Устройство для электролитического травления

 

ОПИСАНИЕ О (111 503 l 9 вайа Советскнх

Социалистических

Реслублкк

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 22.06.73 (21) 1933409/26-25 с присоединением заявки № (51) М. Кл G 01R 31 26 (23) Приоритет

Опубликовано 15,02.76. Бюллетень ¹ 6 Дата опубликования описания 27.04.76

Государственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений н открытий (53) УДК 621.794.41 (088,8) (72) Авторы изобретения

В. Н. Окружнов, Ю, Н. Еншин и А. А. Федоров (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, в частности к оборудованию, применяемому для травления заготовок диодов и может быть применено при производстве туннельных и обращенных диодов.

Известны устройства для струйного электролитического травления полупроводниковых приборов по эталонному прибору, содержащие задающий релаксационный генератор, источник тока травления, коммутатор и сигнализатор.

Известное устройство не обеспечивает большой скорости травления из-за прерывания травления на время контроля и высокой точности контроля параметров из-за дискретности контроля.

Целью настоящего изобретения является повышение скорости травления и точности контроля параметров заготовки.

Это достигается тем, что в предлагаемое устройство введены усилитель-ограничитель и вентиль, при этом один вход усилителя-ограничителя соединен с эталонным генератором напряжения, второй — с эталонным генератором тока, с заготовкой и сигнализатором, а выходы усилителя-ограничителя соединены с сигнализатором и через коммутатор с вентилем, выход которого соединен с заготовкой.

На чертеже представлена структурная схема описываемого устройства.

Устройство состоит из усилителя-ограничителя 1, эталонного генератора напряжения 2, эталонного генератора тока 3, заготовки 4, сигнализатора 5, коммутатора 6 и вентиля, 5 пропускающего ток только в одном направле нии.

Устройство работает следующим образом.

После загрузки заготовки 4 на ней создается падение напряжения за счет тока, потреб10 ляемого от эталонного генератора тока 3. Разность напряжений эталонного генератора напряжения 2 и на заготовке 4, приложенная ко входным клеммам усилителя-ограничителя 1, усиливается до порога ограничителя и через

15 коммутатор 6 и вентиль 7, который соединен при помощи электролита с заготовкой 4, создает ток травления.

В процессе травления статическое сопротивление заготовки нарастает, а разность напря20 жений (эталонного и заготовки) на входе усилителя-ограничителя убывает, Когда разность напряжений, умноженная на коэффициент усиления усилителя-ограничителя, достигнет величины порога ограничения, 25 ток травления начнет убывать. Ток травления становится равным нулю, когда напряжение на заготовке сравнивается с эталонным. С этого момента электролитическое травление заготовки 4 прекращается, и если контролируемым

30 параметром задано падение напряжения на

503190

Формула изобретения

Составитспь 3. !елнокова

Текред А. Камышннкова

Корректор А. Степанова

Редактор И. Шубина

Заказ 843/17 Изд. М 1120 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, OK-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография. нр. Сапунова, 2 заготовке, то сигнализатор 5 при помощи коммутатора размыкает цепь электролитического травления и включает световую сигнализацию об окончании процесса.

Если контролируемым параметром задан пиковый ток диода, то сигнализатор 5 не срабатываст и травление продолжается за счет химических процессов, обусловленных наличием электролита, а также электрохимических процессов, обусловленных падением напряжения на заготовке. Когда напряжение на заготовке превышает эталонное, разность напряжений меняет знак, и на выходе усилителя появляется противоположное по знаку напряжение, которое не может создать ток в цепи травления, поскольку вентиль 7 его не пропускает.

Поэтому с момента равенства напряжений на заготовке и эталонного, травление продолжается в условиях отсутствия помех для контроля параметров со стороны тока травления.

Когда ток максимума заготовки, убывающий в процессе травления, достигает значения, равного эталонному, происходит переключение р-и-перехода заготовки с туннельной на диффузионную ветвь. При этом сигнализатор 5 через коммутатор 6 размыкаст цепь травления и включает световую сигнализацию об окончании процесса.

Высокая скорость травления в описываемом

5 устройстве достигается максимально возможным током травления и непрерывностью его подачи.

Устройство для электролитического травления полупроводниковых приборов, содержащее эталонный генератор напряжения, эталонный генератор тока, последовательно сое15 диненные сигнализатор и коммутатор, отл ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения скорости травления и точности контроля параметров заготовки, в него дополнительно введены усилитель-ограничитель и вентиль, при

20 этом один вход усилителя-ограничителя соединен с эталонным генератором напряжения, второй — с эталонным генератором тока, с заготовкой и сигнализатором, а выходы усилителя-ограничителя соединены с сигнализато25 ром и через коммутатор с вентилем, выход которого соединен с заготовкой.

Устройство для электролитического травления Устройство для электролитического травления 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх