Способ изготовления фотошаблонов

 

г

ЙАТЯИТг 0 вкбииотеыа у Вд

375822

ОП И САНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 08.11.1971 (№ 162762326-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 23.11!.1973. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 27.VI.1973 гЧ. Кл. Н 05k 3/28

G 03f 7/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Сввете министров

СССР

УД1 621.3.049.75(088.8) Авторы изобретения

В. А. Григорьев, В. В. Волков и Г. И. Багрянцев

Заявитель Институт неорганической химии Сибирского отделения АН СССР

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ

Изобретение относится к области технологии производства радиоэлектронных деталей и может быть использовано для изготовления фотошаблонов, используемых в фотолитографических процессах при производстве интегральных схем и полупроводниковых приборов.

Известен способ изготовления фотошаблонов, включающий операцию нанесения на фотошаблон защитной пленки методом вакуумного термического разложения исходного защитного материала. Однако при этом способе получение тонких оптически прозрачных пленок происходит с разрушением исходного рисунка и ухудшением оптических свойств фотошаблонов.

Цель изобретения — получение оптически прозрачных износоустойчивых пленок.

Это достигается тем, что в качестве исходного защитного материала используют боразол.

Пример. Одну или несколько соединенных пластин с готовым рисунком схемы,помещают (рисунком наружу) на нагреваемый тем или иным способом столик, находящийся в вакуумной камере. Образцы нагревают до

350 С в условиях вакуумной откачки (10 —

10 — торр). После достижения равномерного прогрева образцов на их поверхность направляют дозированную разреженную струю паров боразола. При этом непрерывно удаляют (например, вакуумной откачкой) газообразные продукты его термического разложения. Термическое разложение боразола на нагретой поверхности происходит по схеме

B,N,3, - 3BNH, + yH, - 3BN+ 3Н,.

В зависимости от условий осуществления процесса (температура поверхности и величина потока боразола) осаждаются близкие по

10 физико-химическим, оптическим и механическим свойствам аморфные пленки нитрида бора, содержащие переменные количества связанного водорода. Скорость роста пленок о — 1000 А/мин.

Толщина пленок, не изменяющих оптичео ских свойств фотошаблонов, 10 — 1000А, Полный производственный цикл длится 1—

2 час, производительность технологического оборудования 100 — 150 фотошаблонов за рабочую смену на единицу оборудования.

Предмет изобретения

Способ изготовления фотошаблонов, вклю25 чающий операцию нанесения на фотошаблон защитной пленки методом вакуумного термического разложения исходного защитного материала, от гичаюигийся тем, что, с целью получения оптически прозрачных износоустойчи30 вых пленок, в качестве исходного защитного материала используют боразол.

Способ изготовления фотошаблонов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления
Наверх