Ампула для восстановления в газовой фазе материала полупроводниковой чистоты

 

) 1 I

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскиз

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 22.Ч.1968 (№ 1241704 23-26) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет—

Опубликовано 03.IX.1970. Бюллетень № 28

Дата опубликования описания 21 XII.1970

Кл. 12g, 17!28

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК В 011 17/28

УДК 621,315.592 (088.8) Авторы изобретения Э .П. Засецкий, О. Н. Калашник, В. А. Кириченко и А. С. Кузнецов

Заявитель

АМПУЛА ДЛЯ ВОССТАНОВЛЕНИЯ В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ

МАТЕРИАЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЧИСТОТЫ

Изобретение относится к области химической технологии материалов полупроводниковой чистоты, а именно к ампулам для восстановления в газовой фазе материала полупроводниковой чистоты, например, восстановления водородом мышьяка из его хлорида.

Известны ампулы, предназначенные для этих целей, содер>кащие куб.-испаритель с входными штуцерами, соединенный трубкой с рабочей камерой, имеющей перегородки с отверстиями, вставку и выходной штуцер.

Трубка имеет шлифовое соединение с рабочей камерой, а перегородки представляют собой плоские диски с отсечными сегментами. Однако известные ампулы пе обеспечивают полноту восстановления материала, так как его пары конденсируются между кубом-иопарителем и рабочей камерой.

Кроме того, материал проникает в зазоры шлифового соединения и заклинивает его.

Перегородки не обуславливают полного перемешивания продуктов реакции и реагирующих веществ.

С целью полноты восстановления трубка выполнена в виде капилляра с теплоизолирующей рубашкой, а перегородки — в виде вогнуTbIx дисков с центральным соплом и каплеотбойником.

Кроме того, рабочая камера соединена с выходным штуцером при помощи шлифа.

1-la чертеже схематически пзоора>кспа предлагаемая ампула.

Ампула содержит куб-испаритель 1 с вход ными штуцерами для подвода водорода н трихлорида мышьяка и рабочую камеру 2 с перегородками > (в зоне воостановления) и вставкой 4 (в зоне конденсации) . В хвостовой части ампулы имеется штуцер 5 вывода продуктов реакции. Перегородка представляет сооой

1С круглую вогнутую пластинку с каплеотбойнпком. В центре пластинки просверлено отверстие-сопло. Трубка 6 представляет собой капилляр, что позволяет резко увеличить скорость прохо>кдения паро-газовой смеси в зону

15 восстановления. Конденсация мышьяка исключается. Теплоизолирующая камера 7 препятствует теплообмену между зоной восстановления и кубом-испарителем, а также между внешними стенками корпуса аппарата и капилляром

20 (заопвание капилляра H t oHpencaut ii bimb ка в зоне восстановления исключаются).

Теплоизолирующая камера 7 представляет собой вакуумную камеру.

25 Предмет изобретения

1. Ампула для восстановления в газовой фазе материала полупроводниковой чистоты, например, восстановлеш|я водородом мышьяЗС ка из его хлорпда, содержащая куб-испаритель

280452

2 3 b 7 1

Состанггтель В. Г. Постьгляков

Техред Л. Я. Левина Корректор А, П. Васильева

Редактор Н. Вирко

Заказ 5!92 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ 1(омитета по делам изобретений и откргятий при Совете Министров СССР

Москва, )K-35, Раушская наб., д. 4 5

Загорская типография с входными штуцерами, соединенный трубкой с рабочей камерой, имеющей перегородки с отверстиями, вставку и выходной штуцер, отличаюгг4аяся тем, что, с целью полноты восстановления, трубка выполнена в виде капилляра с теплоизолирующей рубашкой, а перегородки — в виде вогнутых дисков с центральным соплом и каплеотбойником.

2. Ампула по п. 1, отлггчпюаггаяся тем, что рабочая камера соединена с выходным штуце5 ром при помощи шлифа.

Ампула для восстановления в газовой фазе материала полупроводниковой чистоты Ампула для восстановления в газовой фазе материала полупроводниковой чистоты 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов, предназначено для получения нитевидных кристаллов (НК) с воспроизводимыми геометрическими параметрами

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы
Наверх