Легирование путем облучения электромагнитными волнами или облучения частицами (C30B31/20)

C30 Выращивание кристаллов (разделение кристаллизацией вообще B01D9)(2110)

C30B Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)

C30B31 Способы диффузии или легирования монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой; устройства для этих целей(81)

C30B31/20 Легирование путем облучения электромагнитными волнами или облучения частицами(19)

Способ изготовления лазерного элемента из кристалла алмаза с nv¯ центрами окраски и лазерный элемент, полученный этим способом // 2781454

Изобретение относится к области создания алмазных лазеров. Предложен способ изготовления лазерного элемента из кристалла алмаза с NV- центрами окраски, заключающийся в том, из искусственно синтезированного кристалла алмаза типа Ib, полученного методом высоких давлений и высоких температур (НРНТ) в металл-углеродной системе Fe-Ni-C или Fe-Co-C без геттеров азота при температурах ниже 1450°С с отношением пиковых коэффициентов поглощения в ИК полосах 1130 см-1 и 1344 см-1, вырезают элемент в виде прямоугольного параллелепипеда c определенной начальной концентрацией одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения, затем подвергают его облучению электронами с определенной дозой, затем осуществляют отжиг до достижения центрами окраски NV- содержания от 2,5-5,0% от содержания одиночных изолированных атомов азота в позиции замещения (дефектов С), а также лазерный элемент, полученный по предложенному способу.

Способ получения кремния с изотопическим составом 28si, 30si // 2646411

Изобретение относится к технологии трансмутационного легирования полупроводниковых материалов, в частности к получению кремния с определенным изотопическим составом, который может быть использован для создания квантовых битов информации на ядерных спинах атомов фосфора, полученных трансмутацией отдельных атомов такого кремния.

Способ получения легированного алмаза // 2537491

Изобретение относится к технологическим процессам получения легированных алмазов, которые могут быть использованы в электронике и приборостроении, а также в качестве ювелирного камня. Легированный алмаз получают методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) на подложку в реакционной камере 2.

Способ и устройство для нейтронного легирования вещества // 2514943

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния тепловыми нейтронами, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности.

Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом // 2344209

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV. .

Облучательное устройство уран-графитового реактора для радиационного облучения материалов // 2255389

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК. .

Способ определения концентрации легирующей примеси в полупроводниках после нейтронно-трансмутационного легирования // 2208666

Изобретение относится к области радиационных технологий, преимущественно к нейтронно-трансмутационному легированию (НТЛ) полупроводников, и может быть использовано для определения концентрации легирующей примеси (т.е.

Способ получения резистентного кремния // 2202655

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей. .

Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния // 2193610

Изобретение относится к технологии нейтронно-трансмутационного легирования (НТЛ) кремния при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления приборов электронной и электротехнической промышленности.