Способ определения длины канала мдп-транзистора

 

Способ определения длины канала МДП-транзистора путем формирования тестовой структуры на полупроводниковой подложке, включающей области, имитирующие сток-истоковые области, и затвор МДП-транзистора, причем топологическая ширина затвора выбирается равной топологической длине канала МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, в подложке второго типа проводимости изготавливают МДП-транзистор с не менее чем шестью сток-истоковыми областями первого типа проводимости и самосовмещенные с затвором высоколегированные области второго типа проводимости, имитирующие сток-истоковые области МДП-транзистора, подают смещение на затвор, достаточное для создания инверсионного слоя, определяют эффективное удельное поверхностное сопротивление инверсионного слоя, ограниченного по ширине высоколегированными областями, определяют падение напряжения на участке инверсионного слоя заданной длины и определяют длину L_с каналы МДП-транзистора по формуле

L_с=ρs _эфф· L·(I/U),

где ρs _эфф - эффективное удельное поверхностное сопротивление инверсионного слоя;

L - длина участка инверсионного слоя;

U - падение напряжения на участке L инверсионного слоя;

I - ток, протекающий на участке L инверсионного слоя.