Способ определения коэффициента инжекции
! 1
i ..«И яхт =;;., °, :,е 4е
Со5оэ Советски а
Социваиетичееииа
Республик (11) 494958
K АВТОРСКОИУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву(Я2) ЯаявленО 060274 (Я1) 1992739/26-25 с приеоеаииеиие55 заявки Р6 (23) Приоритет (51) й5. Кл.
Я 01 Я 31/26
Г55 Р5515555И 55s5555
{ 555È Н555И555 ЩР
55 Д555а 55555515555
5 51ЩН 55 (53) УДК
621. 382 {088. 8) (43) Опубликовано 0503.78&оллетеиь М 9 (45) Дата опубликования описания 070278
B. A. Бродовой, Г. П. Пека, Н. 3. Дерикот и Л. 3. Иирец
Щ) заявитель Киевский ордена Ленина государственный университет им, Т, Г. Шевченко
{54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ИНСПЕКЦИИ
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может найти применение в криогенной микроэлектронике.
Инжекционная способность контактов и p - и -переходов определяет: работу большинства полупроводниковых приборов. Кроме того, инжекция с контак-os может привести к существенным искажениям при измерении параметров полупроводников электрически и фото- 10 электрическими методами, особенно при проведении измерений в сильных электрических полях. Поэтому задача определения коэффициента инжекции 5 контактов является актуальной. 15
Известен способ определения f контакта или Р - и -перехода в триодных структурах путем измерения коллекторного и эмиттерного токов. Для определения 5" этик способом требуется Я0 изготовление триодной структуры с длиной базы .и, значительно меньшей длины диффузионного смещения инжекти.руемых носителей 4g
Недостатки этого способа следую- 25 щие: способ применим только для кристаллов с большими Lg { 4g 10 см); для определеная j требуется независимое определение трудноизмеряемого параметра - коэффиц55еита переноса5 ЗО
3 способ непригоден для определения 5 в готовом полупроводниковом устройстве, для его реализации необходимо изготовлять триодные структуры.
Цель изобретения — повышение точ- . ности, ускорение процесса контроля контактов, возможность измерения g и готовых полупроводниковых устройствах и материалах с малой длиной диффузионного смещения носителей Ьg .
Предложенный способ основан на эффекте гашения, темнового тока инжекции излучением из области примесного поглощения. Способ может быть применен при исследовании фоточувствительных кристаллов, в которых наблюдается оптическое гашение собственной,фотопроводимости, например, C3 Sj Cd Qe, Ga As (Culz
Ga As(C ),ge и Ь1 с глубокими примесными центрами и др. Способ позволяет определить долю инжекционного тока в общем токе через кристалл.
Предложенный способ измерения коэффициента инжекции состоит в следующеМ, После нанесения контактов снимают темновую вольт-амперную характеристику
{БАХ) . Кристалл возбуждают;светом из области собственного спектрального состава и при напряжении — из области линейности темновой ВАХ измеряют фо494958
Формула изобретения
Составу тель В. Утехина
Техред Н.Андрейчук Корректор A. Кравченко
Редактор Т. Орловская
Заказ 937/7 Тираж 1111 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий
11 3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал IIFjII Патент, r. Ужгород, ул. Проектная 4
У тоток. Затем подают на кристалл свет из области примесиого поглощения с интенсивностью, обеспечивающей полное гашение -собственного тока, равного исследуемому току.
Выключают. собственное возбуждение и определяют величину. погашенного темнового тока .43 в области нелинейности BAX примесной подсветкой выбранной интенсивности, По отношению h .у к об щему темновому току 3 определяют коэффициент иижекции
f а а Qt3.
Способ опробован на высокоомных кристаллах 6> «> компенсированных IS
Си и Ct, с индиевыми контактами при температуре 77ОK.
Пример определения )" в 6а« (С ).
Параметры материала". монокрнсталл п-типа,, темновое удельное сопро- щ тивление при 300 К 10 ом сму подвижность электронов,б„ 1000 см /в секу
° Ig 10 сне, Темновая ВАХ исследуемого кристалла при 77 К линейна до V 500В.
K образцу прикладывают напряжение
800 В, при этом темноной ток
3 3,5 ° 10 А, Включают собственное возбуждение Ъ 4с 3 1,5 эВ. При этом ( фототок 3<Р * 3,5 10 А при ч ° 100 В.
Дают подсветку с h и = 0,85 эВ, соответствующую максимуму оптического гашения Ga As (I:u) . Изменяя ее интенсивность, достигают полного гашения собственного фототока. При той же интенсивности подсветки измеряют величину а 7 погашенного темнового тока (a 3 = 3,85 ° 10 А). Отсюда
k3 П
= о,si.
Способ определения коэффициента инжекции контакта или р - п -перехода полупроводниковой структуры путем пропускания,электрического тока, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерения, на полупроводниковую структуру подают свет из области собственного спектрального состава, затем из области примесного поглощения, соответствующей максимуму оптического гашения собственного фототока, последовательно замеряют полное оптическое гашение фототока, гашение инжекционного тока и по их отношению определяют коэффициент инжекции.
