Зонная плавка с растворителем, например способом перемещающегося растворителя (C30B13/02)

Отслеживание патентов класса C30B13/02
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2044)
C30B13/02                     Зонная плавка с растворителем, например способом перемещающегося растворителя(4)

Способ получения термоэлектрических материалов на основе теллуридов висмута и сурьмы // 2579389
Изобретение относится к производству термоэлектрических материалов на основе теллуридов висмута и сурьмы. Способ заключается в предварительной очистке исходных компонентов методом вакуумной дистилляции, синтезе исходных компонентов в вакуумированных ампулах при нагреве до плавления и охлаждении, выращивании кристаллов методом вертикальной зонной перекристаллизации с применением высокочастотного нагрева, при этом выращивание кристаллов осуществляют путем не менее двух проходов со скоростью не более 2,5-3 см/ч, высокочастотный нагрев ведут на частоте 1,76 МГц с градиентом температур 200 К/см, а после выращивания кристаллов осуществляют приготовление порошка с наноструктурой размером не более 200 нм, обеспечивающей анизотропию свойств каждой частицы, брикетирование, спекание, а затем горячую экструзию.

Способ безтигельного получения монокристаллов yba2cu3o 7- // 2038430
Изобретение относится к металлургии высокотемпературных сверхпроводников. .

Способ выращивания монокристаллов н @ м @ т @ // 1611999
Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано в полупроводниковой фотоэлектронике.
 
2548238.
Наверх