Однонаправленное отвердевание эвтектик (C30B21)

Отслеживание патентов класса C30B21
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B21                 Однонаправленное отвердевание эвтектик(3)

Монокристаллический материал интерметаллического соединения титана и алюминия и методы его получения // 2701438
Изобретение относится к области металлургии, в частности к интерметаллическим сплавам титана и алюминия, и может быть использовано для изготовления деталей летательных аппаратов и автомобилей.

Способ получения кристаллических полых изделий и устройство для его осуществления // 2031984
Изобретение относится к способам получения из расплава кристаллических тел с точно заданными размерами канала и может быть использовано в различных областях презиционной техники, в частности для изготовления монокристаллических капилляров и волноводов.
 
.
Наверх