ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3816586/29-33 (22) 27. 11.84 . (46) 15.07.86. Бюл. № 26 (72) И.Г. Бертош, Л.А. Голубцова, З.M. Горонович, Л.А. Соловьева, Ф.М. Суслина, Н.A. Андреева, В.И. Жуковский, Б.А. Ратенберг и Т.А. Балакишиева (53) 666.638(088.8) (56) Авторское свидетельства СССР № 998432, кл. С 04 В 35/00, 1980.

Авторское свидетельство СССР № 810643, кл . С 04 В 35/00, 1979. (54)(57) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРНОГО

МАТЕРИАЛА, включающая BaTiO,, CaZrO,, Nb20 и МпСО,, о т л и ч а ю щ а яс я тем, чта, с целью повышения стабильности значений емкости в интервале температур от вЂ” 60 до +125 С и о повышения удельного сопротивления керамики, она дополнительно содержит

Ib O,, Эу,О и Рг Оц при следующем соотношении компонентов, мас. Ж:

8aTiO 95ь 15 97э 25

CaZr0 0,75-0,85

ИЬ2 05 1,3-2,0

МпС03 О, 1-0,3

2 Э

О, 1-0,3

Dy,O, О, 1-0,8 °

Рг О 0,2-0,8

12441

29 интервале рабочих до +125 С „, не. ,,-a аС

Ниже приведены емсй шихты, мас.7.:

Состав

Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к технологии керамических диэлектриков, и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов.

Цель изобретения повышенИе вЂ” стабильности значений емкости в интеро вале температур от вЂ” 60 до +125 С и повышение удельного сопротивления 10 керамики.

Предлагаемую шихту сегнетокерамического конденсаторного материала получают следующим образом. Предварительно известным в керами- 15 ческом производстве образом изготавливают BaTiO которые синтезируют

3 при 1200-1300 С и измельчают до удельной поверхности 4000-5000 см /г. Затем полученные в отдельности BaTiO, 20 и CaZrO смешивают в требуемом соз сР отношении и обжигают при 1400 С в течение 2 ч. К полученной таким образом смеси добавляют в требуемом соотношении МЬ,О,, МпСО,, ОУ О,, PRO„ и

Ib 0,, смешивают и измельчают до удельной поверхности 5000-7000 см /г.

Полученную шихту сегнетокерамического материала используют для изготовления диэлектрика конденсаторов, за- ЗО готовки которых обжигают при: 13401390 С в течение 2 ч. При этом сего нетокерамический материал имеет диэлектрическую проницаемость Я = -29303100, диэлектрические потери tg®«« к10 = 0,6-0,9 и изменение емкости в температур от -60 более +157. составы предлагаСостав Состав

2 3

96,2 97,25

0,8 - 0,75

BaTiO

Са7. гО, иь,оТЬ,О

Пу,о, 95, 15

0,85

1,3

1,65

2,0

0,1

0,2

0,3

0,8 0,45

Рг<0«0 э 8

MnCO . 0,1 0,2 0 3

Свойства сегнетокерамического конденсаторного материала из предлагаемой шихты подтверждаются резуль татами испытаний и приведены в таблице.

Составы

Электрические свойства

1 -2. Л С 1е

1. С о О,,„, 0,9 + 15 1)8

07+1545

0,6 «+ 14 7,8

1 3100

2 3000

3 2950

Составитель B. Соколова

Техред Л.Олейник Корректор А. Тяско

Редактор К. Волощук

Заказ 3769/25

Тираж 640

BHHHIIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Шихта для изготовления сегнетокерамического конденсаторного материала

Способ контроля качества титаната бария // 1102790

Шихта сегнетокерамического материала // 1096700

Сегнетоэлектрический керамический материал // 1085964

Сегнетоэлектрический керамический материал // 1077867

Керамический материал // 1058941

Шихта для изготовления керамического материала // 1035015

Керамический материал // 1031953

Шихта для изготовления сегнетокерамического материала // 1028644

Керамический материал // 1021676

Керамическая шликерная композиция и способ ее приготовления // 2139266

Изобретение относится к керамическим однородным суспензиям керамического порошка и способу их приготовления

Способ изготовления полупроводниковой керамики на основе титаната бария // 2162457

Изобретение относится к керамической полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления полупроводниковой керамики на основе титаната бария, а также полупроводниковой керамики с позисторным эффектом

Способ формирования состава твердых растворов с заранее заданными параметрами для изделий высокочастотной и микроволновой техники // 2209191

Изобретение относится к материалам для электронной техники, которые могут быть использованы для изготовления изделий СВЧ-техники и микроволновой техники

Композиционный керамический материал // 2209192

Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в радиотехнике и радиоэлектронике, и может быть применено для изготовления приемных и передающих устройств, зондов для диагностики полупроводящих сред, а также для получения сверхтонких пленок для микроэлектротехники

Диспергируемые, покрытые оксидом металла материалы на основе титаната бария // 2224729

Изобретение относится к созданию материалов на основе титаната бария

Способ формирования состава твердых растворов для изделий высокочастотной и микроволновой техники (варианты) // 2242442

Изобретение относится к производству материалов для электронной техники и может быть использовано в технологии производства изделий микроволновой и СВЧ-техники

Шихта керамического материала для позисторов и способ получения материала из нее // 2259334

Изобретение относится к области электронной техники, в частности к составам и способам получения керамических резистивных материалов

Шихта полупроводникового керамического материала для терморезисторов и способ получения материала из нее // 2259335

Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способу изготовления нагревательных терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивления

Керамический пироэлектрический материал для неохлаждаемых приемников инфракрасного излучения // 2326856

Изобретение относится к области электроники, более конкретно к пироэлектрическим материалам для неохлаждаемых приемников инфракрасного излучения диапазона 8-14 мкм

Низкотемпературный стеклокерамический материал // 2410358

Изобретение относится к низкотемпературным стеклокерамическим материалам и может быть использовано в электронной технике СВЧ