Однонаправленное отвердевание эвтектик (C30B21)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(2110)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)

C30B21 Однонаправленное отвердевание эвтектик(3)

C30B21/02 - Обычной отливкой или замораживанием при температурном градиенте(1)

Монокристаллический материал интерметаллического соединения титана и алюминия и методы его получения // 2701438

Изобретение относится к области металлургии, в частности к интерметаллическим сплавам титана и алюминия, и может быть использовано для изготовления деталей летательных аппаратов и автомобилей. Монокристаллический интерметаллический сплав титана и алюминия имеет состав, ат.%: TiaAlbNbc(C,Si)d, где 43≤b≤49, 3<c≤10, 0,1≤d≤1, a+b+c+d=100 ат.%.

Способ получения кристаллических полых изделий и устройство для его осуществления // 2031984

Изобретение относится к способам получения из расплава кристаллических тел с точно заданными размерами канала и может быть использовано в различных областях презиционной техники, в частности для изготовления монокристаллических капилляров и волноводов.

Способ определения фронта кристаллизации и устройство для его осуществления // 1635598

Способ получения бикристаллов // 813984