Способ определения эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике

 

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ, заключающийся в том, что в однородном образце создают градиент концентрации горячих носителей тока, измеряют возникающую термо-ЭДС, и по ее , величина судят об эффективной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, между омическим контактом, расположенным н'а одной стороне образца, и емкостным контактом - на другой прикладывают постоянное напряжение, полярность которого на емкостном контакт-е противоположна знаку основных носителей тока, затем снимают, это на- . пряжение, а на часть образца с емкостным контактом накладывают импульс СВЧ излучения и измеряют импульс возникающей термо-ЭДС.и

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

„„80„„55О882

ЗЮ G 01 Р 31/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЬ1ТИЙ (21) 2093411/10 (22) 03.01.75 (46) 23.06.83. Бюл. Р 23 (72) С.П.Кальвенас, N.Û.Þçêåâè÷åíe и A.Ï.Âåðñîöêàñ (71) Институт физики полупроводников

AH Литовской ССР (53) 621.317.3(088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР

9 335751, кл. G 01 R 31/00, 1965 (прототип) . (54)(57) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭФФЕКТИВ-.

НОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ ГОРЯЧИХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ, заключающийся в том, что в однородном образце создают градиент концентрации горячих носителей тока, измеряют возникающую термо-ЭДС, и по ее величине судят об эффективной температуре, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности измерений, между омическим контактом, расположенным на одной стороне образца, и емкостным контактом — на другой прикладывают постоянное напряжение, полярность которого на емкостном контакте противоположна знаку основных носителей тока, затем снимают, это напряжение, а на часть образца с емкостным контактом накладывают импульс

СВЧ излучения и измеряют импульс возникающей термо-ЭдС.

550882 (о) Р еч (т

>4> „емр

О о

Редактор O.Þðêîâà Техред Ж. Кастелевич Корректор; С. Шекмар

Заказ 6475/2, Тираж 873 Подписное

ВНИИПИ Гocударственного комитета СССP по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r.Óæroðîä, ул.Проектная, 4

Изобретение относится к области определения электрических свойств полупроводниковых материалов.

Эффективную температуру горячих носителей тока в полупроводнике обычно определяют по величине термоэдс, 5 обусловленной градиентом концентрации носителей тока, который создают посредством легирования полупроводника, что является технологически слож. ным и трудно контролируемым процес- 10 сом. В процессе измерения наряду с полезным сигналом обычно появляются и нежелательные ЭДС. Все это приводит к снижению точности измерений.

В известном способе определения )5 эффективной температуры горячих носителей тока в полупроводнике (1) в части однородного образца с кон тактами, создают электрическое поле, причем контакты находятся вне области электрического поля, освещают образец светом, в результате чего создается необходимый градиент концентрации носителей тока, приводящий к возникновению ЭДС. . Однако в известном способе необходимо.оцениватй создаваемый светом градиент концентрации носителей тока, что значительно снижает точность измерений.

Целью изобретения является повыше-ЗО ние точности измерений, Это достигается тем, что по предлагаемому способу посредством элект" рического поля, прилаженного к образцу между омическим контактом на одной35 стороне образца и,емкостным контактом — на другой, заполняют медленные поверхностные состояния основными нОсителями тока, затем после выключения электрического поля на часть образца с емкостным контактом накладывают импульс СВЧ излучения и измеряют импульс возникающей термо-ЭДС, Схема измерений по описываемому способу показана на чертеже.

В образце электричесКИм полем создается слой 1, обедненный основными носителями тока. Между образцом и стенкой резонатора, в который он помещен, существует диэлектрический зазор 2. При выполнении условия где з — заряд электрона К - постоянная Кольцмана, 7 — температура решетки полупроводника. . B полупроводнике, помещенном s электрическое поле, температура носителей тока ТЗ (Е) связана с .тер. моэдс следующим соотношением

КТР е тз 1 идно

О но широких пределах изменений электрического поля величина термоэлектродвижущей силы однозначно связана с температурой горячих носителей то» ка в полупроводнике.