С использованием электрических полей, например электролиза (C30B30/02)

Отслеживание патентов класса C30B30/02
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B30/02                     С использованием электрических полей, например электролиза(14)

Устройство для получения нанокристаллической эпсилон фазы оксида железа // 2753182
Изобретение относится к области материаловедения и нанотехнологий с использованием устройства для получения нанокристаллической эпсилон фазы оксида железа Fe2O3, который может быть использован в водородной энергетике и средствах магнитной записи информации.

Способ получения нанокристаллической эпсилон-фазы оксида железа // 2752330
Изобретение относится к области материаловедения и нанотехнологий, а именно к получению нанокристаллической эпсилон-фазы оксида Fe2O3, который может быть использован в водородной энергетике и средствах магнитной записи информации.

Способ получения нанокристаллического диоксида титана со структурой анатаз // 2749736
Изобретение относится к области материаловедения и нанотехнологий, а именно к получению диоксида титана, который может быть использован в водородной энергетике и технологиях очистки воды.

Способ выращивания слоев алмаза на подложке монокристаллического кремния // 2722136
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния.
Электрохимический способ формирования кристаллов оксидных вольфрамовых бронз из нановискеров (варианты) // 2706006
Изобретение относится к вариантам электрохимического способа формирования кристаллов оксидных вольфрамовых бронз из нановискеров.

Способ получения 2d кристаллов карбида кремния электроимпульсным методом // 2678033
Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано для получения нанокомпозитных материалов для создания источников питания, работающих в экстремальных условиях.

Способ получения мелкокристаллического корунда // 2664149
Изобретение относится к производству абразивных тугоплавких материалов, в частности к получению порошка - оксида алюминия (корунда), и может быть использовано в металлообрабатывающей, машиностроительной, химико-металлургической промышленности.

Способ управления способностью растворов солей к нуклеации при кристаллизации // 2651006
Изобретение относится к технологическим процессам, касающимся выделения из растворов солей в виде кристаллической массы, и предназначено для нереагентного изменения способности кристаллогидратов металлов регулировать инициирование зародышей и таким образом управлять числом зародышей и размерами выделяющихся кристаллов..

Способ формирования сверхлегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния // 2646644
Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения.

Способ получения нанокристаллического порошка оксикарбида молибдена // 2641737
Изобретение относится к химической технологии получения оксикарбида молибдена и может быть использовано в углекислотной конверсии природного газа в качестве катализатора.

Способ сращивания изделий из поликристаллических алмазов в свч-плазме // 2635612
Изобретение относится к способам получения монолитных соединений стержней из поликристаллических алмазов, предназначенных для использования в производстве приборов электроники, оптики, СВЧ-техники, в частности для изготовления диэлектрических опор в лампах бегущей волны (ЛБВ), использующих низкий коэффициент поглощения на частотах генерации.

Способ формирования цветного декоративного покрытия с помощью анодирования // 2620801
Изобретение относится к технологии получения декоративных покрытий при окраске металлических изделий в различные цвета и создания высокотехнологичных оптоэлектронных устройств с применением элементов, способных отражать или пропускать свет с определенной настраиваемой длиной волны.

Способ увеличения размеров алмазов // 2585634
Изобретение относится к области получения синтетических алмазов и может быть использовано в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц, а также в ювелирном деле.

Способ получения искусственных алмазов из графита // 2560380
Изобретение относится к технологии получения алмазов. Искусственные алмазы получают из графита на подложке в присутствии электродов путем расположения графита на подложке, являющейся электродом с отрицательным зарядом, расположенной в кварцевой пробирке, и при нагреве до 1000°C при атмосферном давлении в радиационной печи.

Способ получения наноалмазов при пиролизе метана в электрическом поле // 2521581
Изобретение может быть использовано в медицине при производстве препаратов для послеоперационной поддерживающей терапии.

Способ прямого получения поликристаллического кремния из природного кварца и из его особо чистых концентратов // 2516512
Изобретение относится к технологии получения чистых веществ, используемых в отраслях высоких технологий: полупроводниковой, солнечной энергетики, волоконно-оптической связи.

Способ получения наноструктурированных массивов кристаллов оксида цинка // 2478740
Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано для получения отдельных кристаллов и массивов оксида цинка для применения в качестве активных элементов, материала для фотокаталитической очистки сред, пьезоэлектрических датчиков, а также для фундаментальных исследований кинетики роста кристаллов.

Способ получения наноалмазов // 2465376
Изобретение относится к области получения наноалмазов, представляющих интерес для использования в послеоперационной поддерживающей терапии.

Способ пиролитического выращивания нанокристаллических слоев графита // 2429315
Изобретение относится к области получения монокристаллических слоистых пленок графита на полупроводниковых подложках, представляющих интерес для использования в производстве приборов оптоэлектроники.

Способ формирования слоя поликристаллического кремния на стержневой основе // 2428525
Изобретение относится к хлорсилановой технологии получения поликристаллического кремния и может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов и электронных приборов.

Способ получения поликристаллического кремния // 2409518
Изобретение относится к получению поликристаллического кремния газофазным осаждением на нагретые подложки и может быть использовано для производства полупроводниковых материалов, солнечных элементов и в микроэлектронике.

Способ формирования пленок фотонных кристаллов (фк) на проводящих подложках // 2371525
Изобретение относится к области получения пленок фотонных кристаллов. .

Способ выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, и устройство для его реализации // 2367730
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов методом Чохральского. .

Способ получения эпитаксиальных пленок растворов (sic) 1-x(aln)x // 2333300
Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC) 1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (AlN) или нитрида галлия (GaN) на подложках карбида кремния (SiC).
 
.
Наверх