Многозондовая измерительная головка

 

ВСЕСОЮЗНАЯ

w;rEу т 0 и "4 т/у м библмотена МБА

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

011 5450!8

Сава Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.01.71 (21) 1613838/25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Опубликовано 30.01.77. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 14.03.77 (51) М Кq Н 01L 21/66

Государственный комитет

Совета Министров СССР ло делам изобретений (53) УДК 621.382.(088.8) и открытий (72) Автор изобретения (71) Заявитель

А. А. Калнач

Рижский ордена Трудового Красного Знамени политехнический институт (54) МНОГОЗОНДОВАЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ ГОЛОВКА

Изобретение может быть использовано для измерения электрических параметров образцов, например полупроводниковых, в магнитном поле.

Известны зондовые головки в которых зонды выполнены в виде упругих разжимных лепестков, располо?кенных по обеим сторонам измеряемых изделий (1).

Известны многозондовые головки для измерения электрических параметров образцов в магнитном поле с зондами в виде заостренных проволок с цилиндрическими пружинами для прижима зондов к образцу (2).

Однако такие головки имеют тот недостаток, что наличие цилиндрических пружин не позволяет изготовить головку, толщина которой (размер в направлении магнитного поля е. в направлении, перпендикулярном к полюсам магнита) была бы минимальной. Это необходимо для того, чтобы зазор между полюсами магнита Mo?KHQ было бы установить минимальными и тем самым получить максимальную напряженность магнитного поля.

Кроме того, в известных зондовых головках зонды не могут перемещаться вдоль образца, что не позволяет выставлять противополо?кные зонды на эквипотенциальные линии и уменьшает точность измерений.

Целью изобретения является уменьшение толщины измерительной головки.

Эта цель достигается тем, что зонды подпружинены фигурными гнутыми пружинами и расположены друг над другом, причем с одной стороны они размещены на перемещаемой планке.

На чертеже схематически показана предлагаемая головка. В основании головки 1 установлен изолятор 2 с отверстиями для зондов.

Зонды 3, представляющие собой заостренные

10 проволоки, подпружинены фигурными гнутыМи пружинами 4, которые электрически изолированы между собой и от основания 1 изолирующими прокладками и скреплены скобой 5. Правая часть головки подобна левой, 15 за исключением того, что зонды с пружинами установлены на передвижной планке б, которую можно перемещать вдоль образца 7 с помощью винта 8. Верхний токовый контакт 9 прикреплен к изолятору 10 на планке 11, 20 подпружиненной пружиной 12. Тонкие изолированные провода, которые присоединены к зондам 3 и к контакту 9 не показаны.

Тонкая часть измерительной головки помещается между полюсами магнита непосредст25 венно или будучи помещенной в сосуд с охлаждающей или подогревающей жидкостью.

Выставление зондов на эквипотенциальные линии производится вращением винта 8 с одновременным слежением за показаниями

30 измерительного прибора.

545018

Формула изобретения

Составитель H. Островская

Текред А. Камышникова

Редактор Н. Коляда

Корректор В. Дод

Заказ 209 6 Изд. № 166 Тираж 1019 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, К-35, Раушская наб., д. 4,5

Типография, пр. Сапунова, 2

Многозондовая измерительная головка с прижимными зондами для измерения электрических параметров образцов в магнитном поле, отли чающая ся тем, что, с целью уменьшения ее толщины зонды подпружинены фигурными гнутыми пружинами и расположены друг над другом, причем с одной стороны они размещены на перемещаемой планке.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Патент США № 3405361, кл. 324 †1, 1966.

5 2. Гаваленко М. П. Самопишущая установка для измерения гальвано- и термомагнитных эффектов в полупроводниках как функции температуры и магнитного поля. «Украинский физический журнал», 1964, т. 9, ¹ 2, 10 с. 150 (прототип) .

Многозондовая измерительная головка Многозондовая измерительная головка 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх