Облучением или электрическим разрядом (C30B13/22)

Отслеживание патентов класса C30B13/22
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2044)
C30B13/22                     Облучением или электрическим разрядом(13)
Способ получения монокристаллов сплава вольфрам-тантал // 2453624
Изобретение относится к металлургии тугоплавких металлов и сплавов и может быть использовано при выращивании однородных монокристаллов сплава вольфрам - тантал методом бестигельной зонной плавки с электронно-лучевым нагревом (ЭБЗП).

Способ восстановления поверхности монокристаллической детали или детали, полученной направленной кристаллизацией // 2409708
Изобретение относится к технологии восстановления поверхности монокристаллической или полученной направленной кристаллизацией металлической детали, имеющей толщину Ws менее 2 мм, в которой лазерный луч и поток металлического порошка, имеющего ту же природу, что и металлическая деталь, подают на деталь с помощью сопла для получения, по меньшей мере, одного слоя монокристаллического или подвергшегося направленной кристаллизации от детали металла, при этом лазерный луч имеет мощность «Р» и перемещается вдоль детали со скоростью «v», в котором луч лазера и поток порошка подают на деталь соосно и отношение P/v находится в определенном диапазоне.

Способ выращивания бикристаллов переходных металлов // 2389831
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании бикристаллов переходных металлов и их сплавов.

Способ выращивания плоских кристаллов и устройство для его реализации // 2374339
Изобретение относится к выращиванию плоских кристаллов из тугоплавкого металла электронно-лучевой зонной плавкой и устройству для его реализации.

Устройство электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов и сплавов для выращивания монокристаллов // 2370553
Изобретение относится к устройству электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов для выращивания монокристаллов.

Устройство электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов и сплавов для выращивания монокристаллов // 2370552
Изобретение относится к устройству электронно-лучевой зонной плавки тугоплавких и переходных металлов и сплавов для выращивания монокристаллов.

Способ управления электронно-лучевой зонной плавкой и устройство для его осуществления // 2359074
Изобретение относится к способу управления электронно-лучевой зонной плавкой и устройству для определения рабочего значения тока накала и может быть использовано при выращивании монокристаллов переходных и тугоплавких металлов и их сплавов и их вакуумном рафинировании.

Способ выращивания трубчатых кристаллов вольфрама и устройство для его реализации // 2358043
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании трубчатых кристаллов вольфрама электронно-лучевой вертикальной зонной плавкой с использованием кольцевого затравочного кристалла.

Способ электронно-лучевой зонной плавки металла и устройство для его осуществления // 2287023
Изобретение относится к области металлургии черных и цветных металлов и может быть использовано при выращивании монокристаллов и вакуумном рафинировании различных материалов с помощью электронно-лучевой зонной плавки.

Способ получения монокристалла сложного оксида // 1696616
Изобретение относится к синтезу монокристаллов и может быть использовано в радиоэлектронной технике. .

Устройство для рекристаллизации кремниевых пластин // 1606540
Изобретение относится к электронной промышленности и обеспечивает равномерный нагрев пластины при сокращении количества блоков ламп.
 
2549138.
Наверх