Обработка светочувствительных материалов и устройства для этой цели (G03F7/26)
G Физика(403185)
G03 Фотография; кинематография; аналогичное оборудование, использующее волны иные, чем оптические; электрография; голография (воспроизведение изображений или образов путем развертки и преобразования в электрический сигнал H04N)
(10965)
G03F Фотомеханическое изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например для печати, для изготовления полупроводниковых приборов; материалы для этих целей; оригиналы для этих целей; устройства, специально приспособленные для этих целей (фотонаборные устройства B41B; светочувствительные материалы или процессы для фотографических целей G03C; электрография, чувствительные слои или процессы G03G)
(960)
G03F7 Фотомеханическое, например фотолитографическое, изготовление рельефных (текстурированных) поверхностей или поверхностей с рисунком, например печатные поверхности; материалы для этих целей, например содержащие фоторезисты; устройства, специально приспособленные для этих целей (использующие фоторезистные структуры для специальных процессов см. соответствующие подклассы, например B44C,H01L, а также рубрики, например H01L21,H05K)
(566)
Изобретение может быть использовано для формирования фоторезистивных пленок, однородных по толщине и пригодных для проведения операций фотолитографии для формирования интегральных микросхем, МЭМС и СВЧ-структур на подложках, в том числе со сложным рельефом, где перепад высот существенно больше толщины формируемой пленки фоторезиста.
Изобретение относится к вариантам способа проявления светоотверждающейся заготовки печатной формы с целью формирования рельефной структуры, содержащей множество рельефных точек. При этом в одном из вариантов светоотверждающаяся заготовка печатной формы содержит несущий слой, на котором находится по меньшей мере один светоотверждающийся слой, барьерный слой, расположенный по меньшей мере на одном светоотверждающемся слое, и удаляемый лазерным излучением маскирующий слой, расположенный поверх барьерного слоя, причем способ включает стадии: а) визуализации по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя путем избирательной лазерной абляции удаляемого лазерным излучением маскирующего слоя с целью создания изображения, б) экспонирования заготовки печатной формы через барьерный слой и маскирующий слой одним или несколькими источниками актиничного излучения с целью избирательного сшивания и отверждения участков по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя, при этом по меньшей мере один светоотверждающийся слой сшивают и отверждают на участках, не покрытых маскирующим слоем, и тем самым создают рельефную структуру, и в) проявления заготовки печатной формы с целью удаления барьерного слоя, подвергнутого лазерной абляции маскирующего слоя и неотвержденных участков светоотверждающегося слоя и выявления рельефной структуры, где стадия проявления заготовки печатной формы включает стадии: i) размягчение несшитых участков по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя путем нагревания по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя до температуры, при которой несшитые участки по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя размягчаются, в то время как отвержденные участки по меньшей мере одного светоотверждающегося слоя остаются твердыми, и ii) удаление несшитых участков светоотверждающегося слоя путем введения в контакт печатающего элемента с абсорбирующим материалом, способным поглощать несшитый фотополимер, посредством чего выявляют рельефную структуру.
Изобретение относится к области обработки полимерных материалов и касается способа термического проявления фотоотверждаемой заготовки печатной формы для получения рельефной растровой структуры. Заготовка содержит слой основы, фотоотверждаемый слой и удаляемый лазером масочный слой, расположенный поверх фотоотверждаемого слоя.
Способ получения трехмерных объектов // 2491594
Изобретение относится к процессам формирования (синтеза) трехмерных объектов произвольной формы с использованием технологии интерференционной литографии. .
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к микроэлектронике интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки и резонаторы), которые находят широкое применение в авионике и бортовых системах.
Изобретение относится к способу освещения, по меньшей мере, одной среды для быстрого прототипирования (СБП), в котором указанное освещение осуществляют, по меньшей мере, двумя одновременно индивидуально модулируемыми световыми пучками (ИМСП), проецируемыми на указанную среду для быстрого прототипирования (СБП), и в котором указанную среду для быстрого прототипирования освещают световыми пучками (ИМСП), имеющими, по меньшей мере, два различных содержания длин волн (СДВ1, СДВ2).
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы).
Способ удаления резистивной маски // 2318267
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к удалению резистивной маски с поверхности кремниевых пластин после фотолитографических операций. .
Способ травления слоя фоторезиста // 2318231
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам удаления слоя фоторезиста с поверхности кремниевых подложек методом плазмохимического травления. .
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике технологических процессов производства изделий микроэлектроники, в частности к контролю фотолитографических процессов с использованием газофазной химической модификации приповерхностного слоя пленок фоторезистов.
Способ определения глубины залегания модифицированного приповерхностного слоя в полимерной пленке // 2148853
Изобретение относится к технике газофазной химической модификации приповерхностного слоя полимерных пленок, в частности фоторезистных, и может быть использовано на операциях контроля фотолитографических процессов, а также любых других пленок, прозрачных в видимой области спектра на отражающих подложках.
Способ сухой литографии // 2082257
Изобретение относится к микролитографии как одной из важнейших стадий технологии микроэлектроники и предназначено для формирования резистных масок. .
Способ изготовления масок // 2064689
Способ проявления позитивного фоторезиста // 2022309
Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано в фотолитографии, например, при определении момента окончания процесса проявления пленки фоторезиста. .
Позитивный фоторезист и способ его обработки // 2012918
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве фоторезистов или в процессах фотолитографии для производства интегральных микросхем (ИМС). .
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .
Изобретение относится к области обработки материалов и может быть использовано при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности на операциях фотолитографии. .
Способ изготовления заготовки фотошаблона // 1812546
Способ формирования фоторезистивной маски // 1667529
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .
Способ формирования рисунка // 1662361
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при создании устройств на основе сверхпроводящих материалов. .
Способ изготовления хромовых шаблонов // 1577555
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в литографических операциях при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. .
Способ изготовления субмикронных структур // 1517663
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. .
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при формировании рисунков микросхемы методом фотолитографии. .
Способ литографии // 1473568
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении высокоразрешающих шаблонов для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Способ фотолитографии // 1454116
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, а именно к формированию фоторезистивной маски для обратной фотолитографии. .
Способ получения изображения // 1428058
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении приборов на поверхностных акустических волнах. .
Способ устранения дефектов фотошаблонов // 1365036
Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество восстановленных фотошаблонов, Облучсчют дефектное место фотошаблона сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя и со стороны основания а Осаждают продукт фоторазложения со стороны основания фотошаблона до уменьшения мощности лазерного излучения на 70- 85%, а со стороны маскирующего слоя - до получения оптически плотного слоя Показателем качества ремонта дефектов является интегральная оптическая плотность дефектного места после осаждения , определяемая фотометрированием.
Способ получения рисунка шаблона // 1353142
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на литографических операциях при изготовлении шаблонов для полупроводниковы. .
Способ формирования рельефных изображений // 1196796
Способ получения негативной маски // 1132746
Способ формирования изображения на подложке // 1100604
Электронорезист // 1078399
Фотошаблон и способ его изготовления // 938338
Установка для изготовления фотошаблонов // 428351
Устройство для проявления фоторезиста // 387441
Способ изготовления фотошаблонов // 375822
Способ получения рельефных микрорисунков // 309664
