Устройство для 1'13л\ерения электрически4 свойств полупроводниковых материалов |

 

Предмет изобретения

К zeeepamopy 6БЧ илилеl/h7

Составитель Т. Дозоров

Текред А. Васильева

Редактор Л. Цветкова

Корректор Н. Торкина

Заказ 1923/б Изд. ¹ 1388 Тираж 678 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 коэффициента пропускапня нагруженного резонатора при действии напряжения, приложенного к поверхности образца. Максимум коэффициента пропускания соответствует минимуму проводимости образца, т. е. нулевому изгибу зон. Сопоставление теоретической кривой и экспериментальной кривой изменения коэффициента пропускания в темноте и при освещении образца позволяет определить величину поверхностного потенциала, соответствующую различным значениям приложенного поля, зависимость заряда захваченного поверхностными ловушками, а также скорость поверхностной рекомбинации.

Устройство для измерения электрических свойств полупроводниковых материалов, со5 держащее СВЧ свип-генератор, вентиль, детектор, усилитель, осциллограф, источник свста, генератор низкой частоты, фазовращатель и СВЧ-резонатор с расположенным в нем образцом полупроводникового материала, 10 отличающееся тем, что, с целью повышения точности и скорости измерений, образец помещен в зазор, образованный штырем и полупрозрачной стенкой резонатора, изолированной от образца и стенок резонатора.