Способ изготовления субмикронных структур
Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Целью изобретения является повышение точности изготовления структур за счет устранения недотравленных участков рабочих слоев. На подложку с рабочим слоем наносят слой резиста и электронолитографией формируют в нем рельеф с отрицательным профилем. Допроявление резиста осуществляют реактивным ионно-лучевым травлением (РИЛТ) в среде кислорода под тем же углом, что и РИЛТ рабочего слоя. Это позволяет удалять остатки резиста из области геометрической тени, обусловленной отрицательным профилем резистивной маски. В результате РИЛТ рабочего слоя под углом к обрабатываемой поверхности осуществляется при полном отсутствии остатков резиста, что приводит к повышению качества формируемых субмикронных структур. 1 ил.
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении твердотельных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Целью изобретения является повышение точности изготовления структур. При удалении остатков недопроявленного резиста реактивным ионно-лучевым травлением под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки, удаление остатков резиста происходит только на тех участках, где и будет формироваться элемент субмикронной структуры. Отсутствие на поверхности подожки остатков резиста приводит к повышению точности изготовления структур при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки за счет устранения недотравленных участков. На чертеже иллюстрируется предлагаемый способ. На подложку 1 нанесен слой 2 резиста, в котором сформирована маска с отрицательным профилем. В окнах маски после проявления имеется тонкий слой 3 недопроявленного резиста. Допроявление резиста осуществляется только в области 4. П р и м е р. На подложку 1 (пластину из арсенида галлия с рабочим слоем окиси кремния толщиной 0,1 мкм) наносят слой 2 электронорезиста (ЭРП-1 или ЭЛП-9) толщиной 1 мкм. На установке электронолитографии ZBA-10 экспонируют затворные полосы размером 0,4 мкм. Резист проявляют в смеси метилэтилкетона с толуолом, взятой в соотношении 1:1, травление недопроявленных участков слоя 3 резиста проводят в области 4 на установке ионного травления УРМ 3. 279.029 в среде кислорода. Пластину располагают под углом 60о к ионному пучку. Рабочее давление 5
10-3 Па, напряжение разряда 0,9 кВ, ток пучка 10 мА, время травления 10 мин. После этого без развакуумирования рабочей камеры проводят реактивное ионно-лучевое травление слоя окиси кремния в области 4 в среде хладона 218. Угол между ионным пучком и пластиной не изменяется. Напряжение разряда 2,5 кВ, ток пучка 40 мА, время травления 13 мин. В результате были получены структуры с длиной затвора 0,2 мкм. Отсутствие недотравленных участков в слое окиси кремния обеспечивает высокое качество структур, что подтверждается при последующем изготовлении полевых транзисторов.
Формула изобретения
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР, включающий формирование резистивной маски путем нанесения на подложку слоя резиста, его электронно-лучевого экспонирования и жидкостного проявления, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме и реактивное ионно-лучевое травление подложки под углом к обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме осуществляют путем реактивного ионно-лучевого травления под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки.РИСУНКИ
Рисунок 1
