Способ удаления забракованных кристаллов

 

. 535628

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сок з Советских

Социалистических

Республик

>, (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.01.74 (21) 1983749/25 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.11.76. Бюллетень № 42

Дата опубликования описания 03.12.76 (51) М. Кл. Н OIL 21/66

Государствеинык комитет

Совета В3ииистров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382(088 8) (72) Авторы изобретения

В. Б. Саркисян и Б. М. Чубич (71) Заявитель (54) СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ЗАБРАКОВАННЫХ

КР И СТАЛ ЛО В

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем и может быть использовано, например, при разбраковке полупроводниковых кристаллов при контроле их по внешнему виду и подготовке к сборке.

После разделения полупроводниковой пластины на отдельные кристаллы последние подвергают контролю по внешнему виду и разбракованию.

Известен способ группового удаления забракованных кристаллов, когда бракованные кристаллы маркируют клеем, накладывают на кристаллы металлическую фольгу, прижимают ее к кристаллам, разогревают все сборку до температуры отверждения клея, охлаждают ее и удаляют фольгу с приклеенными к ней забракованными кристаллами.

Недостатком этого способа является его относительная сложность и возможность попадания клеевого состава на годные кристаллы вследствие их небольших размеров, что приводит к потере годных кристаллов, а также нарушению их первоначальной ориентации.

Известен способ удаления забракованных кристаллов, когда после разламывания скрайбированной пластины, помещенной в вакуумный пакет из термопластичной, например полиэтиленовой, пленки, и удаления верхней пленки, кристаллы подвергают внешнему контролю, например под микроскопом, и забракованные кристаллы удаляют при помощи вакуумного пинцета.

Недостатком такого способа является боль5 шая трудоемкость процесса, особенно при разбраковке кристаллов со стороной квадрата размером менее 0,5 мм, вследствие их ненадежного захвата вакуумным пинцетом.

Целью изобретения является упрощение

10 технологического процесса удаления забракованных кристаллов.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу при удалении забракованных кристаллов после разлома полупроводниковой

15 пластины в вакуумном пакете из термопластичного прозрачного материала участки одной из пленок пакета, расположенные напротив забракованных кристаллов, локально нагревают до размягчения пленки, прикладыва20 ют к этим участкам давление в направлении кристаллов, после чего пленку с прилипшими к ней забракованными кристаллами удаляют. Пленку можно нагревать одновременно с приложением давления. Полупроводни25 ковую пластину с готовыми микроструктурами после операции скрайбирования размещают в полиэтиленовом пакете, откачивают из него воздух и герметизируют. Затем известными способами, например валиком, разламы30 вают пластину на отдельные кристаллы, рас535628

Составитель О, Бочкин

Техред Е, Подурушина

Редактор И. Шубина

Корректор Л. Брахнина

Заказ 3025/14 Изд. Ю 1801 Тираж 963 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Рауьиская наб., д. 4/5

Типография, tip. Сапунова, 2 тягивают пакет в направлении от центра к периферии до образования зазора между кристаллами от 0,1 до 0,2 мм и производят контроль кристаллов по внешнему виду и их разбраковку.

Для этого пакет с кристаллами помещают под объектив микроскопа и просматривают прп увеличении 100- — 150 . При обнару2кении кристалла, имеющего дефекты по внешнему виду, участок одной из пленок пакета, расположенный напротив забракованного кристалла, локально нагревают до размягчения пленки и прикладывают к указанному участку давление в направлении к кристаллу.

После отбраковки всех кристаллов в пакете указанным способом пакет разгермстизируют и удаляют пленку с прилипшими к ней кристаллами.

Дефекты полиэтиленовой пленки в поле зрения микроскопа не просматриваются и не оказывают влияния на качество контроля кристаллов. Локальный нагрев участков пленки целесообразно производить при помощи зондов, снабженных средствами для нагрева.

Нагреву можно подвергать как верхнюю, так и нижнюю пленки пакета, в зависимости от применяемого для разбраковки оборудования.

Кроме того, нагрев пленки можно .производить одновременно с прило2кением давлени11.

Предлагаемый способ обеспечивает значительное упрощение технологического процесса удаления забракованных кристаллов, что по5 зволяет повысить его производительность и снизить трудовые затраты. Кроме того, при удалении забракованных кристаллов данным способом практически исключается возможность повреждения годных кристаллов.

Формула изобретения

1. Способ удаления забракованных кристаллов после разламывания скрайбирован15 ной полупроводниковой пластины, расположенной в вакуумном пакете из термопластичной прозрачной пленки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса, участки одной из пленок, пакета, 20 расположенные напротив забракованных кристаллов, локально нагревают до размягчения пленки, прикладывают к указанным участкам давление в направлении кристаллов, после чего пленку с прилипшими к ней забракован25 ными кристаллами удаляют.

2, Способ по п. 1, о т л ич а ю шийся тем, что пленку нагревают одновременно с приложением давления.