Прием выполнения динамического способа выращивания монокристаллов

 

Класс 1Ис, 9

М 108804

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ЗАВИСИМОМУ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Н. Х. Шефталь и С. К. Попов

ПРИЕМ ВЫПОЛНЕНИЯ ДИНАМИЧЕСКОГО СПОСОБА

ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

:1яявлено 26 сентября 1950 г. зя № 426427 в 1 осгехннку С(.CP

Основнос явт, св. № 108256 от .30 ноябри 1956 г. ня имя тел же лии

Известен способ динамического

Предмет изобретения выращивания кристаллов ..ля оптического, пьезоэлектрического н иных назначений с укреплением в кристаллизаторе затравочных крнстал.поп по авт. св. № 108256, где беспорядочное движение раствора по отношению к монокристал.чу создают путем реверсивного вращения кристаллизатора по горизонта.чьнои нли вертикальной оси, чередующееся с промежутками покоя. Этим достигают ускорения роста и пс лучения более однородного монокристалла.

Предложен метод выра.цивания монокристаллов, являющийся развитнем динамического способа выращивания кристаллов, путем реверсивного вращения кристалгчоносца или мешалки, что в ряде случаев получения монокристаллов по динамическому способу являетсз единственно возможным.

Прием выполнения динамического способа выращивания монокрнсталлов по авт. св. № 108256, о.тчичающнй тем, что хаотическое движение среды выращиваемого кристалла создают реверсивным вращением криста,члоносца и.чи мешалкии.

Прием выполнения динамического способа выращивания монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к скоростному выращиваниюнию водорастворимых кристаллов, например, типа KH2PO4 (КДР)

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР
Наверх