Способ динамического выращивания монокристаллов

 

Класс 12с, 2,% 108256

СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1

С. К. Попов и Н. Н, Шефталь

СПОСОБ ДИНАМИЧЕСКОГО ВЫРАЩИВАНИЯ

МОНО КР ИСТАЛЛОВ

Заннлено 9 апрели 1946 Г, аа № 1294/422068 в Народны11 Комжеариат

Электропромышленности

П р е j I t (ò и з о б р е T (tt è tt

В известных способах выращивания кристаллОв для Оптического, пьсзоэ,н ктрического и иных назнан пий с укрс пленными в крпсталлнза Гî )(затравочнымн крпгталламн применяют динамические методы выращивания монокристаллов, состоящие во вращении растущего кристалла или в перемешивани и раствора.

К недостаткам известных способов относится однообразный характер движения, что ограничивает скорость роста кристаллов. Предло жено ввести беспорядочный характер движения раствора, лишенный однообразия и обеспечивающий статически наиболее равномерное омывание поверхности всего кристалла путем реверсивного вращения кристаллизатора с чередующимися периодами покоя. Реверсивное вращение кристаллизатора не требует движуи1ихся деталей и способствуе r скорости роста монокристаллов, Ре. версивность и смены периодов дви. жения и покоя Осуществляют clTE циальным приспособлением, например, электромеханическим реле.

Способ пригоден для выращивания

Одновременно двух кристаллов как из расплавив. Як и из газовой фазы.

1. Способ динамического выращивания монокристаллов для оптического пьезоэлектрического и иных назначений с укреплением в кристаллизаторе затравочиых кристаллов, отличающийся тем, что, с целью ускорения роста и получения более однородного моиокристалла, создают беспорядочное движение раствора по отношению к монокристаллу путем реверсивного вращения кристаллизатора по горизонтальной или вертикальной оси с чередующимися промежутками

ПОКОЯ.

2, Прием выполнения спосооа по п. 1, отличающийся тем, что выращивание монокристаллов производят из расплавов, а также из газовой среды.

3, Прием выполнения способа по п,1и2, отличающийся тем, что при кристаллизации из растворов и газовой фазы в одном кристаллизаторе получают несколько кристаллов.

Способ динамического выращивания монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к скоростному выращиваниюнию водорастворимых кристаллов, например, типа KH2PO4 (КДР)

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР
Наверх