Способ выращивания кристаллов

 

Класс 12с, 2

:CCP

ОПИСАНИЕ ИЗОБРКТКНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

А. A. Штернберг и П. Г. Поздняков

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Заявлено 2 декабря !952 г. за М Л-1942/450364 в Министерство промышленности средств связи

К особенностям роста кристаллов виннокислого этилендиамина, используемых как материал для изготовления пьезоэлектрических резонаторов, следует отнести большое преобладание скорости роста положительных диэдрических граней — над скоростями роста всех остальных его граней. Поэтому кристаллы виннокислого этилендиамина из точечных затравок развиваются в виде игольчатых образований, не представляющих ценности для практически.; применений. Для получения кристаллов болыпого сечения приходится прибегать к применению затравочных кристаллов также большого сечения.

Обычно в качестве затравок применяют головки кристалла, имеющие полонситсльпые диэдрические грани.

Применение такой затравки имеет существенный недостаток, заключающийся в том, что значительная область выросшего кристалла около затравки имеет неоднородности, являющиеся следствием явлений ее регенерации. В результате этого большой объем кристалла не может быть использован. Кроме того, на затравки расходуется большое ко,.шчество кристалла.

С целью устранения явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера предлагается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразные углубления («карманы») плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.

Для осуществления предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислого этилендиамина, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных или почти параллельных диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. При этом образуется несколько пластин треугольной формы, каждая из которых может служ1ггь затравкой для выращивания кристалла того же сечения.

Полученная таким образом затравка помещается в щслевые отверстия в плоском кристаллоносце, закрытые с нижней стороны и имеющие вид карманов. Затравка должна располагаться в «карманах» кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней. На чертеже показано устройство кристаллоносца с щелсвыми углублениями («карманами») для размещения затравок. № 101!79

Предмет изобретения

1. Способ выращивания кристаллов веществ, ооладаклцих резко выОтв. редактор И. В. Макаров

Л133811 от 6/Х 1955 г. Стаидартгиз. Объем 0,125 и. сп Тираж 400. Цена 25 кон.

Типография изд-ва «Московская правда», Потаповский пер„3, Зак. 4978

Из вершины такой пластинчатой затравки развиваются криста.члы большого поперечного сечения, при...чем размеры поперечника выросшего кристалла определяются размерами основания затравочной пластины.

При этом кристалл развивается как из точечной затравки, а постепенно вырастающие из щели участки кристаллических граней стимулируют рост боковых (пинакоидальных) граней, при обычных условиях практически не растущих. Рост боковыv граней продолжается до тех пор, пока основание затравочной пластины не окажется вписанным в периметр поперечного сечения кристалла. раженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислсго этилендиамина, из пластинчатых затравок, отличающий ся тем, что, с целью устранения явлений регенерации, для получения однородных кристаллов большого размера затравку помещают в щелеооразные углубления («карманы») плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.

2. Способ по п. 1, отл и ч а юшийся тем, что в качестве затравки применяют пластину, вырезанную из головки кристалла параллельно или почти параллельно диагональной плоскости, рассекающей кристал.г по длине.