Способ контроля качества полупроводниковых приборов

 

ОЛ ИСАНИЕ . ИЗОБРЕТЕН ИЯ (») 285710 и АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено10.01.69 (21) 1296003/26-25 (51) М. Кл.

О 01 R 31/26 с присоединением заявки № ,, (23) Приоритет

Гееударетееппый кеметет

Юееети Мпппетрее ЯР ее делен пзееретенпй и еткрытпй (43) Опубликоваяо05.08.76.Бюллетень № 29 (53) УДК 621.382.

° 333. 34 (088. 8) (45) Дата опубликования описания 27.10.76

А. С. Савина и Е. И. Модель (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВБ1Х

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к способам неразрушающего контроля надежности и качества полупроводниковых приборов.

Известны различные способы неразрушающего контроля качества полупроводниковых приборов: ренттековский способ, инфракрасная дефекто копия и измерение шумовых параметров.

Способ шумовых параметров является наиболее близким по назначению и возможно - 1п тям к предлагаемому способу контроля качества полупроводниковых приборов.

Недостатком известного сносе. ià является недостаточно точное прогнозирование из а отсутствия аппаратуры, измеряющей шумовые х параметры полупроводниковых приборов с требуемой чувствительностью.

Цель предлагаемого изобретения — осущеставление более точного .:.рогноза отказов траизистороь и диодов при их длительной ра-ел боте, сравнения различных .производственных партий транзисторов и диодов одного типа.

Для э-ого измерение токовых характеристик р-л переходов ведут на микротоках в диапазоне до 100 мка при прямом и инверсном включении эмиттирующего перехода прибора.

Предлагаемый способ неразрушающего контроля качества полупроводникового прибора заключается в следующем. Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов решается определением параметров сп „и тП1,чувствительных к качеству поверхности эмиттерного и коллекторного переходов, и определением диапазона микротоков„ содержащего наибольшую информацию о качестве переходов, где производятся измерения этих параметров при сохранении структур.

Параметр гт был ранее известен в литературе, параметр ты предложен вновь для контроля качества коллекторного перехода.

В основу предлагаемого способа положено приближенное уравнение прямого тока через переход

QU АТ

1=1 ехр .„П и 1У: Ч

Здесь коэффициент ттт характеризует обратный наклон полулогарифмический в/а характерис285710

Составитель О. Афанасенкова

Редактор А. Калашникова Техред 1. Родак Корректор H. Ковалева

Заказ 4970/438 Тираж 1 029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 тики полного тока через переход при прямых смещениях. Величина ти — функция прямого смещения: при номинальных режимах работы прибора (где преобладает диффузионный ток) у =1; если смещение уменьшить до величины менее 100 мка (где преобладает рекомбинационный ток), то величина rn возрастает до значений более единицы, а в случае, например, инверсии поверхности иликанального эффекта, величина m становится jO более двух.

Таким образом, по значениям коэффициента ти измеренного в определенном диапазоне микротоков, можно получить информапию о состоянии поверхности перехода или о д дефектах структуры.

C целью более точного прогноза полупроводниковых приборов определен диапазон микротоков, который содержит наиболее полную информацию о качестве поверхности, и щ предложены коэффициенты эт), и tn для оценки качества эмиттерного и коллекторного переходов соответственно.

Оценку качества транзистора производит при прямом включении и инверсном включении эмиттирующего перехода прибора.

Оценку качества диода производят при прямом включении по коэффициенту N м

Формула изобретения

Способ контроля качества полупроводниковых приборов, заключающийся в измерении токовых характеристик Р-л -переходов и сравнений их с эталоном, о т л и ч а— ю шийся тем, что, с целью более точного прогнозирования отказов цри сохранении структур, измерения ведут на микротоках в диапазоне до 100 мка при прямом и инверсном включении эмиттирук>щего перехода прибора.