Способ фотолитографии
Изобретение относится к микроэлектронике. Цель изобретения - увеличение процента выхода годных за счет получения в слое фоторезиста при "обратной" фотолитографии профиля с отрицательным углом наклона. На подложку наносят слой позитивного фоторезиста. Проводят его селективное экспонирование через фотошаблон. В проявитель добавляют 1 - 5 об. % растворителя фоторезиста, например ацетона или диметилформамида. Фоторезист проявляют. Наличие в проявителе растворителя фоторезиста приводит к набуханию неэкспонированных участков фоторезиста. Верхние участки слоя фоторезиста контактируют с растворителем в течение более длительного времени и набухают сильнее, чем нижние. В фоторезисте образуется профиль с отрицательным углом наклона. В результате улучшаются условия удаления фоторезиста с нанесенным на него материалом при "обратной" фотолитографии. 2 з. п. ф-лы, 1 табл.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем. Целью изобретения является увеличение процента выхода годных структур после фотолитографии. Цель достигается тем, что при проявлении фоторезиста в проявитель добавляется 1-5 об. % растворителя фоторезиста, что приводит к набуханию неэкспонированных участков фоторезиста за счет проникновения в него растворителя, причем набухание более сильно выражено на верхних участках фоторезистивного слоя, так как растворение экспонированных участков идет сверху вниз и верхние участки слоя фоторезиста контактируют с растворителем в течение более длительного времени, чем нижние. В результате в фоторезисте образуется профиль с отрицательным углом наклона, улучшающий условия удаления фоторезиста с нанесенным на него материалом при "обратной" фотолитографии. Растворитель добавляется в проявитель в количестве 1-5 об. % . При добавлении растворителя менее 1 об. % его влияние на ход процесса проявления пренебрежимо мало, а при добавлении более 5 об. % происходит отслаивание или растворение неэкспонированных участков фоторезиста. В качестве растворителя могут использоваться ацетон или диметилформамид. П р и м е р. На пьезокварцевую пластину толщиной 0,4 мм размером 20 х 30 мм2, рабочая сторона которой оптически полирована, наносится центрифугированием слой позитивного фоторезиста ФП-383 или ФПРН-7. После сушки фоторезиста пластину экспонируют контактным способом через фотошаблон с изображением параллельных полос длиной 350-450 мкм, шириной и расстоянием между ними 1 мкм. Затем фоторезист проявляют в течение 20-30 с в 0,4% -ном растворе тринатрийфосфата в воде, в который добавлено 3 об. % ацетона. После этого пластину промывают в деионизованной воде, высушивают на центрифуге и помещают в вакуумную установку, в которой без развакуумирования проводят процесс травления пьезокварца во фреоне (источник "Радикал") в течение 15 мин и затем напыляют сплав АК-1 (алюминий с 1% кремния) из магнетронного источника. Глубина травления 100 нм, толщина слоя алюминия 100 нм при измерении на контрольном участке размером 100 х 100 мкм. После этого производят взрыв фоторезиста в диметилформамиде в ультразвуковой ванне. Зависимость процента выхода от состава проявителя приведена в таблице. Для сравнения проводили процесс по способу-прототипу без добавления растворителя фоторезиста в проявитель. Приведенные в таблице данные показывают, что при использовании данного способа выход годных структур увеличивается на 2-10% . Кроме того, уменьшается время проявления за счет проявляющего действия растворителя. (56) Тезисы докладов и рекомендации научно-технических конференций, сер. 7. Технология и организация производства и оборудование, 1983, вып. 2(193), с. 23-24. IBM journal of Resize and Developer. 1980, v. 24, 5, p. 452.
Формула изобретения
1. СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ, включающий нанесение на подложку слоя позитивного фоторезиста, его экспонирование через фотошаблон, обработку в органическом растворителе, проявление, нанесение слоя рабочего материала и удаление слоя фоторезиста с нанесенным материалом, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур за счет получения в слое фоторезиста профиля с отрицательным углом наклона, обработку слоя фоторезиста в растворителе проводят в процессе проявления путем добавления растворителя в проявитель в количестве 1 - 5 об. % , причем в качестве растворителя используют растворитель используемого фоторезиста. 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют ацетон. 3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют диметилформамид.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Номер и год публикации бюллетеня: 11-2002
Извещение опубликовано: 20.04.2002
