Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок

 

Класс 12с. а

;:! е 1jl i C

СССР

Займ, . /

p-;

НИ

A. A. Ц1тер:.-:берг и П. Г. .1озд.»яков

СПОСОБ ИЗГОТОРЛЕНИ1;1 ЗЛТРАЕОг, ДЛЯ ВЬ1РЛЖИВАИИс!

Yi :. 1 АЛЛ ОВ В Л 1 11ОР,11" ЛО" O » ; -Л Е1Я И С О% ОБ

ВЫРАЦИВАИИЯ 11ОСЛЕДЕИХ,:! 3 ЭТИ) 3АТР.-,.30» ;

3» язяено 3 нюня 1952 г. зн М Л-1610, -1503 3 -,:1п1п!степсте, нромьпппе»»ностп сре;..стя сня".н

11ринято считать, что в гнооом способе выращивания кристаллов из растворов имеются три основных элемента: состав и степень пересыщения раствора, форма и ориентировка затравок и, наконец, способ движения кристалла относительна раствора.

При ьыооре формы и ориентирог,»»»» затравок приходится руководствоваться как особенностями роста кристаллов, так и сообра.кениямп, связанными с удобством изготовления изделий, поскольку последние, как правило, ориентированы определенным образом «тносительно кристаллографических осей.

В основу предлагаемого способа выращивания кристаллов виннокислого калия положено использовачие затравок, имеющих форму стержня и вырезаемых из кристалла-заготовки.

Особенностью предлагаемого способа изготовления таких затравок, обеспечивающего повышение скорости роста кристалла и получение «а»более рациональной (с точки зрения будущего раскроя изделий) формы кристалла, а именно с сильно развить",ми гранями С (00 ) пинакоида, является ориентировка затравочных стержней. 1-1еобход.»мая орнснтирсвка достигается, в соотьетствии с изобретение.;», путем вырезания стержне»»-затравах 1»BpBë.!Ãëüío 1.ео g, образовапнаму пересечение и гр.".ни

C(00 ) шшаÄo»»ii» с од,»ой !..; б:..:с.— рорастущих граней диэдра.

Полученные таким образам затравки прп зыращиванип кристаллов располага отея на плоском кристал !oHocIJc так, чтобы грань, î i.-àäàþщая на;»большей скоростью раста, была направлена наружу.

Сущность изобретения поясняется чертежом, изображающим —,алную естественну»о форму кристалла ":. .инокислого калия.

Как показа;ш исследования, скорости роста различных граней кристалла випнокислого калия сущестгепно различны.

Для производства желательно иметь кристаллы, име»опцие широкие. хорошо развитые гра!»и C. Зто обусловлено тем, что !»ластины д, я пьезорезснаторов выреза,о-.ся - .араллельно 3TOH» ра!!и так. что 3,,х!»!»и их состазляет угол B 45 с высотой кристалла.

С целью обеспечения наиболее быстрого роста кристаллов виннокаменного калия, а также получения

y¹lî 1Ц11дс) Оты. рс).,*ктор И. В.. пакерои

Л!33с50 от 22/Х l955 г Стапдартгиа. Объеч 0,125 п. л. Тирак 400. Цена 25 коп.

Типогрн5и;: пал-иа < Москопскап пра.>па», Потапоаскпй пер., 3. Зак. 5265 наиболее рациональной, с точки зрения раскроя, формы кристаллов, предлагается осуществлять выращивание пос,обедник из стержневых затравок, длина которых расположена параллельно ребру, образованному пересечением грани С пинакоида с гранью О положительного диэдра.

Затравки указанной ориентировки монтируются на горизонтальном диске, совершающем реверсивное вращение в растворе и являющемся кристаллоносцем, таким ооразом, что длинные стороны затравок прикладываются к плоскости диска.

Предмет изобретения

1. Способ изготовления затразок для ыращивания кристаллов виннокислого калия, осуществляемый путем вырезачия стержней затравок из

«ристалла-заго-îâêè,,о т л и ч а югц и и с я тем, что, с целью повышения скорости роста кристалла и получения наиболее рациональной (с точки зрения будугцего раскроя изделий) формы кристалла, а именно — с сильно развитыми гранями

С (00 ) пинакоида, стержни-затравки вырезают параллельно ребру, образованному пересечением грани

С(00 ) пипакоида с одчой из быстрорастущих граней диэдра.

2. Способ выращивания кристаллов из затравок, полученных по п. 1, отличающийся тем, что затравки располагают на плоском кристаллоносце так, чтобы грань, обладающая наиоольшей скоростью роста, была направлена наружу.

Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области получения монокристаллов в гелях и позволяет увеличить выход крупных монокристаллов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Изобретение относится к скоростному выращиваниюнию водорастворимых кристаллов, например, типа KH2PO4 (КДР)

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей
Наверх