Способ измерения емкости туннельного диода

 

236628

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства X

Заявлено 03.Ч.1967 (№ 1153586/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 03.ll.1969. Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 16Л 1.1969

Кл. 21е, 29, 03

МПК 6 Olr

УДК 621.317.335.2 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете MIIHNcTpOB

СССР

- ./ДЦ

Автор изобретения

М. Л. Гуревич

Заявитель

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ЕМКОСТИ ТУННЕЛЬНОГО ДИОДА

Предмет изобретения

Известны способы измерения емкости туннельного диода (ТД), аналогичные применяемым при измерении емкостей конденсаторов.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что ТД ставится в режим амплитудного дискриминатора в схему автокомпенсационного вольтметра, IHB вход которого подают импульсы определенной длительности.

Затем параллельно ТД подключают конденсатор известной емкости и изменяют длительность импульсов до тех пор, пока не получат показание вольтметра, соответствующее первоначальной длительности импульсов и отключенному. конденсатору. Величина емкости

ТД определяется по изменению длительности подаваемых импульсов.

Зто позволяет увеличить точность и упростить процесс измерения.

Способ поясянется чертежами: на фиг. 1 изображена блок-схема автокомпенсационного вольтметра; на фиг. 2 — вольтамперная характеристика ТД.

Автокомпенсационный вольтметр содержит дискриминатор на ТД 1, генератор 2 прямоугольных импульсов, ключевой усилитель 8 постоянного тока, схему 4 сброса ТЛ в исходное состояние, интегрирующий каскад (диодно-емкостная ячейка), генератор коммутирующего тока с отсчетным прибором б и сопротивление 7 обратной связи.

Измеряемый диод используется в схеме вольтметра в качестве дискриминатора. В исходном состоянии рабочая точка на характеристике ТД (см. фиг. 2) устанавливается

5 вблизи точки ii„=l,, что фиксируется по наличию тока в цепи обратной связи. При подаче импульсов напряжения от генератора 2 ТД из устоичивого состояния, соответствующего ветви ОЛ, переходит в новое устойчивое со10 стояние, -оответствующее ветви К1.. Ключевой усилитель срабатывает, и происходит заряд емкости диодно-емкостной ячейки. В результате вырабатывается ток обратной связи 1,.

1у Порядок измерения емкости следующий. От генератора 2 подают импульсы определенной длительности и замечают показание вольтметра. Затем параллельно измеряемому ТД подключают эталонный конденсатор и изменяют длительность импульсов от генератора 2 до тех пор, пока показания вольтметра не совпадут с первоначальными показаниями. Емкость ТД пропорциональна изменению длительности подаваемых импульсов.

Способ измерения емкости туннельного диода с помощью импульсного автокомпенсаци30 онного вольтметра, содержащего амплитуд,236628

Г4 % Ъ У Ц.

Фиг

Составитсов M. Лорфкрова

Рсдактор Е. Кречетова Текред Л. N, Малова Корректор Т. Д. Чуваева

Заказ 1153!1 Тираж 480 Лодписиос

ПНИИПИ Комитста по долам изобрстсиий ii открытий при Coneie Мииистров СССР

Москва, Псит1к пр. Сарова, д. 4

Типографии, пр. Сапунова, 2 ный искрпминатор, отличающийся тем, что, с це",üoþ увеличения точности и упрощения процесса измерения, исследуемый туннельный диод ставят в качестве амплитудного дискриминатора в импульсный автокомпенсационный вольтметр, на вход которого подают импульсы определенной длительности, подключают параллельно туннельному диоду эталонный конденсатор и изменяют длительность импульсов до тех пор, пока показания вольтметра не совпадут с первоначальными показаниями, соответствующими отключенному

5 конденсатору и первоначальной длительности мпульсов, а величину емкости туннельного диода определяют по изменению длительности подаваемых импульсоB.

Способ измерения емкости туннельного диода Способ измерения емкости туннельного диода 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх