Устройство для контроля полупроводниковых приборов

Авторы патента:

ШЕВЦОВ ВИКТОР ДМИТРИЕВИЧ

ВОРОБЬЕВ ЛЕОНИД ФЕДОРОВИЧ

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

fii) 490 О48

Союз Советских

Социалистических

Реслублик

Ф (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 04.02.74 (21) 1992608 26-25 (5!) М. Кл. С) 01г 31126 с п 17 и с 0 с ), H I I B I I I I c?,1 3 3 Я в к и, \ е>

Государственный комитет

Совета Министров СССР

Г)о делам изобретений и открытий (23) Приоритет (5 ) У qj 6о1.З62.2 (088.8) Оп»блнковано 30.10.75. Вюл?!с!(!h ¹ 40

Д lт3 011), б:!и! ОВ )ни)! ОГ)иса ни я 277.01. < 6 (72) Авторы изобретения

В. Д. Шевцов и Л. Ф. Воробьев (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области контроля свойств полупроводниковых приборов.

Известно устройство для контроля параметров тиристоров, содержащее регулируехlьlй источник !!31!ря?Кения> накопите IbHI>IA

K0lI;I,P.!1Ñ<1TOj?, .IIl. I,УКТИВНОСТЬ, КЛС. <)Ч1>1:j. 1)1 )!С111>1 т " c м О г О и,) и c) О р 3, д1) 0 с с (>;1 ь е1 и с т () >1! и к н »пульсов управления.

Известное устройство обладает недостатком вЂ” невысокой точностью измерений, т. к. необ. (оди»о точно поддерживать значение амплитуды прямого тока через испытуемый приоор, для чего необходима стабилизация выходного напряжения источника импульсов прямого тока. Так как испытуемые приборы имеют различное сопротивление (статическое) > то кроме стаоилизации выходного нанряхкения последоваTåëüíî с испытуемым прибором !!еооходимо включать ()алластное сонротнв.)сllilc, величина которого ili мс, се чем в 10 раз боз!ьн!с статического соп1)оти1!3Г!cliCilbiT1?(.»0r0 н1?нбо!73,

Целью настоящего изобретения является повышение точности измерений.

Для этого в анодну!о цепь испытуемого прибора включгн (иод B обратной полярнос Гl!, параллельно которому подключены llo(Л <. ДОВ ате;1 ->НО (ОСДИНЕНН Ы(> IICTO×11)) Ê П 9I! !(IO

1 О Гок(! и д1?осссль.

1-13 )Bj)TP?I(P 11171!BCJC на С ;е7I 3 описываех)о! » ест inllcT)33 3.?)Ic) <. 0;ТО;!т I!3 истоi)ника 1 11!i-!

1;1))) ((н ни li Cn(1.:

1! <) КО!)!1 Г .,1 i>il о! О КОН,!1. i!(. 3 )017 1, 1!0< . )\. I ОВB ГЕЛ Ь!! 11) С KO i ОРЫХ! )! )31 Г)!ОЧЕ!!!>i НПД»КТН ВНОГ) Ь

3, В к 1 10 и с н н ы и 13 О О 11;! T I! 0,1 н (! н Р е) В л с 1 н н (0 T1(? l!OcllTcл;>но ист()яника 1 напряжения) диод 4, ! i 31) ал IP I!>!>О КО I 017 0.<1 < НОДклlОчен а Цепочка

)."ç последовательно соединеннык источника

5 прямого тока, диода 4 и дросселя 6, lief lb!т)смо)î пр;!бора 7 )1 !И)нта 8. 3 также )!i 1 точи)!Ка 9 (гснсратор3) их!!)у lhcoB управл.ння. !31„ îä которогn соединен соответственlln c унравляюиг:iм ))с!)екодох! и катодом ис-!. ),! Г с»()го !ирис Г(111;!;. Осц))лло) 1)ВФ;) 10, 3::),7, i(n! Оро) ()сди!!Сll с гну))том 8.

