Патент ссср 413441

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОП ИСАНИ Е

ИЗО6РЕТ ЕН И Я

К АВХОРСИОМУ СВИДЕвЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 28.1Х.|972 (№ 1831689/26-9) М. Кл. G 01г 31/22

H 054 13/00 с присоединением заявки №

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР ао делам изооретений и открытий

Приоритет

Опубликовано 30.1.1974. Бюллетень ¹ 4

Дата опубликования описания 21Х.1974

УДК 621.396.6.002.7 (088.8) Авторы изобретения (QIl; TБ !

H. Н. Воробьев и Ю. С. Клейнфельд

Заявитель

СПОСОБ ЭЛЕКТРОТРЕНИРОВКИ МАЛОМОЩНЪ|Х

ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к области радиотехники.

Известны способы электротренировки маломощных планарных транзисторов, основанные на пропускании через транзистор постоянного тока повышенной плотности.

Цель изобретения вЂ” повышение стабильности коэффициента передачи тока.

Для этого по предлагаемому способу постоянный ток пропускают через прямосмещенный эмиттерный переход без подключения коллектора при максимально допустимой для данного типа транзистора окружающей темпер атуре.

Предлагаемый способ заключается в следующем.

Для конкретного транзистора устанавливается повышенная величина постоянного тока, который можно пропускать через прямосмещенный эмиттерный переход без внесения нарушений в структуру прибора. Для маломощных планарных ВЧ и СВЧ транзисторов максимально допустимыми постоянными токами могут быть токи порядка 50 вЂ” 150 ма. Плотчость тока при этом достигается порядка

10З вЂ” 10" А/см

Тренируемый транзистор включается в диодный режим таким образом, что эмиттерный переход смещается в прямом направлении, а коллекторный электрод остается неподключе шым. Это позволяет получить поток носителей заряда вбл. зн гэверхности базы повышенной плотности.

Транзистор помещается в термостат, где устанавливается максимально допустимая окружающая температура: для кремниевых прибсров 120 вЂ” 150 С, для германиевых 70вЂ”

10 80 С. От гепера",ора постоянного тока через эмиттерный переход пропускается ток установлен:*,îII величины. В таком режиме тран:-пстор выдерживается в течение нескольких часов. Точное необходимое время выдержки

15 устанавливается экспериментально для конкретного прибора.

Предмет изобретения

Способ электротренировки маломощных

20 планарных транзисторов, основанный на пропускании через транзистор постоянного тока повышенной плотности, отличающийся тем, что, с I c,". -:о повышения стабильности коэффициент передачи тока, постоянный ток

25 пропускают через прямосмещенный эмиттерный переход без:-одключеппя коллектора при максимально допустимой для данного типа транзистора окружающей температуре.

Похожие патенты:

Патент 411398 // 411398

Патент 410341 // 410341

Патент 410340 // 410340

Патент 410339 // 410339

Способ измерения абсолютной мощности излучающих диодов // 409156

В п т бr^.f,^ ^".-571)11 1 // 407251

Патент 405088 // 405088

Изобретения // 405087

Прибор для изл^ерения приращений // 405086

Патент 402836 // 402836

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим