластину 6 и ориентируют ПЬД зонд 5 контактный выступ 8 Верхней плоскости пластины, нижний контактныЙ Выступ 7 пластины автоматически совмещается с неподвижным зондом 3 устройства. Пластина фиксируется на поверхности приспособления с помощью вакуумного присоса.
Предметный столик 1 зондовой устанонки ориентируется по осям Х, У. С включением зондовой установки в режиме
"Автомат" подвижный зонд поочередно коьГ тактирует с каждым контактным ВыступОм пластины и согласно заданной программе
От источниц»8 измерителя подается ток или прикладывается напряжение в зависимости оТ измеряемого г)араметра. Разбраковыва-, у» у ) ич,»» q »p ) В р» мет) ) ы )»8ЖДОЙ
СТРФ ." чрь o Верхней планарна)и сторане1 при Зт :ги "зднэ к)нтзктны! площадка нижней ила .".,Воней тоpон ы ) зляQ с Общеи Для
ВСЕХ СТРУКТУР. ЗЛЕКТРИчЕСКИЕ СХЕМЫ ПодКл Юче Н Ия A pH p33f pd l(0 BKC 1 О Э»! ВКЦ)»»»1че" ским ))арл4етрвм использу)01ся известные для дискретных flpMGopQB, измеряются присущие Для этого класса приборов параметры, такие как напряжение стабилизации, обратное напряжение, динами Веское сопротивление.
Для процесса разрабовки с источника питания подается на структуру рабочий ток, равный значению тока готового изделия, Для измерения Обратных Величин тока и напряжения меняется полярность источника. Полученные реэультиру)ощие значения напряжения, сопротивления сравниваются в блоке измерителя с запрограммированными нормами разбраковки. Если один из параметров отличается от нормы, то устройство марб кировки помечает магнитными чернилами ту структуру. которая не удовлетворяет нормам разбраковки. Для раэбраковки каждойструктуры нижней планарной стороны пластину переворачивают, нижний зонд совмещают с
1О одной из контактных площадок нижней планарной стороны(прошедшей контроль).верхним зондом поочередно сканируют Все контактные площадки верхней (не прошедшей контроль) планарной стороны пластины.
15 повторяя операцию разбраковки по электрическим параметрам.
Разбракованная по электрическим параметрам пластина скрайбируется, разделяется на кристаллы и с помощью магнита
2О бракованные структуры отделяются от годных. Годные кристаллы передаются на сборКУ, Формула изобретения
Способ разбраковки по электрическим параметрам структур стабилитронов на пластине, включающий измерение электрических параметров зондовым методом, отметку бракованных структур, разделение
ЗО пластин на кристаллы, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности при раэбраковке структур на пластине с двумя планарными сторонами, нижний зонд совмещают с одной из контакЗб) тных площадок нижней планарной стороны, сканируют верхним зондом поочередно все контактные площадки верхней планарной стороны, измеряют электрические параметры структур стабили гронов по напряжению
4О стабилизации, динамическому сопротивлению, напряжению обратному, переворачивают пластину и повторяют в тех же условиях операцию сканирования, отмечают магнитными чернилами бракованные
45 структуры, пластину разделяют и удаляют бракованные кристаллы стабилитронов.
1820425
Составитель П.Кузьминых
Техред М.Моргентал Корректор М.Самборская
Редактор.Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101
Заказ 2033 . Тираж Подписное
8НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5