2?(),) . т 7()BPTB(),1;! ():)т )СГ след 1011<их! .)c) 11 1.30х).

l 111 i! 13 К,710 IC B l)))»i 1 ;) lan!7)(11 КОН:10НС I! T(. 17

3!)! Яж(1 тся От исто -)ника 1 до напрЯжениЯ, сооз !3(!(TB»10111 0! О к 1 асс < :!с!7 ь)т7 с хl о! п при бо:;3 7. Одно!3рсмс);но чс )PB дроссель 6;I ди2) 51 0 1 .1 н р О. ; 0 д н т 10 с т 0 я и н ы Й т О к 0 т .!1 0T о ч н и и

5. Вел:!ч!)на постоянного тока устанаьливастся р;)в)!ой rppîóемой амплитуде импульса тока !(,)сз:!снь!Т(емыЙ fij)lioop. В да !: l;

3i) р .I)cicí Ié о Г исто )н;)ка 9 исн!.) Гус !ь!!! Г!1)и(7ор

i ОГКРЫВГ(ЕТСЛ I! КОИД, IIOJ1. ЖИТЬ Л IO -. С<1:(11:I (ТК . 11 C: Ь 3.. I!! О ., . !! c 1 fi

Гус. <(ЫИ 11!) IiUO;) ., i 1 . !! . 1 : (,11:, ТЬ,, 1 (С,, 1,I, <1

< (ок;1 (((1;)(1 (J 1)!I Вто)1 0<...т )llj).ис.-,;:. (,,сл ии!

11)ЯЖЕ(1!!С\1 If<1 КОИДС!(0<11 ОПС 2 ВС,I!1 !iil. Oil

;11!Д)КТИВИОСТ!1 . 1 cl() <1 С 1 И .1 .1" 1 f) K(1 1) ) . (С Г 11 j) .

ИС) ОД((ТЬ ДО ГС.К Г(.)P, 110ЕH ГО. 11,)",К;!.1<111 !01! (!С(111 IIC СТЛ! I "Т J) <1В!! Ы У! В,ll:-! I: iif .(IСС. ;Я(:,;Oго тока через !Ilo. l 1. J jocòîë: !(ь(:."! ",Ок .: ГО ° ()<13;)ЯД<1 КО:1,10.:!Сc!TOj)cl <. !С,3(.! Д)fl) 1, - - I.ËICI l (1() ОТ(IВ0110, (О<КIIОС lie!i! j И I)51 ll li . 1 < ) :11:11<1 1 (И(11 I ОК "С С С .:;,(1;) i . 0\ .(C l )И:Ii il .! . !;,I" i:1!, "I т) (ОЛ!,:!

1 Та(1 If. т 51 "Л 1111: I,, (10 1! (11 1 1.. И 1 11

1 ....;.!.) 1 . . ... ) 1., 1 . : С ЕГI (.

1 1, 1 O")110 ГВО (Г Я !:.i::i 1)01 l:10." ° 3 П, ОВОДИИКО,!. 1; -1(0<< i)2I"У 1(Р <.;<В(И <<1

i .i;iI(0-!:., !:!Я ИИ-;ОЛ1 1 â€”,C,1(1,1(-Я<(КОИДЕ!1

j l)
11; (111::,, 4!) I

1 сс

<,< (. с г. и„.

Рслактор В. Булдаков тскрс,! .М. Ссс)с)(ов

311 к(! 3: !О (b <" 1 !,к j 1134

;1, ;

1:), I I i: ;.:;1Л!1111

j j, ).,), .!(ос с1) К-:5 1,

Похожие патенты:

Способ определения потенциально-нестабильных полупроводниковых приборов // 490047

Устройство для измерения времени рассасывания транзисторов // 489050

Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока полупроводников // 489049

Устройство для контроля постоянных составляющих токов полупроводниковых диодов // 488152

Устройство для измерения дифференциального сопротивления диодных структур // 482697

Эталон для проверки измерителя постоянной времени транзисторов // 481863

Устройство для моделирования действия взрыва // 481044

Устройство для испытания тиристоров // 481004

Устройство для измерения удельного сопротивления полупроводникового материала // 476525

Устройство предварительной проверки полупроводниковых приборов // 473133

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720
Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721
Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989
Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990
Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956
Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732
Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617
Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042
Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим