С использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц (C30B33/04)

Отслеживание патентов класса C30B33/04
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B33        Последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (C30B31 имеет преимущество; шлифование, полирование B24; тонкая механическая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов B28D5) (308)
C30B33/04                     С использованием электрических или магнитных полей или облучения потоком частиц(68)
Способ получения материала высокой теплопроводности и теплоотвод, изготовленный из материала, полученного этим способом // 2757042
Изобретение относится к технологии производства материала высокой теплопроводности путем постростовой обработки монокристаллов алмаза.

Способ записи информации внутри кристалла алмаза // 2750068
Изобретение относится к технологии создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например, кода идентификации, метки, идентифицирующие алмазы.

Монокристаллический синтетический алмазный материал, полученный химическим осаждением из газовой фазы // 2705356
Изобретение относится к синтезу монокристаллического CVD алмазного материала, который может быть использован в оптике, ювелирных изделиях, в качестве подложек для дальнейшего CVD роста алмазов, механических применениях, в области квантового зондирования и обработки информации.
Способ бесконтактной обработки поверхности алмазов // 2620392
Изобретение относится к технологии обработки алмазов, а именно к методам придания им заданной геометрической формы, и востребовано в промышленности для производства электроники.

Способ нанесения маркировки на поверхность алмаза или бриллианта для определения его подлинности // 2611232
Изобретение относится к способу определения подлинности изделия в виде алмаза или бриллианта. Идентификационную маркировку невидимую невооруженным глазом наносят на алмаз или бриллиант путем воздействия лазерным излучением с длиной волны более 500 нм с одновременным воздействием ультразвуком посредством инструмента, расположенного на поверхности участка.

Способ обработки монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт // 2580916
Изобретение относится к технологии обработки монокристаллического CVD-алмазного материала. Описан способ введения NV-центров в монокристаллический CVD-алмазный материал.

Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков // 2566142
Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с бидоменной структурой и может быть использовано в нанотехнологии и микромеханике при создании и работе приборов точного позиционирования, в частности зондовых микроскопов, лазерных резонаторов, а также при юстировке оптических систем.

Способ электрической пассивации поверхности монокристаллического кремния // 2562991
Изобретение относится к технологии обработки кремниевых монокристаллических пластин и может быть использовано для создания электронных структур на его основе.

Способ получения фантазийного бледно-синего или фантазийного бледного сине-зеленого монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт // 2540624
Изобретение относится к технологии производства окрашенных алмазных материалов, которые могут найти применение в качестве драгоценных камней или режущих инструментов.

Способ формирования высококачественных гетероструктур светоизлучающих диодов // 2540623
Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может быть использовано для создания высококачественных полупроводниковых светоизлучающих диодов (СИД) на основе гетероструктур соединений A3B5.

Способ обработки монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт // 2540611
Изобретение может быть использовано при получении ювелирных алмазов. Способ введения NV-центров в монокристаллический CVD-алмазный материал включает следующие стадии: облучение CVD-алмазного материала, который содержит одиночный замещающий азот, для введения изолированных вакансий в концентрации по меньшей мере 0,05 ppm и самое большее 1 ppm; отжиг облученного алмаза для формирования NV-центров из по меньшей мере некоторых из дефектов одиночного замещающего азота и введенных изолированных вакансий.

Алмазный материал // 2537857
Изобретения могут быть использованы в химической и ювелирной промышленности. Алмазный материал, легированный азотом, полученный по технологии CVD, или представляющий собой монокристалл или драгоценный камень, проявляет различие абсорбционных характеристик после воздействия излучения с энергией по меньшей мере 5,5 эВ, в частности УФ-излучения, и термической обработки при температуре 798 К.

Способ низкотемпературного выращивания оксида кремния // 2532188
Изобретение относится к области низкотемпературных технологий микро- и наноэлектроники и может быть использовано для создания радиационно-стойких интегральных схем и силовых полупроводниковых приборов.

Способ формирования высококачественных моп структур с поликремниевым затвором // 2524941
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для создания высококачественных мощных ДМОП транзисторов, КМОП интегральных схем, ПЗС-приборов.

Способ изготовления фантазийно окрашенного оранжевого монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт // 2497981
Изобретение относится к технологии получения цветных алмазных материалов, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности.

Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов // 2492283
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов ниобата лития с бидоменной структурой, применяемых в устройствах нанотехнологии и микромеханики.

Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой // 2485222
Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с доменной структурой и может быть использовано при создании устройств позиционирования, акустоэлектроники, для модификации диэлектрических, пироэлектрических и оптических свойств.

Способ термической обработки алмазов // 2471542
Изобретение относится к способам, используемым при работе с повышенным давлением и вызывающим физическую модификацию веществ.

Способ создания оптически проницаемого изображения внутри алмаза, устройство для его осуществления (варианты) и устройство для детектирования указанного изображения // 2465377
Изобретение относится к способам создания внутри алмазов изображений, несущих информацию различного назначения, например коды идентификации, метки, идентифицирующие алмазы.

Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами // 2448900
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в магнитометрии, квантовой оптике, биомедицине, а также в информационных технологиях, основанных на квантовых свойствах спинов и одиночных фотонов.

Способ получения алмазов фантазийного желтого и черного цвета // 2434977
Изобретение относится к области обработки (геммологического облагораживания) природных и синтетических алмазов с конечной целью улучшения их декоративных свойств.

Устройство для облучения минералов // 2406170
Изобретение относится к радиационным методам обработки минералов для изменения их оптико-механических свойств, в частности повышения их ювелирной ценности.
Способ поляризации монокристалла танталата лития // 2382837
Изобретение относится к промышленному производству монокристаллов, полученных из расплава методом Чохральского, и может быть использовано при поляризации сегнетоэлектриков с высокой температурой Кюри, преимущественно танталата лития.

Способ получения монокристаллических пластин арсенида индия // 2344211
Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV. .

Способ облучения минералов и устройство для его осуществления // 2341596
Изобретение относится к радиационным методам обработки минералов с целью повышения их ювелирной ценности. .

Способ обработки алмазов // 2293148
Изобретение относится к области обработки драгоценных камней, в частности алмазов, и может найти применение в ювелирной промышленности.
Способ очистки алмаза // 2285070
Изобретение относится к области получения алмазов ювелирного качества и может быть использовано для высококачественной очистки алмазов.
Способ обработки окрашенных алмазов и бриллиантов для обесцвечивания и снятия напряжений // 2281350
Изобретение относится к области обработки алмазов и бриллиантов высокими давлениями при высокой температуре и может быть использовано на предприятиях, обрабатывающих алмазы, для обесцвечивания и ослабления напряжений в кристаллах.

Способ профилирования тугоплавких и химически стойких материалов // 2252280
Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения.
Способ получения алмазов фантазийного красного цвета // 2237113
Изобретение относится к области обработки (облагораживания) алмаза для придания им различной цветовой окраски и может найти применение в ювелирной промышленности.

Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования // 2233354
Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с сформированной доменной структурой и может быть использовано при создании и работе приборов точного позиционирования, в частности зондовых микроскопов, а также при юстировке оптических систем.

Способ обработки и улучшения поверхности материалов лазерным лучом // 2206645
Изобретение относится к области материаловедения и может быть применено в производстве полупроводниковых приборов.

Устройство для обработки поверхности материалов лазерным лучом // 2206644
Изобретение относится к области материаловедения, а более конкретно к устройствам для обработки поверхности материалов микро- и оптоэлектроники лазерными методами, и может быть применено в производстве полупроводниковых приборов.

Способ формирования примесных профилей в полупроводниковых и диэлектрических материалах // 2197571
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых и диэлектрических материалов с заданными примесными диффузионными профилями и, в частности, может быть использовано при формировании сверхмелких и сверхглубоких р - n-переходов в полупроводниковых материалах для очистки от загрязняющих примесей полупроводниковых и диэлектрических материалов, а также для тотального изменения их оптических свойств и цвета.
Способ окрашивания некондиционных алмазов в черный цвет // 2178814
Изобретение относится к области обработки алмазов. .

Способ ионно, ионизационно, термодинамического твердофазного объемного сращивания и облагораживания кристаллов диффузионной сваркой // 2145366
Изобретение относится к диффузионной сварке кристаллов и может быть применено при сращивании и облагораживании различных кристаллов для радиоэлектронной промышленности, в ювелирном деле, в оптике и других отраслях.
Способ облагораживания алмазов // 2145365
Изобретение относится к области обработки драгоценных камней, в частности обработке алмазов, и может найти применение в ювелирной промышленности и различных отраслях техники.

Способ облучения минералов // 2104770
Изобретение относится к радиационным методам обработки минералов с целью повышения их ювелирной ценности. .

Способ уменьшения намагниченности магнитных оксидных материалов // 2077618
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в микроэлектронике и оптоэлектронике для записи и считывания информации.

Способ изменения окраски минералов // 2076910
Изобретение относится к облагораживанию минералов, в частности бесцветных разновидностей полупрозрачного благородного серпентинита, а также улучшению цвета серпентинита с бледной серо-зеленой окраской.
 
.
Наверх