Способ измерения коэффициента нелинейности электропроводности полупроводника

 

— «(Мф

Союз Советских

Социалистических

Республик

OllNCAHNE

NSAБРETEHNR

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (1l) я94707 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.04.73 (21) Х9П206/26-25 (51) 1 Кл В ОХ < 3>/26 с присоединением заявки

Государственный комитет

Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет (-l3) Опуоликовано 05 ° 72,75Бкзллетеи1 № 45 (15) Дата опуоликоиаиия описания в,1Я . ": (53) УД}< 62I,382.2 (088.8) (72) Авторы изооретения B. _#_.Денис, Ж. В. Канпле рис и 3.И. Мартунас

Институт физики полупроводников АН Литовской ССР (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА НЕЛИНЕИНОСТИ ЭЛЕКТРОПРОВОЛНОСТИ

ПОЛУПРОВОДНИКА

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано ;

1 для исследования изменения электропроводности в высокочастотном (ВЧ) поле как полупроводников, так и других материалов.

Известные способы измерения коэффициента нелинейности В . в ВЧ-поле эуф неудобны тем, что необходймо измерять характеристики распространяющегося в л тракте ВЧ-сигнала.

Известен способ, при котором измерение В фф основано на. эффекте смешивания гармоник, и поэтому нвт необходимости измерять характеристики распространяющегося в тракте ВЧ-сигнала.

Предполагается, что В фф не аависит от частоты, а это для каждого материала справедливо только в определенном ин1 тврвале частот ВЧ-поля.

Известен способ измерения В фф по

I изменению постоянного тока, текущего через образец, в амплитудно-модулированном ВЧ-поле, для осуществления которого необходимо, во-первых, измерить изменение постоянного тока, текущего через образец, при поступлении в тракт

ВЧ-сигнала и, вто-.вторых, определить долю мощности Р„, поглощенную обраацом. Для определения Р„ следует измерить мощность, поступающую на образец, мощность, отраженную от образца, и мощность, проходящую в тракт за образцом. Поглощенная мощность определяется как разность измеренных величин, у погрешность опр увеличивается. С другой стороны, аппаратура, предназначенная для измерения импульсной мощности ВЧ-поля,малоста бильна, ев точность во многих случаях

494707 а

Форь ула изобретения

8 Эср з Я Я !

- Фн (;остявителв Я,ЯВдОХИК

Релактор Т.ОрЛОВСКаятехрел Щ!ИЕЛЕВа корректор Н,ЛЕбодЕВа аказ Я 3 Я 1!зл. л . Я3 Тираж egg !1>лписиое!.!!!!!ИПИ Госулярствеииого комитета (.овета Министров С(:(УР по лелям изобретений и открытий

Москва, Ж-35 1 ауиискаи иаб„л. 4!5

ППП „Пятеит" Москва, l -59, ережковская иаб., l йе превышает +?Оф, а для субмиллиметрового диапазона волн такая аппаратура вообще нв разработана.

Цель изобретения — повышение точ5 ности и упрощение процесса измерений.

В соответствии с изобретением, поставленная цель достигается тема что !о для определения В фф измеряют изменение постоянного тока, протекающего через образец, при двух, определенным образом подобранных, частотах амплитудной модуляции поступающего в тракт ВЧсигнала, сохраняя при этом среднюю мощность ВЧ-поля постоянной. К образцу, помещеыному в тракт (коаксиальный, волноводный и т.п.), подсоединяют источыик постоянного напряжения и измерительный прибор, регистрирующий изменение тока через образец при подаче в тракт модулированного ВЧ-сигнала. Изменение тока

A. | регистрируют для двух частот модуляцииЯ и g. Частоту - !-. подбирают такой, что с изменением нагрева решетки за период модуляции можно не считаться, а частоту Л вЂ” такой, что заметно изменение температуры решетки за период. Наибольшую чувствительность получают при модуляции ВЧ-поля меандром. Коэффициент нелинейности в таком случае рассчитывают по формуле

Здесь С вЂ” удельная теплоемкость, удельная плотность вещества, а у-7 ./ (7у / о производная электропроводности при температуре Т, соответствующей средне! му значению температуры решетки.

Согласно предложенному способу, для определения В фф ыет необходимости измерять характеристики разогревающвго носители тока ВЧ-поля. Для того, чтобы из данных измерения можно было бы вычислить коэффициент нелинойности, надо знать температурную зависимость электропроводнссти, а также удельную теплоемкость и удельную плотность вещества, которые для любых материалов определя-! ются с большой точностью. Болная погрешность коэффициента А значительно меньше погрешности при определении

Рпогл

Таким образом, описываемый способ измерения эффективного коэффициента нв линейности электропроводности обладает большей точностью. Кроме того, значительно упрощается процесс измерения, так как не требуется определять величину поглощенной мощности ВЧ-поля.

Способ измерения коэффициента нелинейности электропроводности полупроводника в амллитудно-модулированном высокочастотном электрическом поле путем измерения изменения электрических параметров образца, например постоянного тока, протекающего через образец, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения процесса измерения, постоянный ток, протекающий через образец, измеряют при двух частотах модуляции и по изменению токов судят о коэффициенте нелинейности полупроводника, при этом среднюю мощность высокочастотного поля сохраняют постоянной.

Способ измерения коэффициента нелинейности электропроводности полупроводника Способ измерения коэффициента нелинейности электропроводности полупроводника 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх