Способ разрезания заготовок полупроводниковых материаловв п т бff>& п ц ц v'' f "! г. fj т f» о4-ue!4 u :;i-b../ i ud

 

419400

Предмет изобретения

Составитель Д. Гончаров

Редактор М. Макарова Техред Т. Курилко Корректор Л. Чуркина

Заказ 1977!6 Изд. № 1420 Тираж 537 Подписное

Ц11ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, 01(-35, Раугдская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Таким образом, при определе.IIIoм шаге а спира,ли подача S прямо пропорционалы1а числу оборотов заготовки и вокруг це пра (начала) спирали, который в рассматриваемом случае лежит на оси вращения круга.

Применение предложенного способа увеличивает производительность процесса резания полупроводниковых материалов, так как в контакте с кругом находится одновременно несколько заготовок и процесс резания протекает непрерывно. Кроме того, предлож нный способ позволяет снизить количество сколов на кромках отрезаемых пластин вследствие более благоприятных условий работы инсгрумента н увеличения его поперечной устойчивости в результате изменения кинематики подачи заготовок и равномерного распределенн,I нагрузки на режущую кромку.

Предложенный способ также позволяет использовать при резании круги как с внутре;;ней, так и с наружной режущей кромкой, для чего достаточно изменить направление двнже5 ния заготовок V„., по спиральной траектории.

10 Способ разрезания заготовок полупровод:;Iковых материалов на пластины алмазным кругом с внутренней режугцей кромкой путем вращения круга и подачи заготовок, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения

15 производительности и уменьшения сколов на кромках пластин, заготовки пода1от по спирали относительно оси вращения круга, перемещая их непрерывно одну за другой.