Способ управления муфтой
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ МУФТОЙ , пространство между ведущей и ведомой частями которой заполнено магнитореоf логической средой, заключающийся в воздействии на магнитореологическую среду и.мпульсным электромагнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения точности регулирования передаточного отно1иения и КПД, на магнитореологическую среду воздействуют дополнительным импульсным электромагнитным полем, силовые линии которого перпендикулярны силовым линиям основного ПОЛЯ, причем дополнительным электромагнитным полем воздействуют на магнитореологическую среду в момент изменения величины и формы импульсов основного поля. (Л Ю о 4
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (511 4 F 16 D 37 02
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3845475/25-27 (22) 11.01.85 (46) 15.11.86. Бюл. № 42 (72) Ю. II. Мурзин, Г. Ф. Максимова, Л. Т. Буравлев, B. А. Морозов и Il. П. Ананьев (53) 621.825.5 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 949241, кл. F 16 D 37/02, 1982.
Патент Великобритании ¹ 1262854, кл. F 16 D 37/02, !972. (54) (57) СГIОСОБ УГIРАВЛ ЕНИЯ МУФТОЙ, пространство между ведущей и ведомой частями которой заполнено магнитореоÄÄSUÄÄ 1270441 логической средой. заключающийся в воздействии на магнитореологическую среду импульсным электромагнитным полем, отличаюи(ийся тем, что, с целью повы щения точности регулирования передаточного отнощения и КПД, на магнитореологическую среду воздействуют дополнительным импульсным электромагнитным полем, силовые линии которого перпендикулярны силовым линиям основного поля, причем дополнительным электромагнитным полем воздействуют на магнитореологическую среду в Момент изменения величины и формы импульсов основного поля.
1270441
Составитель В. Ревеко
Техред И. Верес Корректор М. Шароши
Тираж 880 Подиисное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР но делам изобретений и открытий
113035, Мссква, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Редактор Л.,Чолннин
Заказ 62 22, 35
Изобретение относится к машиностроению и может быть использовано для управления муфтой с магнитореологической средой, соединяющей вращающиеся валы различных устройств, например, в следящем приводе.
Цель изобретения — повышение точности регулирования передаточного отношения управляемой муфты и ее КПД за счет снижения момента холостого хода.
На чертеже схематично изображено устройство, реализуюшее способ управления муфтой.
Управляемая муфта содержит ведущую 1 и ведомую 2 полумуфты, пространство между которыми заполнено средой 3, представляюгцей собой магнитореологическую жидкость, изменяющую свою вязкость под, действием магнитного поля. На дисперсную среду воздействуют основным электромагнитным полем, силовые линии которого пронизывают объем, занимаемый средой 3, перпендикулярно торцовым поверхностям полумуфт
1 и 2, и дополнительным электромагнитным полем, наводимым электромагнитом 4.
Силовые линии Н, дополнительного поля перпендикулярны силовым линиям Н, основного поля.
При подаче импульса основного электромагнитного поля дисперсные частицы магнитореологической среды ориентируются по силовым линиям электромагнитного поля, образуя жесткую связь между полумуфтами, при этом происходит передача крутящего момента.
В момент изменения величины (или формы) импульса основного электромагнитного поля на магнитореологическую среду воздействуют импульсом дополнительного электромагнитного поля, вызываюц1им переориентацию дисперсных частиц магнитореологической среды и разрушение нераспавшихся цепочек связей, при этом начинается проскальзывание ведомой полумуфты относи15 тельно ведущеи. Новый импульс основного поля вызовет ориентацию дисперсных частиц, связывающих полумуфты жесткой связью.
Таким образом, передача крутящего момента муфтой будет происходит в моменты подачи импульсов, передаточное отношение будет зависеть от длительности, скважности и характера (формы) импульсов основного поля. Наличие импульсов дополнительного поля, дезориентируюшего дисперсные частицы в момент изменения импульсов основного поля, повышает чувствительность системы к изменению импульсов основного поля.
