Высокостабильный резистор

 

О П И C А Н И Е 355670

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВйДЕТЕЛЬСТВУ

Сок>в советских

Социалистически»

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05.11.1971 (№ 1619244/26-9) М. Кл. И 01с 7)00 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 16.Х.1972. Б!Оллетень № 31

Д«T;1 опублнкова!шя опнсаштя 13.Х1.1972

Комитет ло «елвм ивобретеоиб и открытий прн Совете Министров

СССР

У,Г1 К 621.396,692(088.8) Авторы изобретения

Э. А. Бондаренко, Б. П. Соколт>В, Ю. П. 1Осов И,П. Г, Власов

Московский авиационнь!й технологический институт

Заявитель

В11С 1КС!СТАБ14,1ii.i-iaiA i 3A C Oi

Предмет изобретения

Известны высокостабильные резисторы с электропроводящим покрытием на основе м. таллизированного порошка полупроводн икового соединения или диэлектрика.

Цель изобретения — повышение надежно. стн устройства, повышение температурно!о коэффициента сопротивления и расшн рсн не

ДПЯП 13003 НОМ1111ЯЛОВ. ДОСТ11! ЯЕ СЯ О!!;1 С! 1, !To электрон рог!одящее покрытие пр! ЛлягаеМОГО РЕЗИСТОРЯ ВЫПОЛНЕНО ИЗ МЕЛ КОД!1 !!CPC!IOго порошка диэлектрического и 11! полупроводникового соед!щения с зернистой структурой, каждое зерно которого покрыто металлической пленкой.

Металлическая пленка образуется .!Ибо н результате Высяживяни!1 металла нз 1 азовоl! фазы на поверхность "l«cTH IcK порошка, либо путем разложени,l металлоорганичсских соеiIHHенHÉ, ЛИбо В жиglcoll Cpед!.,XHMH ICCII!I. ii flутем, т. е. Металлизированный полупроводниКОВЫй ПОРОЦ!ОК H:II OTOBJISIIOT До HHTOToé.!!Cllil« из него резисторов. Из такого порошка прессуют резистивное тело, которое для повышения прочности спекают II среде Водорода или нейтрального газа, а так>ке в вакууме. Это

ПОЗ ВО. и! Т ТЯ К>КЕ ЯКТИВИ РОВЯТЬ HO:I) П РОЗОД)! Иковые частички металлизированно, о порошка, Из! отовленное таким способом резистнвное т 10 обладает 0.!повременно ilICT3„ iс!1! !еской H полупроводниковой проводимостью. Оно состоит из непрерывной сетки, образуемой металлической пленкой толщиной в несколько микрон, и дискретно расположенных частичек полупроводникового соединения, отделенных

5 друг от друга пленками металла.

Ток протекает по непрерывной металлической сетке, образуемой пленками на частичках, и по полупроводн!!ковым частичкам через перегородки из пленок металла. Поскольку

10 полупроводниковые частички имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления, а металлические пленки — положительный, при нагревании резистнвного тела компенсируется его температурный коэффи15 циент сопротивления и, следовательно, стабилизируется сопротивление, Кроме того, изготовленные таким способом резисторы обладают широким диапазоном номиналов и высоким процентом выхода гojIHblx.

25 Высокостабильный резистор с электропроводящим покрытием на основе металлнзированного порошка полупроводникового соединения или диэлектрика, огличаюи!ийся тем, что, с целью повышения его надежности, ЗО уменьшения температурного коэффициента

355670

Составитель А. Туляков

Техред Л. Евдонов Корректоры: Л. Кириллова и О. Тюрина

Редактор В. Федотов

Заказ 3751717 Изд. № 1558 Тираж 406 Подписное

БНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, К-35, Раушская паб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 сопротивления и расширения диапазона номиналов, электропроводящее покрытие выполнено из мелкодисперсного порошка диэлектрического или полупроводникового соединения с зернистой структурой, каждое зерно которого покрыто металлической пленкой.

Высокостабильный резистор Высокостабильный резистор 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в качестве прецизионного набора резисторов в системах управления, автоматике, измерительной технике и других отраслях народного хозяйства

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении изделий с пленочными резистивными элементами, входящими в состав приемопередающих устройств, систем обработки сигналов и датчиков различного функционального назначения

Изобретение относится к сегнетоэлектрическим конденсаторам и может быть использовано в технике СВЧ с использованием планарной технологии

 // 369635
Наверх