Эмиссионные микроскопы, например автоэлектронные микроскопы (H01J37/285)
H01J37/285 Эмиссионные микроскопы, например автоэлектронные микроскопы(39)
Изобретение относится к способам обработки изображений и предназначено для выравнивания изображений слоев, полученных с помощью растрового электронного микроскопа с фокусированным ионным пучком, для последующего построения трехмерной модели образца.
Изобретение направлено на создание электрохимического цифрового сканирующего туннельного микроскопа. Технический результат - повышение точности, производительности и надежности измерений, а также расширение функциональных возможностей при исследовании электрохимических процессов.
Изобретение относится к области приборостроения. .
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к измерению температуры одной проводящей (металлической или полупроводниковой) наночастицы с помощью сканирующего туннельного микроскопа, работающего в режиме наноконтакта и использование эффекта Зеебека в наноразмерной контактной области.
Изобретение относится к исследованию микрорельефа как проводящих, так и непроводящих поверхностей образцов твердых тел. .
Изобретение относится к сканирующей туннельной спектроскопии и может быть использовано для получения топографии проводящих поверхностей, а также изучения физико-технологических свойств твердых тел. .
Изобретение относится к области научного приборостроения и может быть использовано для получения топографии проводящих поверхностей, а также для изучения физико-технологических свойств твердых тел. .
Изобретение относится к области электронных приборов, в частности к эмиссионным видеоустройствам. .
Изобретение относится к области электронной микроскопии. .
Изобретение относится к электронным вакуумным приборам, в частности к эмиссионным микроскопам и видеоусилителям, и раскрывает способ визуализации и увеличения изображений исследуемых объектов. .
Изобретение относится к области исследования поверхностных слоев вещества методами СВЧ и сканирующей туннельной спектроскопии. .
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в исследовательских и технологических установках для контроля рельефа поверхностей и локального воздействия на них. .
Изобретение относится к области приборостроения, в частности, к сканирующей туннельной микроскопии (СТМ), используемой для исследования поверхности проводящих веществ. .
Изобретение относится к эмиссионной электронике и предназначено главным образом для изготовления микроострий-зондов для туннельных микроскопов, а также точечных автоэлектронных источников и образцов для автоэмиссионной микроскопии.
Изобретение относится к методам исследования тонких пленок и поверхности твердого тела, в частности адсорбированных слоев, находящихся в равновесии с газовой фазой при высоких давлениях. .
Изобретение относится к туннельной микроскопии и может быть использовано для исследований быстропротекающих динамических процессов на поверхностях изучаемых объектов. .
Изобретение относится к исследованию поверхности методом туннельной микроскопии. .
Изобретение относится к структурным исследованиям поверхности с использованием туннельного эффекта. .
Изобретение относится к туннельной микроскопии и может быть использовано для микроанализа поверхности твердых тел. .
Изобретение относится к электронной технике, в частности к микрозондовым приборам, в которых для исследования поверхности используется тунельный ток. .