Способ получения кристаллов антимонида индия insb, легированного висмутом

Авторы патента:

C30B29/40 - соединения типа A_IIIB_V

C30B13/10 - с добавлением легирующего материала

Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In₂Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,610¹⁵ см^-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In₂Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.

Изобретение относится к способам выращивания эпитаксиальных слоев из газовой фазы и может быть использовано в электронной промышленности при создании светоизлучающих приборов на основе нитрида галлия, работающих во всей видимой области спектра

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов // 961391

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений // 764208

Способ выявления неоднородностей // 191981

Способ выращивания монокристаллов фосфидабора // 185087

Способ получения монокристаллов фосфида бора // 167820

Способ создания электронно-дырочных переходов в дендритах полупроводникового антимонида индия // 146049

Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов // 129338

Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия // 126269

Способ получения резистентного кремния // 2202655

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей

Способ выращивания монокристаллов германия методом отф // 2330127

Способ выращивания монокристаллов германия диаметром до 150 мм методом отф // 2381305

Изобретение относится к выращиванию из расплава легированных монокристаллов германия в температурном градиенте с использованием нагревательного элемента, погруженного в расплав, в условиях осевого теплового потока вблизи фронта кристаллизации - методом ОТФ

Сцинтиллятор // 2627387

Изобретение относится к сцинтиллятору, который может быть использован в качестве детектора рентгеновского излучения в медицине, при досмотре вещей в аэропортах, досмотре грузов в портах, в нефтеразведке. Сцинтиллятор содержит кристалл CsI в качестве его основы и Tl, Bi и O, причем концентрация a Bi по отношению к Cs в кристалле составляет 0,001 атомной млн-1 ≤ a ≤ 5 атомных млн-1; и отношение (a/b) концентрации a Bi по отношению к Cs в кристалле к концентрации b O по отношению к I в кристалле составляет от 0,005⋅10-4 до 200⋅10-4. Сцинтиллятор имеет высокий выход при повышенных характеристиках послесвечения. 1 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл., 12 пр.

Низкотемпературный термоэлектрик и способ его получения // 2644913

Изобретение относится к области полупроводниковых материалов с модифицированными электрическими свойствами. Способ получения низкотемпературного термоэлетрика на основе сплава Bi88Sb12 с добавками гадолиния включает помещение навески сплава Bi88Sb12 и металлического гадолиния в количестве 0,01-0,1 ат.% в стеклянную ампулу, из которой откачивают воздух до 10-3 мм рт. ст. и запаивают, размещение ампулы в печи, ее нагрев до температуры плавления сплава до полного растворения гадолиния, зонное выравнивание со скоростью 2 см/ч и выращивание монокристалла на затравку заданной ориентации методом зонной перекристаллизации при четном проходе со скоростью 0,5 мм/ч. Полученный термоэлектрик состоит из монокристалла Bi88Sb11 с распределенными в межслоевом пространстве наночастицами гадолиния, приводящими к увеличению соотношения подвижностей электронов и дырок без изменения концентрации носителей заряда, что в конечном итоге приводит к увеличению модуля дифференциальной термоэдс и соответственно термоэлектрической эффективности до 70% при 110 К для добавок гадолиния 0,1 ат.%. 2 н.п. ф-лы, 3 ил.

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений а3в5 // 2311498

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений типа а3b5 // 2327824

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений для получения объемных монокристаллов с высокой степенью совершенства структуры

Способ получения монокристаллов антимонида индия, легированного оловом // 2344209

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений АIIIВV

Способ получения монокристаллических пластин арсенида индия // 2344211

Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений типа AIIIBV

Способ получения монокристаллов a3b5 // 2400574

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В 5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида

Способ получения монокристаллов фосфида индия // 2462541

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа

Способ получения гетероструктур на основе полупроводниковых соединений // 2064541

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм