Устройство для отбраковки излучающих полупроводниковых структур

 

с

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советских

Социалистических.Республик

557701

К АВТОРСКОМУ СВИДЕПЛЬСТВУ (6!) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 14,01.76 (21) 2312884/26-25 с присоединением заявки №(51) м. KJl.

Н 01 L21/66

Государственный комитет

Совете Министров СССР

«о делам изобретений н открытий (23) Приоритет— (43) Опубликовано 25.12.77. Бюллетень МФ7 (45) Дата опубликования описания 26.12.77 (53) УДК 621,,382„ (088,8 ) Б. С. Лисенкер, Ю, Е. Марончук, И, E. Марончук и Ю. Г. Пухов (72) Авторы изобретения (71) Заявители

Институт физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР и Новосибирский государственный унт верситет (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТБРАКОВКИ ИЗЛУЧАЮЩИХ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

Изобретение относится к технике измерения светового .излучения и может быть использовано для экспрессного контроля однородности квантового вькода излучения полупроводниковых структур, предназначен- 5 ных для изготовления светодиодов или других оптоэлектронных приборов, В производстве светодиодов отбраковка готовьк приборов производится с помощью измерителей яркости, в качестве которых используются фотометры 1 11..

Недостатком такого контроля является необходимость изготрвления большого числа приборов для оценки их параметров.

Известно устройство для отбраковки излучающих полупроводниковьк структур, содержащее источник питания структуры и калиброванный фотоприемник, включенный в

; измерительную схему ) 2 (, Для измерения квантового выхода излучения структур с помощью такого уст ройства необходимо из контролируемой структуры изготовить излучательный элемент заданной площади, При этом разрушает. ся часть контролируемой структуры и затрачиваются дополнительные средства на изготовление контрольного элемента. Кроме того, устройство не может быть использовано для контроля однородности излучения по плошади структуры.

Целью изобретения является упрощение процесса измерения, Поставленная цель достигается тем, что устройство содержит подвижный капиллярный микрозонд, заполненный электролитом, по центральной оси которого расположен световод с фотоприемником, Микрозонд может легко перемешаться по структуре, а фотоприемник при этом фиксирует вет ичину квантового выхода излучения

1 в соответствующей точке.

HB чертеже приведена структурная схема предложенного устройства, Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярный микрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозонда расположен световод 4 с фотоприемником 5.

Пластина размещена на подвижном держа557701

Составитель Г. Корнилова редактор Т. Орловская Техред H. Бабурка Корректор П, Федорчук

Заказ 5015/29 Тираж 976 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета Совета Министров ССС в СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.„p. 4/5

Филиал ППП "Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 теле, р

6 об азца Микроэонд и держатель образца электрически связаны с источником а 8 ля измерепитания электрическая схема д

I опия фотоот фотоотклика электрически связана с ф топриемником 5, 5

Устройство работает следующим образом, Ч з жидкий омический микрозондовый ерез контакт 3 и подвижный держатель 6 к структуре прикладывается напряжение и за счет . тока, проходящего через световод 4 либо .через прозрачный электролит, излучение попадает на калиброванный фотоприемник и ре- гистрируется электрической схемой 8.

Квантовый выход рекомбинационного излучения рассчитывается по формуле

wi

И=с т

2 гдето(9(- соответственно мощности, под э водимая к структуре и излучаемая (изме- zQ ряется фотоприемником); .oG — коэффициент, учитывающий гео метрию зонда и характер растекания тока, Коэффициент аС может быть определен экспериментально для данного зонда. 25

Использование капиллярного зонда с фотоприемником позволяет проводить измерения по плошади руктуры беэ ее разрушения, уменьшает затраты на ssrmosaesae контрольных светодиодов, увеличивает полезную плошадь используемой структуры.

Формула изобретения

Устройство для отбраковки излучающих полупроводниковых структур, содержащее. источник питания структуры и калиброванный фотоприемник, включенный в измерительную схему, отличающееся тем,что, с целъю упрощения процесса измерения, оно содержит подвижный капиллярный микрозонд, заполненный электролитом, по центральной оси которого расположен световод с фотоприемником, Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1, Грин Г. И, Измерение параметров и

У испытание полупроводниковых приборов, Высшая школа", М., 1974, с. 182-186.

2. Cjpdz.z, N.WQEEE Тг(лчеь Ell-12„

531, 1965.

Устройство для отбраковки излучающих полупроводниковых структур Устройство для отбраковки излучающих полупроводниковых структур 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх