Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов

 

Сеюэ Советския

Социалистических

Реслублик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ р11867331 (61) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 250875 (21) 2167377/18-24

P3) Приоритет - (32) 27.08.74 (31) P 2440997. 0 (33) ФРГ

Опубликовано 2Э0981.бюллетень Мо35

Дата опубликования описания г 30981 (51)М. Кл.3

6 11 С 7/00

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений и открытий (53) УДК 681.З27..66,(088.8 ) Иностранец

Арнульф Лилл (Австрия) (72) Автор

° изобретения

Иностранная фирма Сименс Ar (ФРГ) (7) ) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении накопителей для запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известно устройство для считывания

ЦМД, содержащее магнитоодноосную пластину, на которой расположен магниторезисторный датчик, магнитосвязанный с ферромагнитными аппликациями канала продвижения ЦМД.

Если в данном устройстве магниторезисторный датчик не подвергается воздействию магнитного поля рассеяния15

ЦМД, то вектор намагниченности датчика расположен параллельно направлению тока 1, протекающего при работе накопителя через датчик. Если, ЦМД проходит вблизи датчика, то в 20 результате воздействия его поля рассеяния на датчик вектор намагниченности последнего поворачивается по отношению к направлению тока на угол 6) . В результате сопротивление 25 датчика изменяется на величину а R.

Это изменение сопротивления вызывает падение напряжения hU 1hR(9) которое далее используется в качестве выходного сигнала., 30

При данном токе датчика i считы-. вающий сигнал тем больше, чем больше изменение сопротивления и R датчика, обусловленное ЦМД. Величина дВ зависит от удельного изменения магнитосопротивления материала датчика. Это изменение сначала линейно растет с магнитной напряженностью поля, а затем стремится к значению насыщения. Чтобы датчики находились в состоянии насыщения от поля рассеяния Н ЦМД, это поле рассеяния о должно быть больше, чем сумма поля анизотропии Н„ датчика, в качестве которого служит обычно ферромагнитный Н. — F е-сплав, и размагничиваю1 щего поля Йр датчика (1).

Недостатком этого устройства для считывания ЦМД является низкий уровень выходного сигнала.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является устройство для считывания ЦМД, которое содержит магнитоодноосную пленку, на которой расположены магнитосвязанные расширитель ЦМД и магнитореэисторный датчик.

Расширитель ЦМД выполнен в виде ,последовательно расположенных групп.

867331 ферромагнитных аппликаций шевронной формы. В результате растяжения домена, продвигающегося в расширителе, его поле рассеяния захватывает большую площадь и воздействует на магниторезисторный датчик, выполненный в виде полоски, расположенной между соседними группами шевронных аппликаций и гальванически связанной с ними (2).

Однако в известном устройстве для считывания ЦМД в результате наличия гальванического контакта между датчиком и аппликациями расширителя ЦМД значение насыщения относительного изменения магнитосопротивления датчика лежит ниже значения насыщения материала датчика,так что для обнаружения сигнала магниторезистивные свойства используются только частично и, следовательно, сигналы считывания принимают относительно небольшие значения на фоне помех.

Цель изобретения — повышение отношения сигнал/помеха при считывании информации.

Поставленная цель достигается тем, что в устройстве для считывания

ЦМД, расширитель ЦМД и магниторезисторный датчик гальванически развязаны

На фиг. 1 приведена принципиальная схема предложеьного устройства для считывания ЦМД; на фиг. 2 — зависимость относительно изменения магнитосопротивления лВ/R от величины полн Управления Н на фиг.3зависимость выходного сигнала U>„,> от тока датчика 1 для известного (кривые а) и предложенного (кривые б) устройств для считывания ЦИД.

Устройство для считывания ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой расположены магнитосвязанные расширитель ЦМД 2 из ферромагнитных аппликаций 3 шевронной форьы, и магниторезисторный датчик

4, подключенный с помощью токоподводящих шин 5 и 6 к усилителю счи- . тывания. Аппликации 7 используются для вывода домена в накопитель (не показан) после считывания.

Значение насыщения изменения магнитосопротивления (фиг. 2) предложенного устройства примерно на

50% выше, чем в известном устройстве.

Кроме того, видно, что несмотря на уменьшенную ширину датчика и связанной с этим повышением раэмагничивающего поля Í, необходимое для насыщения датчика магнитное поле не увеличивалось. В соответствии с более высоким изменением магнитосопротивления должен быть больше снимаемый сигнал от домена.

Таким образом, чувствительность предложенного устройства для считывания ЦМД примерно в три раза больше, чем чувствительность известного устройства, что обеспечивает повышение отношения сигнал/помеха при считывании информации.

Формула изобретения

Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащее магнитоодноосную пленку., на которой расположены магнитосвязанные расширитель цилиндрических магнитных доменов и магниторезисторный датчик, отличающееся тем, что, с целью повышения отношения сигнал/помеха при считывании информации, расширитель цилиндрических магнитйых доменов и магниторезисторный датчик гальванически развязаны.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. J . App6.Phys., Ч.42,14, 1971, р. 1268.

2.Патент СЕРИА Р 3713117,кл.340-174, опублик. 1973 (прототип).